Наносенсоры на основе полевых и одноэлектронных транзисторов (1104016), страница 4
Текст из файла (страница 4)
Использование их как локальных полечувствительных зондов сдерживается на данный момент лишь отсутствиемдемонстрации работы данного устройств на их основе.Использование одноэлектронных транзисторов ограничивается их рабочей температурой, поэтому создание транзистора на отдельных атомах можетоткрыть новые перспективы перед одноэлектроникой в целом.21Список публикаций1. Крупенин В. А., Преснов Д. Е., Власенко В. С., Амитонов С.
В. Полевойтранзистор на основе кремниевого нанопровода // Радиотехника. 2009.№ 3. С. 104–107.2. Преснов Д. Е., Амитонов С. В., Крупенин В. А. Полевой транзистор сканалом-нанопроводом – основа молекулярного биосенсора // Радиотехника. 2012. № 9. С. 122–126.3. Преснов Д. Е., Амитонов С.
В., Крупенин В. А. Полевой транзистор сканалом-нанопроводом на основе кремния на изоляторе // Микроэлектроника. 2012. Т. 41, № 5. С. 364–367.4. Амитонов С. В., Преснов Д. Е., Рудаков В. И., Крупенин В. А. Полевойтранзистор с каналом-нанопроводом на основе неравномерно легированного КНИ // Микроэлектроника. 2013. Т. 42, № 3. С. 200–205.5. Преснов Д. Е., Амитонов С. В., Крупенин В.
А. Одноэлектронный транзистор из высоколегированного кремния на изоляторе. // Радиотехника.Принято к публикации.6. Амитонов С. В., Преснов Д. Е., Крупенин В. А. Кремниевый транзистор с каналом-нанопроводом из неравномерно легированного кремнияна изоляторе. // Радиотехника. 2013. № 5. С. 30–34.7. Presnov D. E., Amitonov S. V., Krutitskii P. A.
et al. A highly pH-sensitivenanowire field-effect transistor based on silicon on insulator // BeilsteinJournal of Nanotechnology. 2013. — May. Vol. 4. P. 330–335.8. Krupenin V., Presnov D., Vlasenko V., Amitonov S. Silicon nanowire fieldeffect transistor as a core element for the bio- and chemical femtomolarsensors // Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of 17thInt. Symposium - Nanostructures: Physics and Technology.
Ioffe Minsk,Belarus, 22-26 June, 2009. P. 276–277.229. Krupenin V., Presnov D., Amitonov S. et al. Nanowire transistor as highsensitive bio- and chemical sensor // Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of 18th Int. Symposium - Nanostructures: Physics and Technology.
Ioffe Institute St.Petersburg, Russia, 21-26 June, 2010. P. 363–364.10. Крупенин В. А., Преснов Д. Е., Амитонов С. В. et al. Транзисторскремниевымнанопроводомвкачествевысокочувствительногохимического и биосенсора // Тезисы III Евразийского конгресса помедицинской физике и инженерии «Медицинская физика – 2010». Vol. 3.2010. P. 257–259.11. Крупенин В. А., Преснов Д. Е., Амитонов С. В., Ушакова Ю. С.Зарядовый сенсор на основе кремниевого нанопровода // ТезисыЧетвертой международной конференции "Современные достижениябионаноскопии".
2010. P. 38.12. Преснов Д. Е., Крупенин В. А., Амитонов С. В. et al. Биосенсор на основекремниевого нанопровода // Тезисы III Международной конференции"ОбъединенныйДальневосточныйнаучно-исследовательскийцентрДВФУ и ДВО РАН - ведущий научный интегратор внедренияинновационныхметодовисследованийвбиотехнологияхинанотехнологиях. 2010.13. Krupenin V., Presnov D., Amitonov S. Suspended silicon nanowire transistoras high sensitive charge sensor // Abstracts of Int.
Symposium - Nano andGiga Challenges in Electronics, Photonics and Renewable Energy. Moscow- Zelenograd, Russia, 12-16 September, 2011. P. 32.14. Крупенин В. А., Преснов Д. Е., Курочкин И. Н. et al. Зарядовый сенсорна основе подвешенного кремниевого нанопровода // Тезисы Пятоймеждународной конференции "Современные достижения бионаноскопии".2011. P. 9–10.2315. КрупенинВ.А.,ПресновД.Е.,АмитоновС.В.etal.Высокочувствительный биосенсор на основе подвешенного кремниевогонанопровода // Сборник трудов научно-практической конференции«Фундаментальные и прикладные аспекты инновационных проектовФизического факультета МГУ».
2011.16. Krupenin V., Presnov D., Amitonov S. et al. Silicon single-electron transistor with suspended island // Abstr. of The Seventh General Meeting ofACCMS-VO (Asian Consortium on Computational Material Science - Virtual Organisation). IMR, Tohoku University, Sendai and Matsushima, Japan,23-25 November, 2012. P. PS–33.17. Amitonov S., Presnov D., Rudenko K. et al. Silicon nanowire field effecttransistor with highly doped leads // International Conference <<Microand Nanoelectronics - 2012>>. Abstr. Book. Moscow-Zvenigorod, Russia,1-5 October, 2012.
P. O3–02.18. Soloviev I., Devyatov I., Krutitskiy P. et al. Experimental and theoreticalstudy of nanowire FET based on SOI // International Conference <<Microand Nanoelectronics - 2012>>. Abstr. Book. Moscow-Zvenigorod, Russia,1-5 October, 2012. P. P1–41.19. Krupenin V., Presnov D., Amitonov S., Nejo H. Suspended silicon nanowiretransistor high sensitive charge sensor // Abstr. of The Sixth General Meeting of ACCMS-VO (Asian Consortium on Computational Material Science- Virtual Organisation). IMR, Tohoku University, Sendai and Matsushima ,Japan, 10-12 February, 2012.
P. PS–9.20. Krupenin V., Presnov D., Amitonov S. et al. Suspended silicon single-electron transistor // International Conference <<Micro- and Nanoelectronics- 2012>>. Abstr. Book. Moscow-Zvenigorod, Russia, 1-5 October, 2012.P. P1–39.Подписано в печать 26.08.2013 г.Усл.п.л. – 1,25. Тираж 125 экз..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
