Автореферат (1104694), страница 5
Текст из файла (страница 5)
595-601 (2011).[2] С.Н.Ильченко, Ю.О.Костин, И.А.Кукушкин, М.А.Ладугин,П.И.Лапин,А.А.Лобинцов,А.А.Мармалюк,С.Д.Якубович,20“Широкополосные СЛД и ПОУ спектрального диапазона 750-800 нм,”Квантовая электроника, 41, 8, стp. 677-680 (2011).[3] С.Н.Ильченко, М.А.Ладугин, А.А.Мармалюк, С.Д.Якубович, “СЛД«ближайшего» ИК-диапазона с шириной спектра 100 нм,” Квантоваяэлектроника, 42, 11, стp. 961-963 (2012).[4] Е.В.Андреева, С.Н.Ильченко, Ю.О.Костин, М.А.Ладугин,П.И.Лапин, А.А.Мармалюк, С.Д.Якубович, “Широкополосные СЛДдиапазона 800-900 нм с колоколообразной формой спектра,” Квантоваяэлектроника, 43, 8, стp.
751-756 (2013).[5] Е.В.Андреева, С.Н.Ильченко, М.А.Ладугин, А.А.Лобинцов,А.А.Мармалюк, М.В.Шраменко, С.Д.Якубович, “Широкополосные ПОУспектрального диапазона 750-1100 нм,” Квантовая электроника, 43, 11,стp. 994-998 (2013).[6] Е.В.Андреева, С.Н.Ильченко, Ю.О.Костин, С.Д.Якубович,“Поперечно-одномодовые суперлюминесцентные диоды ближнего ИКдиапазона спектра с непрерывной выходной мощностью до 100 мВт,”Квантовая электроника, 44, 10, стр.
903-906 (2014).Другие статьи и материалы конференций:[7]С.Н.Ильченко,Ю.О.Костин,М.А.Ладугин,П.И.Лапин,А.А.Лобинцов, А.А.Мармалюк, С.Д.Якубович, “Широкополосные СЛД иПОУ с центральной длиной волны 780 нм,” 8th Belarusian-Russian Workshop“Semiconductor Lasers and Systems”, Minsk, Book of Papers, p. 91-95 (2011).[8] S.N.Ilchenko, Yu.O.Kostin, M.A.Ladugin, P.I.Lapin, A.A.Lobintsov,A.A.Marmalyuk, S.D.Yakubovich, “Broad-band SLDs emitting at 750-800 nm,”11th Int. Conf.
on Laser and Fiber-Optical Networks Modeling, Kharkov, UkraineConf. Proc., paper LFNM-003 (2011).[9] E.V.Andreeva, S.N.Ilchenko, Yu.O.Kostin, P.I.Lapin, D.S.Mamedov,S.D.Yakubovich, “Changes in output characteristics of broad-band SLDs in theprocess of long-term operation,” 11th Int. Conf. on Laser and Fiber-OpticalNetworks Modeling, Kharkov, Ukraine Conf. Proc., paper LFNM-004 (2011).[10] S.N.Ilchenko, A.A.Lobintsov, V.R.Shidlovskii, M.V.Shramenko,S.D.Yakubovich, “High-power sweeping semiconductor light sources at 840 nmwith up to 100nm tuning range,” Proc. of SPIE, 8213, p.
82133A (2012).[11] Ю.Л.Рябоштан, П.В.Горлачук А.А.Мармалюк, А.А.Лобинцов,С.Н.Ильченко, С.Д.Якубович, “Мощные СЛД (670 нм) на основеквантоворазмерныхгетероструктурInGaP/AlGaInP/GaAs,”ТрудыМеждународного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», НижнийНовгород, 2, стр. 372-373 (2012).[12] E.V.Andreeva, A.Yu.Chamorovsky, S.N.Ilchenko, Yu.O.Kostin,P.I.Lapin, S.D.Yakubovich, “SLD-based broad-band light sources with bell-shaped21spectra in the range of 800-900 nm,” Abstract Collection, 1st Symp.
on OCT forNon-Destruct. Testing, Linz, Austria, p. 93-95 (2013).[13] Е.В.Андреева, С.Н.Ильченко, Ю.О.Костин, М.А.Ладугин,П.И.Лапин,А.А.Мармалюк,С.Д.Якубович,“Широкополосныесуперлюминесцентныедиодынаосновенаногетероструктурсthультратонкими активными слоями,” 9Belarusian-Russian Workshop“Semiconductor Lasers and Systems”, Minsk, Book of Papers, p. 88-91 (2013).[14] С.Н.Ильченко, Ю.О.Костин, С.Д.Якубович, “Высокоэффективныесуперлюминесцентные диоды с центральными длинами волн 1310 и1550 нм,” 9thBelarusian-Russian Workshop “Semiconductor Lasers andSystems”, Minsk, Book of Papers, p. 92-94 (2013).[15] E.V.Andreeva, A.Yu.Chamorovsky, S.N.Ilchenko, Yu.O.Kostin,P.I.Lapin, S.D.Yakubovich, “Broadband SLD sources with bell-shaped spectra forthe 800-900 nm spectral range,” Proc.
of Int. Nano-Optoelectronic WorkshopiNOW2013, Corsica, France, p. B17-B18 (2013).[16] E.V.Andreeva, S.N.Ilchenko, Yu.O.Kostin, M.A.Ladugin, P.I.Lapin,A.A.Marmalyuk, S.D.Yakubovich, “Broadband SLDs of NIR range with quasiGaussian spectra”, Proc. of 6th Int. Conf. on Advanced Optoelectronics and LasersCAOL’2013, p. 114-116 (2013).[17] E.V.Andreeva, S.N.Ilchenko, M.A.Ladugin, A.A.Lobintsov,A.A.Marmalyuk, M.V.Shramenko, S.D.Yakubovich, “Broadband SOAs of NIRrange based on nanoheterostructures,” Proc. of 6th Int. Conf.
on AdvancedOptoelectronics and Lasers CAOL’2013, p. 123-125 (2013).[18] S.N.Ilchenko, Yu.O.Kostin, S.D.Yakubovich, “Spatially single-modereliable superluminescent diodes with CW output power of up to 100 mW,”16th Int. Conf. “Laser Optics 2014”, Paper ThR3-29 (2014).[19]S.N.Ilchenko,Yu.O.Kostin,S.D.Yakubovich,“SLD-basedlight-emitting modules at 1300 nm operable in temperature range from –55 °C to+125 °C,” 16th Int. Conf. “Laser Optics 2014”, Paper ThR3-30 (2014).[20] A. Padalitsa, A.
Marmalyuk, I. Yarotskaya, P. Gorlachuk,Y. Ryaboshtan, S. Il’chenko, A. Lobintsov, S. Yakubovich, “HeterostructuresAlGaInP/GaInP grown by MOVPE for superluminescent diodes emitting at670 nm,” 17th International Conference on MVPE, Lausanne, Web-Poster-0-71(2014)..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
