Автореферат (1103923), страница 3
Текст из файла (страница 3)
При распылении атомов (ионов) квантовые эффекты проявляются при энергиях не выше 10-2 эВ, поэтому наблюдать их весьма сложно.3. На основе приближения многочастичного динамического модели взаимодействия атомов в монокристалле использовалась модель, позволяющаяразделить вклад основных характеристик мишени – массы и энергии связиатомов, в селективное распыление. В качестве примера рассмотрено распыление через тыльную поверхность ультратонкой пленки VSi2. Получены следующие результаты: Определена тенденция изменений в распылении атомов компонентназад и на прострел при изменении степени упорядоченности в расположении атомов мишени кристалла VSi2.
При разупорядоченииструктуры тонкой пленки VSi2, меняется характер преимущественного распыления компонент тыльной поверхности мишени. Примоделировании бомбардировки монокристаллической пленки ионами Ne+ с энергией 10 кэВ, наблюдалось преимущественное распыление атомов легкой компоненты, из квазиаморфной мишени –атомов тяжелой компоненты. Проведено детальное сравнение характеристик распыления тыльной поверхности ультратонких монокристаллических пленок дисилицида ванадия VSi2 и виртуальных кристаллов чистых ванадия и12кремния (с кристаллической структурой VSi2). Для всех трех образцов наблюдается, как правило, преимущественное распыление атомов тыльной поверхности из ванадиевых узлов кристаллическойрешетки.ПубликацииВ.Н. Самойлов, В.А.
Эльтеков, Б. Фритч, Н.Г. Ананьева. Моделирование распыления атомов компонент назад и на прострел приионной бомбардировке монокристаллической и квазиаморфноймишени. // Вестн. Моск. Ун-та. Сер.3. Физ., астр. 1987. Т. 28. № 6.С. 65-69.Н.Г. Ананьева, А.Н. Матвеев, В.Н.
Самойлов. Об изменении эмиссииатомов с поверхности монокристалла никеля при магнитном фазовом переходе. // Вестн. Моск. Ун-та. Сер.3. Физ., астр. 1989. Т. 30.№ 6. С. 63-68.Н.Г. Ананьева, В.А. Эльтеков. Осцилляции коэффициента отраженияионных и электронных потоков за счет поверхностного потенциального поля. // Поверхность. 2001. № 5. С. 33-35.V.N. Samoylov, N.G. Ananieva, V.A. Eltekov. On the shape of potentialbarrier at the surface of single crystal. // Abstracts of 12th Int.
Conf. onAtomic Collisions in Solids. Okayama, Japan, 1987. P.13.Н.Г. Ананьева, А.Н. Матвеев, В.Н. Самойлов. Изменении эмиссииатомов с поверхности монокристалла никеля при магнитном фазовом переходе. // Тезисы докл. Всесоюз. совещания-семинара “Диагностика поверхности ионными пучками”. Донецк, 1988. С. 102103.В.Н. Самойлов, Н.Г. Ананьева.
Размерные эффекты при бомбардировке тонких двухкомпонентных монокристаллических пленок. //Тезисы докл. 28-го семинара “Моделирование на ЭВМ процессоврадиационных и других дефектов в кристалле”. Ташкент. 1988. C.16-17.О.С. Корсакова, Н.Г. Ананьева, В.Н. Самойлов. Исследование эмиссии атомов в реальном поле отталкивания-притяжения у поверхности кристалла. // Материалы 11-й конф. “Взаимодействиеионов с поверхностью”. Москва, 1993.
Т. 1. С. 128-130.Н.Г. Ананьева, О.С. Корсакова. Формирование пятен Венера в поверхностном поле монокристаллов f-Ni и p-Ni. // Материалы 11-йконф. “Взаимодействие ионов с поверхностью”. Москва, 1993. Т.1. С. 131-133.V.N. Samoylov, N.G. Ananieva. The single-crystallinity effect in preferential sputtering of two-component ultrathin films under ion beamprocessing: molecular dynamics computer simulation study. // Ab-13stracts of Materials Research Society 1995 Spring Meeting.
San Francisco, Ca., USA, 1995. P. P7.22.Н.Г. Ананьева, В.А. Эльтеков. Осцилляции коэффициента отраженияионных и электронных потоков за счет поверхностного потенциального поля. // Тезисы докл. 30-й Межд. конф. “Физика взаимодействий заряженных частиц с кристаллами”. Москва, 2000. С. 39.Н.Г. Ананьева, В.Н. Самойлов. Моделирование распыления на прострел ультратонких двухкомпонентных монокристаллическихпленок. Препринт. М.: физ.
ф-т МГУ. 2004. № 17 /2004. 15 с..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
