Особенности магнитных свойств разбавленных магнитных полупроводников на основе Si, InAs, GaN и ZnO (1104120), страница 5
Текст из файла (страница 5)
126.16.Рубачева А.Д., Семисалова А.С. Магнитные и магнитооптические свойствамагнитного полупроводника GaN:Cr// Сборник тезисов XVII Международнойконференции студентов, аспирантов и молодых ученых по фундаментальным наукам«Ломоносов 2010», Секция Физика (13 апреля 2010 г., Москва) с.286-287.17.Андреева Т.М., Семисалова А.С. Влияние энергии имплантированных ионов намагнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников на основе кремния//Сборник тезисов XVIII Международной конференции студентов, аспирантов имолодых ученых по фундаментальным наукам «Ломоносов 2011», Секция Физика(12 апреля 2011 г., Москва) с. 18-19.18.Семисалова А.С.
Исследование температурной зависимости магнитных свойствРМП// Сборник тезисов XV Международной конференции студентов, аспирантов имолодых ученых по фундаментальным наукам «Ломоносов 2008», Секция Физика(10 апреля 2011 г., Москва) с. 26.1919.Orlov A.F.,Balagurov L.A.,Granovsky A.B.,Perov N.S.,Semisalova A.S.,Agafonov Yu.A.,Zinenko V.I.,Bublik V.T.,Scherbachev K.D.,Vdovin V.I.,Kartavych A.V., Saraikin V.V., Andreev B.A., Sapelkin A., Rogalev A., Smekhova A.Origin of ferromagnetism in Mn(Co)-implanted Si: Impurities or defects?// Book ofAbstracts of Moscow International Symposium on Magnetism MISM-2008 (20-25 June2008, Moscow, Russia) p. 193.20.Rocheva V.V., Rylkov V.V., Nikolaev S.N., Khaydukov E.V., Khramova O.D., Perov N.S.,Semisalova A.S., Aronzon B.A., Novodvorsky O.A., Panchenko V.Ya.
The properties ofSi1-xMnx films produced by the pulsed laser deposition method with droplet velocityseparation technique// Book of Abstracts of Moscow International Symposium onMagnetism MISM-2011 (21-25 August 2011, Moscow, Russia) p. 714.21.Kapelnitsky S.V., Drovosekov A.B., Semisalova A.S., Chuev M.A., Lomov A.A.,Perov N.S., Lesnikov V.P., Podolskii V.V. FMR study of magnetic anisotropy of high-TCMnSi films// Book of Abstracts of Moscow International Symposium on Magnetism MISM2011 (21-25 August 2011, Moscow, Russia) p.
725.22.Semisalova A.S.,Rylkov V.V.,Aronzon B.A.,Vasiliev A.L.,Nikolaev S.N.,Roddatis V.V., Granovsky A.B., Gan’shina E.A., Perov N.S., Lesnikov V.P., Podolskii V.V.Anomalous and planar Hall effects in ferromagnetic films Si1–xMnx (x ≈ 0.35)// Book ofAbstracts of Moscow International Symposium on Magnetism MISM-2011 (21-25 August2011, Moscow, Russia) p.
727.23.Рыльков В.В., Аронзон Б.А., Николаев С.Н., Тугушев В.В., Лихачев И., Пашаев Э.М.,Семисалова А.С., Перов Н.С., Грановский А.Б., Новодворский О.А., Храмова О.Д.,Хайдуков Е.В., Панченко В.Я. Высокотемпературный ферромагнетизм и аномальныйэффект Холла в неупорядоченных слоях Si1-xMnx при x ≈ 0.5// Сборник тезисов XIXУральской международной зимней школы по физике полупроводников (20-25февраля 2012 г., Новоуральск) с. 213.Список цитируемой литературы[1]Zutic I., Fabian J., Sarma S.D. Spintronics: Fundamentals and applications// Reviews of Modern Physics.–2004.–V.76.–N.2.–P.323-410.[2]Semiconductor Spintronics and Quantum Computation/ Edited by Awschalom D.D., Loss D., Samarth N.//NanoScience and Technology Series. Springer.
2002 (316 pages).[3]Koehl W.F., Wong M.H., Poblenz C., Swenson B., Mishra U.K., Speck J.S., Awschalom D.D. Current-inducedspin polarization in gallium nitride// Applied Physics Letters.–2009.–V.95.–art.072110 (3 pages).[4]Ueda K., Tabata H., Kawai T. Magnetic and electric properties of transition-metal-doped ZnO films// AppliedPhysics Letters.–2001.–V.79.–N.7.–P.988-990.[5]Chambers S.A.
Ferromagnetism in doped thin-film oxide and nitride semiconductors and dielectrics// SurfaceScience Reports.–2006.–V.61.–P.345-381.[6]Dietl T., Ohno H. Engineering magnetism in semiconductors// Materials Today.–2006.–V.9.–N.11.–P.18-26.[7]Sulpice A., Gottlieb U.., Affronte M., Laborde O. Magnetic and electronic properties of Mn4Si7// Journal ofMagnetism and Magnetic Materials.–2004.–V.272-276.–P.519-520.[8]Men’shov V.N., Tugushev V.V., Caprara S., Chulkov E.V. High-temperature ferromagnetism in Si:Mn alloys//Physical Review B – Condensed Matter and Materials Physics.–2011.–V.83.–N.3.–art.035201 (13 pages).[9]Hashimoto M., Zhou Y.K., Kanamura M., Katayama-Yoshida H., Asahi H. MBE growth and properties ofGaCrN// Journal of Crystal Growth.–2003.–V.251.–N.1-4.–P.327-330.20.