Информация о ведущей организации и оппонентах (1103136)
Текст из файла
1. Официальный оппонент: Кравченко Виктор Филиппович, доктор физикоматематических наук, профессор, главный научный сотрудник Институтарадиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН, 107207. Москва, улицаМоховая, дом 11e-mail: kfv-ok@mail.ruТел.: +7 (903) 788-33-86Докторская диссертация защищена по специальности: 01.04.03 - радиофизикаСписок публикаций:1. Кравченко В. Ф., Басараб М. А. Булева алгебра и методы аппроксимации вкраевых задачах электродинамики.
Под ред. В.Ф.Кравченко — М.: Физматлит,2004.2. Зелкин Е. Г., Кравченко В. Ф., Гусевский В. И. Конструктивные методыаппроксимации в теории антенн. — М.: Сайнс-Пресс, 2005.3. Кравченко В.Ф., Сиренко Ю.К., Сиренко К.Ю. Преобразование и излучениеэлектромагнитныхволноткрытымирезонанснымиструктурами.Моделирование и анализ переходных и установившихся процессов. М.:Физматлит, 2011.4.Кравченко В.Ф. Лекции по теории атомарных функций и некоторым ихприложениям. М.: Радиотехника.
2003.-512 с.5.Кравченко В.Ф., Рвачев В.Л. Алгебра логики, атомарные функции и вейвлетыв физических приложениях. М.: Физматлит, 2006.-416 с.6.Кравченко В.Ф., Лабунько О.С., Лерер А.М., Синявский Г.П. Вычислительныеметоды в современной радиофизике. М.: Физматлит, 2009-464 с.7.Зелкин Е.Г., Кравченко В.Ф., Гусевскифй В.И.
Конструктивные методы втеории антенн. М.: Сайне-Пресс, 2005. – 512 с.8.Кравченко В.Ф., Масюк В.М. Новый класс фрактальных функций в задачаханализа и синтеза антенн // Антенны.-2002.-№ 10(65).-С. 512.9.Гуляев Ю.В., Кравченко В.Ф., Пустовойт В.И.
Новый класс WA-системфункций Кравченко-Рвачева // ДАН РАН.-2007.-Т. 413, №3.-С. 320-327.10. Волосюк В.К.. Кравченко В.Ф.. Павликов В.В. Весовые функции КравченкоРвачева в задачах построения радиолокационных изображенийсинтезировании апертуры антенн // Антенны.-2008.- Вып. 2.-С.
48-60.при11. Кравченко В.Ф., Кураев А.А., Т.Л.Попкова, А.К.Синицын. Оптимизация поКПД релятивистской ЛБВ-О с использованием атомарных функций //Зарубежная радиоэлектроника. Успехи современной радиоэлектроники.-2000.№ 10.-С. 58-71.12. Зеленский А.А., Кравченко В.Ф., Павликов В.В., Тоцкий А.В. Биспектральныйанализ в задачах обработки сигналов // Физические основы приборостроения.2003.-Т.2.-№3.-С.4-38.13. Кравченко В.Ф., Процах Л.П., Кравченко П.А., Ткач М.Д.
Математическиеособенности синтеза плоских эквидистатных антенных решеток по заданнойамплитудной диаграмме направленности // Антенны.-2010.-№3.- С. 34-48.14. Андрийчук М.И., Кравченко В.Ф., Савченко П.А., Ткач М.Д. Синтез плоскихизлучающих систем по заданной энергетической диаграмме направленности //Физические основы приборостроения.-2003.-Т.2.-№ 3. - С.
40-54.2. Официальный оппонент: Апельцин Виктор Филиппович, кандидат физикоматематических наук, доцент, 105005. ФГБОУ ВО «Московский государственныйтехнический университет имени Николая Эрнестовича Баумана». 105005. Москва2-я Бауманская улица, дом 5, строение 1.e-mail: vapeltsin@hotmail.comТел.: +7(985) 9059623Кандидатскаядиссертациязащищенапоспециальности:01.01.02дифференциальные и интегральные уравнения математической физикиCписок публикаций:1.
