Диссертация (1104695), страница 16
Текст из файла (страница 16)
“Полупроводниковыйквантовый генератор на p-n переходе в GaAs,” ДАН СССР, 150, 2, 275 (1963).[7] Алферов Ж.И., Андреев В.М., Корольков В.М., Портной Е.Л.,Третьяков Д.Н.“Когерентноеизлучениевэпитаксиальныхструктурахсгетеропереходами в системе AlAs-GaAs,” ФТП, 2, 10, 1545 (1968).[8]АлферовЖ.И.,АндреевВ.М.,ГарбузовД.З.,ПортнойЕ.Л.,Жиляев Ю.В., Морозов Е.П., Трофим В.Г. “Исследование влияния параметровгетероструктуры на пороговый ток лазеров и получение непрерывного режимагенерации при комнатной температуре,” ФТП, 4, 1826 (1970).[9] Hayashi I., Panish M.B., Foy P.W.
“A low threshold room-temperatureinjection laser,” IEEE J. Quantum. Electron., 5, 4, 211 (1969).[10] Hayashi I., Panish M.B., Foy P.W, Sumski S. “Junction lasers which operate127continuously at room temperature,” Appl. Phys. Lett., 17, 109 (1970).[11] Под ред. Т.Тамира. “Волноводная оптоэлектроника,” М.: Мир, с. 338(1991).[12] Богданкевич О.В., Дарзнек С.А., Елисеев П.Г. “Полупроводниковыелазеры,” М.: Наука, c. 415 (1976).[13] Ривлин Л.А. “Динамика излучения полупроводниковых квантовыхгенераторов,” М.: Сов.
радио (1976).[14] Алферов Ж.И. “Полупроводниковые гетероструктуры (Обзор),” ФТП,11, 2072 (1977).[15] Елисеев П.Г. “Проблема надежности и физика деградационныхпроцессов в полупроводниковых лазерах,” В сб.: Итоги науки и техники,сер. Радиофизика, М.: ВИНИТИ, 14, 2, 5 (1978).[16] Кейси Х., Паниш М. “Лазеры на гетероструктурах,” М.: Мир., 1; 2(1981).[17] Елисеев П.Г.
“Введение в физику инжекционных лазеров,” М.: Наука,(1983).[18] A.Y. Cho. J. “Film Deposition by Molecular-Beam Techniques,” Vac. Sci.Technol., 8, 31 (1971).[19] A.Y. Cho. “Growth of Periodic Structures by the Molecular-Beam Method,”Appl.
Phys. Lett., 19, 467 (1971).[20] H.M. Manasevit. “Single crystal GaAs on insulating substrates,” Appl. Phys.Lett., 12, 156 (1968).[21] R. Dingle, W. Wiegmann, C.H. Henry. “Quantum states of confined carriersin very thin AlxGa1-xAs-GaAs-AlxGa1-xAs heterostructures,” Phys. Rev. Lett., 33, 827(1974).128[22] S. Simhony, E. Kapon, T. Colas, D.M.
Hwang, N.G. Stoel, P. Worland.“Vertically stacked multiple-quantum-wire semiconductor diode lasers,” Appl. Phys.Lett., 59, 2225 (1991).[23] А.И. Екимов, А.А. Анущенко. “Quantum size effect in three-dimensionalmicroscopic semiconductor crystals,” Письма ЖЭТФ, 34, 363 (1981).[24] А.Л. Эфрос. ФТП, 16, 1209 (1982).[25] L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G.Le. Roux. “Growth bymolecular beam epitaxy and characterization of InAs/GaAs strained layer superlattices,”Appl.
Phys. Lett., 47, 1099 (1985).[26] Growe J.W., Ahearn W.E. “Semiconductor laser amplifiers,” IEEE J., QE-2,8, 283 (1966).[27] Ривлин Л. А., Семенов А.Т., Якубович С. Д., “Динамика и спектрыизлучения полупроводниковых лазеров,” Радио и связь, М., (1983).[28] Connelly M. J., “Semiconductor optical amplifiers,” Kluwer Acad.
Publ.,Dordrecht (2002).[29] Анненков Д.М., Богатов А.П., Елисеев П.Г., Охотников О.Г., Пак Г.Т.,РахвальскийМ.П.,ФедоровЮ.Ф.,ХайретдиновК.А.,“Спектрально-согласованная модуляция излучения инжекционного лазера в усилителе бегущейволны с частотой до 2 ГГц,” Квантовая электроника, 11, 231, (1984)[30] Богатов А.П., Дьячков Н.В., Дракин А.Е., Гущик Т.И., “Амплитуднофазовая модуляция излучения усилителя бегущей волны на основе лазерногодиода,” Квантовая электроника, 43, 699 (2013)[31] Buus J., Amann M.
