Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN-AlGaN-GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе (1104324), страница 5
Текст из файла (страница 5)
Бадгутдинов М.Л., Корнева Т.М., Милютин Д.В., Пасекова Л.М. ( рук-ли: ЮновичА.Э., Гутцайт Э.М. Спектры светодиодов белого свечения с высокими индексамицветопередачи.Радиотехника,электроникаиэнергетика//ТринадцатаяМеждунар.науч.-техн. конф. студентов и аспирантов: Тез. докл.- М.: МЭИ, 2007. Т.1.С.171,172.18. М.Л.Бадгутдинов, А.Э.Юнович. Спектры люминесценции и эффективность синихсветодиодов на основе p-n- гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN.
Ломоносовские чтения,секция физики, Москва, 2007, Тезисы докладов, с.55.Литература1. E.F.Schubert. Light Emitting Diodes. Second edition. – Cambridge University Press, 2006.(www.LightEmittingDiodes.org).2. А.Э.Юнович. Светодиоды как основа освещения будущего // Светотехника. – 2003.№ 3. – С. 2-7.3. Y.Narukawa, J.Narita, T.Sakamoto, K.Deguchi, T.Yamada and T.Mukai. Ultra-HighEfficiency White Light Emitting Diodes // Japanese Journal of Applied Physics. – 2006.V.
45, N 41. – P. L1084–L1086.4. C.Wetzel. Basic research needs for solid-state lighting. Report of the Basic Energy SciencesWorkshoponSolid-StateLighting.–U.S.DepartmentofEnergy,2006.(http://www.sc.doe.gov/bes/reports/files/SSL_rpt.pdf).5. Yunovich A.E., Kudryashov V.E. Energy Diagram and Recombination Mechanisms inHeterostructures InGaN/AlGaN/GaN with Quantum Wells // Phys. Stat. Solidi (b). – 2001.V. 228, N 1.
P. 141-145.6. D.E.Aspnes. Third-derivative modulation spectroscopy with low field electroreflectance //Surf. Science. – 1973. V. 37. – P. 418.21.