Aпельцин В.Ф. О методе неортогональных рядов во внешних задачах теорииустановившихся колебаний, ДАН СССР, Т. 260, №5, 1981, стр. 310-3132. Aпельцин В.Ф. Обобщенный метод изображений в статических краевых задачахдля областей с аналитическими границами, ЖВМиМФ, Т. 29, № 4, 1989, c. 5075203. Aпельцин В.Ф.
, Кюркчан А.Г., Суков А.И. О роли особенностей аналитическогопродолжения рассеянного поля в методе вспомогательных источников, ИзвестияВУЗов, сер. "Радиофизика", Т. 32, № 8, 1989, с. 1042-10464. Aпельцин В.Ф. О токовом синтезе на минимальном множестве в обратной задачетеории антенн, Радиотехника и электроника, Т. XXXVI, No 4, 1991, с. 810-813–5. Aпельцин В.Ф. Высокочастотный асимптотический проекционный методисследования задачи возбуждения тонкого диэлектрического покрытия идеальнопроводящего цилиндра, Радиотехника и электроника, Т.
XXXХII, № 5 1997, C.517-5296. Aпельцин В.Ф. Высокочастотный асимптотический проекционный методрешения плоских задач рассеяния поля точечного источника на идеальнопроводящем гладком теле, Радиотехника и электроника, Т. XXXХIV, № 1 1999, с.37-517. Aпельцин В.Ф. Высокочастотное возбуждение тонкого диэлектрическогопокрытия гладкого металлического цилиндра Е-поляризованным полем точечногоисточника, Электромагнитные волны и электронные системы, т. V, № 1, 2000, с.4-178.Non-local singularities as the point source images in the generalized method ofD.A.
Grave for solving wave-scattering problems, IEEE-AP, Vol. 43, No 6, December2001, pp. 63-699. Aпельцин В.Ф. Ослабление радиовидимости металлического объектадиэлектрическим покрытием, учитывающим возможность двухпозиционногозондирования, Электромагнитные волны и электронные системы, т. 17, № 3, 2012,Стр. 27-3510. . Aпельцин В.Ф. Об оптическом эффекте малого смещения наблюдаемогоположения источника излучения полученного математическим моделированиемзадачи высокочастотного рассеяния и подтверждаемого простым экспериментом,Вестник МГТУ им.
Н.Э. Баумана, Сер. Естественные науки. Спец. выпуск«Математическое моделирование», №3, 2012, Стр. 47-5411. Aпельцин В.Ф., Богданов И.А., Волкова И.А. Приближенный численныйрасчет диаграммы направленности поля рассеянного металлическим телом наоснове регуляризованного метода вспомогательных токов, Вестник МГТУ им.Н.Э. Баумана, Сер. Естественные науки. Спец. выпуск «Математическоемоделирование», №3, 2012, Стр. 65-7512.
Aпельцин В.Ф., Полетаев А.И. О влиянии металлических экранов на полевекторного потенциала , «Наука и инновации», №9, 2013,13. Aпельцин В.Ф., Мозжорина Т.Ю. Одномерный фотонный кристалл какотражающая или волноведущая диэлектрическая структура,«Наука и инновации»,№9, 201314. Aпельцин В.Ф., Мозжорина Т.Ю. Свойства одномерногофотонногокристалла как отражающей или волноведущей структуры в случае Нполяризованного возбуждения, “Математическое моделирование и численныеметоды,No 2, 2014c. 3-2715. Апельцин В.Ф. О сдвиге границ света и тени при высокочастотномоблучении металлического тела, покрытого тонким слоем диэлектрика // ВестникМГТУ, сер.
Естественные науки, No 5 (62), 2015, с. 38-50.Ведущая организация: Учреждение Российской Академии Наук Институт прикладнойматематики имени Мстислава Всеволодовича Келдыша Российской Академии Наук.125047. г. Москва, Миусская площадь, дом 4.Телефон: +7 (499) 9781314Факс: +7 (499) 9720737e-mail: office@keldysh.ru..
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.