C., Blumental D. “Tunable laser diodes and relatedoptical sources,” Wiley, Hoboken, (2005).[32] Helstein M. M., Mehuys B., Yariv A., “Broadband tunability ofgain flattened quantum well semiconductor lasers with an external grating,” Appl.Phys., 54, 11, 1092 (1989).129[33] Дураев В. П., Медведев С. В., “Полупроводниковые оптическиеусилители в диапазоне длин волн 840-1550 нм,” “Научное приборостроение,” 22,3, 53 (2012).[34] M. E. Brezinski, G.
J. Tearney, S. A. Boppart, E. A. Swanson, J. F. Southern,and J. G. Fujimoto, "Optical biopsy with optical coherence tomography, feasibility forsurgical diagnostics," Journal of Surgical Research, 71 (1997).[35] S.A. Boppart, M.E. Brezinski, B.E. Bouma, G.J. Tearney, J.G. Fujimoto.“Investigation of developing embryonic morphology using optical coherencetomography,” Dev. Biol. 177, 54 (1996).[36] S.
A. Boppart, B. E. Bouma, C. Pitris, G. J. Tearney, J. F. Southern,M. E. Brezinski, and J. G. Fujimoto, “Intraoperative assessment of microsurgery withthree-dimensional optical coherence tomography,” Radiology, 208 (1998).[37] Курбатов Л.Н., Шахиджанов С.С., Быстрова Л.В., Демидов Ю.П.,Катаев А.Г., Киселев А.А. “Исследование многолучевого инжекционноголазерного усилителя из арсенида галлия,” Радиотехника и электроника, 16, 4(1971).[38]СтупниковВ.Н.,ЯкубовичС.Д.“Влияниеконфигурацииинжекционного излучателя на характеристики излучения,” сб. Электроннаятехника, 11, 5, 62 (1978).[39] “Fiber Optics and Laser Sensors XI,” Proc. SPIE, 2070 (1993).[40] Frieble E.J., Kersey A.D.
“Fiberoptics sensors measure up for smartstructures,” Laser Focus World, 30, 5, 165 (1994).[41] “Time Resolved Imaging in Medicine,” Optics & Photonics News, 4, 10(1993).[42] Г.Г. Унгер "Оптическая связь", М.: Связь (1979).130[43] S. Kondo, Н.
Yasaka, Y. Noguchi, К. Magari, S. Sugo and О. Mikami "VeryWide Spectrum Multiquantum Well Superluminescent Diode at 1.5 W," ElectronicsLetters, 28, 2, 132 (1992).[44] H. Kobayashi, H. Iwamura, T. Saku, K. Otsuka "Polarization-dependentqain- current relationship in GaAs-AlGaAs MQW Laser diodes," Electron. Lett., 19, 5,l66 (1983).[45] Luttinger J.M., Kohn W., “Motion of Electrons and Holes in PerturbedPeriodic Fields,” Phys. Rev., 97, 869 (1955).[46] В. К. Батоврин, И. А.
Гармаш, В. М. Геликонов, Г. В. Геликонов,А. В. Любарский, А. Г. Плявенек, С. А. Сафин, А. Т. Семенов, В. Р. Шидловский,М. В. Шраменко, С. Д. Якубович, “Cуперлюминесцентные диоды на основеоднослойныхквантоворазмерных(GaAl)As-гетероструктур,”КвантоваяЭлектроника, 23, 2, 113 (1996).[47] C. Chudoba, J.G. Fujimoto, E.P. Ippen, H.A. Haus, U. Morgner,F.X. Kärtner, V.
Scheuer, G. Angelow, T. Tschudi, "All-solid-state Cr:forsterite lasergenerating 14-fs pulses at 1.3 µm," Opt. Lett. 26, 292, (2001).[48] Y. Wang, J.S. Nelsen, Z. Chen, B.J. Reiser, R.S. Chuck, R.S. Windeler,“Optimal wavelength for ultrahigh-resolution optical coherence tomography,” Opt.Express 11, 12, 1411 (2003).[49] S. Bourquin, A.D.
