Диссертация (1103230), страница 18
Текст из файла (страница 18)
К волноводной секции с согласующей структурой подключался, через плавный волноводный переход, волновод сечением 23х10 мм2 . Весь волноводный трактвозбуждался штыревой антенной.При моделировании амплитуда падающего сигнала () задавалась согласно следующей формуле: () = )︁(︁ − 2·− 01· (),(3.26)здесь —натуральное число, 1 —масштабный множитель, определяющий длительность импульса, 0 —задает положение центра импульса на временной шкале, —нормированнаякруговая частота.На рисунке 3.5 представлены результаты численного моделирования процесса нестационарного отражения от описанной выше волноводной структуры, для импульса с супергауссовой огибающей. Результаты были получены для значений = 6; 0 = 75, 1 = 50.2U(t)10.510-2002040t, нс6080100Рисунок 3.5 — Огибающие отраженного и падающего импульсов; 1 —отраженный сигнал,2 —падающий сигналИз представленных на рисунке 3.5 результатов численного моделирования видно, чтопри отражении сигнала от рассматриваемой волноводной структуры образуются два коротких импульса в области переднего и заднего фронтов.
Сравнивая результаты, полученныедля системы без дисперсии [17, 22, 25], с результатами на рисунке 3.5, видим, что расположение этих импульсов зеркально. Еще одной важной особенностью по сравнению с системамибез дисперсии является бо́льшая интенсивность отраженных сигналов.853.3Экспериментальное исследование процесса нестационарногоотражения в условиях сильной волноводной дисперсииДля апробации полученных теоретических результатов было проведено экспериментальное исследование процесса нестационарного отражения электромагнитного импульса отсогласованной с волноводом высокоотражающей нагрузки.
Был выполнен анализ зависимости коэффициента отражения от высокоотражающей нагрузки (без согласующего слоя и сослоем) от частоты. В качестве материала для изготовления согласующего слоя был выбрантефлон. Тефлон имеет малые потери в СВЧ-диапазоне. Тангенс угла потерь для тефлонав данном диапазоне частот меньше 10−3 [106, 108]. Высокоотражающая нагрузка была изготовлена из графита, что было обусловлено его высокой проводимостью [106]. Нагрузка былавыполнена в виде параллелепипеда размерами 16x8x12 мм3 , грани которого были дополнительно отполированы.Измерительный стенд (рисунок 3.6) состоял из векторного анализатора цепей ZVB-20,к которому коаксиальным кабелем через коаксиально-волноводный переход подключалсяволновод сечением 23х10 мм2 . К волноводу сечением 23х10 мм2 через плавный волноводныйпереход подключался волновод сечением 16х8 мм2 , в который и устанавливалась высокоотажающая нагрузка и согласующий слой.Рисунок 3.6 — Структура экспериментальной установкиПрименение волноводов разного сечения было продиктовано необходимостью снизитьвлияния эффектов, связанных с возбуждением волновода на частотах, близких к критическим.
Рабочий диапазон частот используемого КВП составлял от 8.15 ГГц до 12.05 ГГц, ачастоты, на которых проводились измерения — от 8.5 ГГц до 12 ГГц. Измерительный стендпозволял получать зависимость комплексного коэффициента отражения от частоты.Применение метода стробирования измеряемого в эксперименте сигнала (подробнее см.пункт 2.3.3) оказалось невозможным из-за работы в области сильной волноводной дисперсии,так как в случае сильной волноводной дисперсии возрастает длина волны сигнала распро86страняющегося внутри волновода, и выделить полезный сигнал на фоне паразитных переотражений становится невозможно.Для частичного подавления паразитных переотражений в волноводный тракт был введен аттенюатор с малым коэффициентом ослабления ≈ 1.5 дБ (рисунок 3.6).
Применениеаттенюатора позволило существенно повысить точность получаемых значений амплитуды коэффициента отражения от согласованной высокоотражающей нагрузки, при этом затруднивизмерение его фазы.3.3.1 Измерения спектральных характеристик согласованнойвысокоотражающей нагрузкиЭксперимент приводился в два этапа. На первом этапе измерялся коэффициент отражения от высокоотражающей нагрузки и рассчитывалась ее эффективная проводимость, атакже измерялась критическая частота волновода. Полученные данные использовались длярасчета толщины согласующего слоя.
На втором этапе, опираясь на результаты расчета, изготавливалась серия диэлектрических слоев. Далее проводились измерения коэффициентаотражения от согласованной системы для слоев различной толщины. Таким образом, экспериментально подбиралась оптимальная толщина согласующего слоя.Результаты, полученные на первом этапе показали, что эффективная проводимость нагрузки ∼= 130 [Ом·м ]−1 , критическая частота = 9.339 ГГц. Для данной проводимостии известной критической частоты при помощи системы уравнений (3.17), была рассчитанатолщина согласующего слоя, которая составила = 7.715 мм.
При измерении коэффициента отражения от системы с согласующим слоем минимальный коэффициент отражениябыл получен для частоты = 9.383 ГГц и толщины слоя 8 мм, что хорошо согласуется стеоретически рассчитанными значениями.На рисунке 3.7 представлены результаты измерения зависимости коэффициента отражения от частоты для согласованной высокотражающей нагрузки и результат численногомоделирования.87Рисунок 3.7 — Зависимость коэффициента отражения от частоты для согласованной нагрузки (1 – расчет методом импедансных характеристик; 2 – экспериментально измеренныйкоэффициент отражения от согласованной высокоотражающей нагрузки; 3 – экспериментально измеренный коэффициент отражения от высокоотражающей нагрузки без согласующегослоя)Как видно из рисунка 3.7, результаты теоретического расчета хорошо согласуются сданными полученными в эксперименте.
