Диссертация (1104148), страница 29
Текст из файла (страница 29)
– Т. 9.– В. 4. – С. 209[151] Лисицын Л.М., Формирование импульсов ОКГ с помощью двухфотонногопоглощения в GaAs // Письма в ЖЭТФ. – 1969. – Т. 9. – В. 5. – С. 282[152] Long D., Energy Bands in Semiconductors / New York: Interscience (Wiley), 1968. –212 p.[153] Данелюс Р., Пискарскас А., Сируткайтис В., Стабинис А., Ясевичюте Я.Параметрические генераторы света и пикосекундная спектроскопия / Pед.
А. Пискарскас. –Вильнюс: Мокслас, 1983. – 185 с.[154] Херман Й., Вильгельми Б., Лазеры сверхкоротких световых импульсов // М.: Мир,1986. – 368 с.[155] Арсеньев В.В., Днепровский В.С., Клышко Д.Н., Управление длительностьюимпульса лазера с помощью нелинейного поглощения в полупроводниках // Квантоваяэлектроника. – 1972. – № 7. – С. 33-37[156] Багров И.В., Жевлаков А.П., Сидоров А.И., Ограничение лазерных импульсовнано- и микросекундной длительности в компенсированном арсениде галлия // Письма вЖЭТФ. ‒ 2001.
‒ Т. 27. ‒ В. 10. ‒ С. 26-30.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
