Заключение диссертационного совета (1104436), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Свободные носители формируют вклад, который на 2–4 порядканиже вкладов фононной компоненты и двухфононных разностных процессов.2) Впервые обнаружено, что облучение кристалла ZnGeP2 электронами с энергией 4МэВ и дозой 1,8·1017 см-2 приводит к уменьшению действительной части диэлектрической проницаемости на 3% на терагерцовых частотах при неизменности в пределахпогрешности коэффициента поглощения.Научная новизна работы обусловлены тем, что впервые выполнено систематическое исследование механизмов дипольного поглощения электромагнитных волн терагерцового диапазона в монокристалле ZnGeP2 методами терагерцовой и ИК-спектроскопии и получены данныео влиянии однофононных и многофононных процессов, а также облучения кристалла ZnGeP2электронами высоких энергий на поглощение ТГц-излучения.Практическая значимость работы заключается в том, что результаты диссертационнойработы являются основой для расчёта параметров нелинейно-оптического кристалла ZnGeP2,необходимых при создании эффективных источников ТГц-излучения.
В частности, принципи-.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