Acquirre, I. Hartl, P. Hsiung, T.H. Ko, J.G. Fujimoto,T.A. Birks, W.J. Wadsworth, U. Bunting, D. Kopf, “Ultrahigh resolution real time OCTimaging using a compact femtosecond Nd:Glass laser and nonlinear fiber” Opt. Express11, 3290 (2003).[50] B.E. Bouma, G.J. Tearney, I.P. Bilinsky, B. Golubovic, J.G. Fujimoto, “ASelf-Phase-Modulated KerrLens-Modelocked Cr:forsterite Laser Source for OpticalCoherence Tomography,” Opt. Lett. 21, 1839 (1996).[51] Борн М., Вольф Э. “Основы оптики,” М., Наука (1973).131[52] D.J. Gallant, M.L. Tilton, D.J. Bossert, J.D. Barrie, G.C. Dente, “Optimizedsingle-layer antireflection coatings for semiconductor lasers,” IEEE Photon, Technol.Lett.
9, 3, 300 (1997).[53] S.A. Safin, A.T. Semenov, V.R. Shidlovski et al., "High-power 0.82 mWsuperluminescent diodes with extremely low Fabry-Perot modulation depth," Electron.1ett., 28, 6, 530 (1993).[54] A.T. Semenov, V.R. Shidlovski, S.A. Safin, V.P. Konyaev, M.V. Zverkov,“Superluminescent diodes for visible (670 nm) spectral range based on AlGaInP/ GaInPheterostructures with tapered grounded absorber,” Electron. Lett. 29, 6, 530 (1993).[55] Y. Kashima, M. Kobayashi, H. Takano, “High Output Power GaInAsP/InPsuperluminescent diode at 1.3 µm,” Electron.
Lett. 24, 1507 (1988).[56] H. Nagai, Y. Noguchi, S. Sudo, “High-power, high-efficiency 1.3 µmsuperluminescent diode with a buried bent absorbing guide structure,” Appl. Phys. Lett.54, 18, 1719 (1989).[57] A.T. Semenov, V.R. Shidlovski, “Very high power, broad and flat spectrumsuperluminescent diodes and fiber modules for OCT applications,” paper presented atBIOS 2000, Photonics West ’99, San-Jose, CA, Paper 3915-43 (2000).[58] “Reliability assurance for optoelectronic devices” Telcordia GenericRequirements GR-468-CORE, 2 (2004).[59] M.
Vanzi, A. Bonfiglio, F. Magistrali, G. Salmini, “Electron microscopy oflife tested semiconductor laser diodes,” Micron. 31, 259 (2000).[60] C.H. Henry, P.M. Petroff, R.A. Logan, F.R. Merritt, “Catastrophic damageof AlxGa1−xAs double-heterostructure laser material,” J. Appl. Phys. 50, 3721 (1979).[61] G. Chen, C.L. Tien, “Facet heating of quantum well lasers,” J.
Appl. Phys.74, 2167 (1993).132[62] D. Chao, J.Ma, X.Li “Research on the reliability of SLD through acceleratedlife testing,” Proc. of ICRMS, 1263 (2009).[63] L.Wang, X. Li, T. Jiang, B.Wan “SLD constant stress ADT data analysisbased on time series method,” Proc. of ICRMS, 1313 (2009).[64] P.G. Eliseev “Optical strength of semiconductor laser materials” Prog.Quant. Electron., 20, 1, 1-82 (1996).[65] B. Bouma, G.J. Tearney, S.A. Boppart, M.R. Hee, M.E. Brezinski,J.G. Fujimoto, “High-resolution optical coherence tomographic imaging using a modelocked Ti:Al2O3 laser source,” Opt. Lett.
20, 13, 1486 (1995).[66] A.T. Semenov, V.R. Shidlovski, “Very high power, broad and flat spectrumsuperluminescent diodes and fiber modules for OCT applications,” paper presented atBIOS 2000, Photonics West’99, San-Jose, CA, Paper 3915-43 (2000).[67] Feltin E., Castiglia A., Cosendey G., Sulmoni L., Carlin J.-F., Grandjean N.,Rossetti M., Dorsaz J., Laino V., Duelk M., Velez C., “Broadband bluesuperluminescent light-emitting diodes based on GaN,” Ecole Polytechnique Fédéralede Lausanne (EPFL), IPEQ, CH-1015 Lausanne, Switzerland, Appl.
Phys. Lett., 95, 8,(2009).[68] M.E. Lipin, V.E. Rafailov, A.T. Semenov, V.R. Shidlovski “Very highpower superluminescent diodes as alternative to fluorescent fiber-doped light sources,”paper presented at Fiber Optic Sensors Conference, Photonics East’99, Boston, Paper3860-67; Proc.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
