отзыв вед орг_бп (1102979), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Описывается реализованная метолика получения атомарно глалкой по~ерхности золовкой пленки (0.2 пм на площадях с размерами до 50 - 100 нм) на поверхности слюды, пригодная для изучения механизмов закрепления наночастиц на поверхности золотых пленок„приведено описание разработанных методик размещения и закрепления наночастиц золота В созданные узкие (менее 5 нм) нанозазоры между тонкопленочными золотыми наноэлектродами, представлено сравнение различных разработанных методик осаждения наночастиц на поверхность золотых электродов и обоснован выбор рабочей методики.
В питой главе исследуется транспорт электронов как через пустые (без частиц) предельно малые зазоры (2 — 3 нм) в планарных наноэлектролах, так н через туннельные системы на основе золотьгх наночастиц, помещенных в такие нанозазоры. Приведено описание созданной измерительной установки для исследования электрических характеристик высокоомных туниельных наноструктур молекулярного масапаба и характерные электрические характеристнки полученных нанозазоров с размером менее 5 нм. Приведен также йнализ экспериментальных данных при помощи модели Снммонсй н показйно совпадение теоретически полученных параметров нанозазоров с геометрией нанозазоров, наблюдаемой в РЭМ. В результате проведенного анализа измеренных вольтамперных характеристик по методу Фаулера-Нордгейма определены режимы туннелирования электронов через зазор, значения работы выхода с поверхности золотой пленки.
Приведены также характеристики транспорга электронов через созданные наносистемы: нанозйзоры между электродами н закрепленные в них наночастицы. Продемонстрировано наблюдение эффекта коррелированного туннелирования электронов в созданных наноснстемах на основе одиночных наночастиц при комнатной температуре. В заключении представлены полученные результаты и выводы диссертационной работы, П блина имия чи 1х ез льтйтов Результаты диссертационной работы полностью представлены в 9 публикациях, включая 3 статьи в рецензируемых журналах, 3 публикации в рецензируемых трудах конференпнй, тезисы докладов на 3 международных конференциях. В днссертапии автор постоянно называет исследованную структуру транзистором, хотя ни одной транзисторной вольгамперной характеристики не бьшо получено. В диссертации неправомерно используется термин «ко-туннелнрование», который означает одновременное вхождение ОднОГО электрона иа частицу' через Один кОнтакт н выход другого электрона через другой контакт в условиях кулоновской блокады, Ссылка на то, что существенное изменение работы выхода из металла обусловлено формой заострения, выглядит сомнительной.
Форма заострения учитывается в величине поля «т.н. «геометрический фактор усиления поля»). Наблюдаемый эффект нуждается в более тщательном исследовании, Заключение Диссертация Степанова А.С. "Исследование электронного транспорта в планарных наноструктурах молекулярного масштаба" представляет собой законченную научноисследовательскую работу по современной и актуальной тематике. Материалы диссертаций могут быль использованы, прежде всего, в организациях, занймающйхся йсследоваййямй в областй йайозлектроййкй, йайотехйологйй й прецизионной изыернтелы!о11 техники, таких, как Институт физики твердого.
тела РАН, Фззз!зко-технический институт им, А,Ф.Иоффе РАН, Физический институт им. П.Н,Лебедева РАН, Институт физики микростру!чур РАН„Инстг!тут радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Институт физических проблем им. П.Л. Капицы, Институт общей физики им, А.М.
Прохорова, НИИ физических проблем им. Ф.В. Лукина, Институт огтгнки и спектроскопии РАН, Московский ййститут радйотсхнйкй, электроййкй й автомагнкй. Московский йнстнтут з!!ектронной технйкй «технический университет), РНЦ Курчатовски!з йнстнтуг и других научных центрах, зайимаюп!ихся исследованиями по данной проблеме. Автореферат полностью й правйлызо отражает содержаййе дйссергацнй.
Основные материалы опубликованы в ведущих отечественнъ|х и зарубежных журналах и докладывались на международных и российских научных конференциях. Оценивая диссертацию в целом, можно утверждать, что по объему полученных результатов, достоверности, научной и практпческой значимости выводов она удовлетворяет всем требованиям ВАК„ предъявляемых к кандидатским диссертациям, а ее автор - Степанов Антон Сергеевич, является сложившимся высококвщ!Ифицировщппям сне!!игн!истом в области создания наносйстем молекулярного масштаба, экспериментального исследования их свойств и электронного транспорта в таких системах. и, безусловно, заслуживает присуждения ученой степени кандидата физико-математических наук по специалыюстям 01.04.04 — физическая электроника и 01,04,01- п1эйборы й методы эксг!еримепта!п.н!эй фнзйкй.
Результаты диссертационной работы были представлены на научном семинаре Физико- технологического института РАН кПерспективные технологии и устройства мйкро- и нанозлектроникй» 24 апреля 2014 года, Отзыв йа диссертацию рассмотрен и одобрен на заседанйи Ученого совета, протокол № 2-14 от 29 апреля 2014г. Вьюрков Владимир Владимирович к.ф.-м.н., в,н,с.
ФТИАН, 117213, г. Москва, Нахимовский просп., 34 Тел.: +7 «499) 129-55-03 е-!па!1: купгКО~Ей! а!!.Гп .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