Рассмотренный метод согласования высокоотражающих нагрузок с волноведущей линией представляет собой простую, компактную и легкореализуемую МИС. Предложенная согласующая структура имеет существенное преимущество перед другими типами МИС: выбор материала для четвертьволнового диэлектрическогослоя ограничивается практически лишь единственным требованием <1.Конечно, приэтом потери в слое, как и при любом другом методе, должны быть минимальны.3.3.2 Измерения импульсных характеристик согласованнойвысокоотражающей нагрузкиДля экспериментального исследования влияния сильной волноводной дисперсии напроцесс нестационарного отражения электромагнитного импульса от согласованной с волноводом высокоотражающей нагрузки использовался экспериментальный стенд описанный впункте 3.3.1. При проведении измерений аттенюатор, установленный между КВП и волноводной секцией с согласующей структурой, удалялся. В эксперименте измерялся комплексныйкоэффициент отражения от согласованной высокоотражающей нагрузки ().
Полученныеданные обрабатывались согласно методике, описанной в пункте 2.3.4 главы 2.88В процессе эксперимента на слой падал электромагнитный импульс с супергауссовойогибающей. Длительность падающего импульса изменялась от 50 нс до 250 нс. Центральная частота импульса совпадала с частотой оптимального согласования высокоотражающейнагрузки с волноводом = 9.339 ГГц. На рисунке 3.8 представлены результаты теоретического моделирования и полученные в эксперименте огибающие отраженных импульсов, атакже показана огибающая падающего сигнала, уменьшенная по оси в четыре раза длянаглядности.0.6ТеорияЭкспериментПадающий сигнал0.50.510.40.413U(t)U(t)ТеорияЭкспериментПадающий сигнал0.330.30.20.220-50050100t, нс20.10.11502000-50-25а)025t, нс5075100б)Рисунок 3.8 — Амплитуды огибающих отраженных сигналов от согласованной всокоотражающей нагрузки; а) длительность падающего импульса 150 нс.; б) длительность падающегоимпульса 50 нс.(1 —теоретически рассчитанный отраженный сигнал; 2 —экспериментальноизмеренный отраженный сигнал; 3 —падающий импульс )Как видно из рисунка 3.8, результаты теоретического расчета хорошо согласуются сэкспериментальными данными.
Видно, что при уменьшении длительности падающего импульса, «искажение» отраженного импульса увеличивается, что можно объяснить влияниемсильной волноводной дисперсии. Как и в случае нестационарного отражения от систем бездисперсии, [17, 22, 25] при отражении сигнала от рассмотренной структуры образуются дваимпульса в области переднего и заднего фронтов. Сравнивая полученные экспериментальныерезультаты с результатами для системы без дисперсии [17, 22, 25], видим, что длительностьэтих импульсов существенно выросла.
Существует момент времени, когда амплитуда отраженного сигнала стремится к нулю, однако он наступает при отражении переднего фронта,а не заднего, как в случае отсутствия дисперсии, рассмотренном в главе 2. Еще одной важной особенностью по сравнению с системами без дисперсии является высокая интенсивностьотраженных сигналов. Из рисунка 3.8 видно, что максимальная амплитуда импульсов, сформированных в процессе нестационарного отражения, достигает величины 50% от амплитудыпадающего сигнала.
Напомним, что максимальное значение амплитуды отраженного сигнала, полученное в главе 2, не превышало 15% от амплитуды падающего импульса. Большаяинтенсивность отраженного сигнала указывает на перспективность использования сильнойволноводной дисперсии для усиления явления нестационарного отражения.893.4Выводы к третьей главеРассмотренный способ согласования высокоотражающих нагрузок с волноведущей линией представляет собой простую, компактную систему, имеющую, кроме того, еще одновесьма существенное преимущество: выбор материала для четвертьволнового диэлектрического слоя ограничивается практически лишь единственным требованием <1(потерив слое, разумеется, как и в любом другом методе, должны быть минимальны).
Таким образом, проведенные исследования продемонстрировали принципиальную возможность обеспечить практически полное поглощение волновой энергии в сильноотражающей нагрузке,используя интерференционные явления в слоистых структурах и дисперсионные свойстваволноведущей линии. Полученные результаты позволяют синтезировать однослойные согласующие структуры с заданными характеристиками при решении конкретных прикладныхзадач в радиофизике СВЧ.Проведенные численные и экспериментальные исследования показали, что, как и в случае нестационарного отражения амплитудно-модулированных сигналов для многослойныхструктур без учета дисперсии [17, 22, 25], при отражении амплитудно-модулированного сигнала в области постоянной амплитуды падающего сигнала наблюдается практически полноепоглощение волновой энергии в высокоотражающей нагрузке.
В областях изменяющейся амплитуды падающего сигнала (область фронтов) в отклике формируются короткие импульсы,длительность которых соответствует длительности фронтов. В отличие от случая систем бездисперсии импульсы отраженного сигнала, сформированные в момент отражения фронтовпадающего сигнала, имеют различную амплитуду для переднего и заднего фронтов. Амплитуда первого импульса всегда меньше амплитуды импульса, сформированного заднимфронтом, и их огибающая имеет более сложную форму.Таким образом, при синтезе многослойных структур в системах с сильной волноводнойдисперсией, особенно работающих с импульсными сигналами малой длительности, необходимо обращать особое внимание на дисперсионные явления.
Результаты, полученные длясистем без дисперсии [17, 22, 25], как показали проведенные исследования, могут быть применены только частично.90Глава 4. Исследование процесса нестационарногоотражения в многослойных интерференционныхфильтрах.В главах 2 и 3 были проведены теоретические и экспериментальные исследования явления нестационарного отражения от однослойных структур.















