Заключение организации, где выполнялась диссертация (1102975)
Текст из файла
ЗАКЛЮЧЕНИЕ Национальный исследовательский центр наименование организации, в которой выполнена диссертация «Курчатовский институт» или к которой был прикреплен соискапнть Диссертация "Исследование элек онного т ансис та в плана ных нанос к ах название ссерпнщии молек ля ного масштаба" Центре фундаментальньзх исследований выполнена в нанменование учебного или научною структурного подразделения, НИЦ «Курчатовский институт» ~ттю з т наименование рг ац ри ость В период подготовки диссертации соискатель Степанов Антон Се геевич илия, зызя, отчество — при наличии работал в ент е ндаментальных исследований ФИ наименоюние организации ии, ве мственная прина ежность в должности В 2009 г.
окончил изический факультет МГУ им, М.В. Ломоносова по наименование о разовательногоучре: ния выаиегозцт ессионального о разовские специальности изнка наименование специальности Удостоверение о сдаче кандидатских экзаменов выдано в 2012 г. НИ «К чатовский инсти т» наименование организации Научные руководители: — доктор физико-математических отрасль науки наук, и о ессо Синги ее Олег Васильевич илия, имп, озпчество — при наличии работает ст. н. сотр.
в ЦФИ НИЦ «Курчатовский институт» наименование организацнн, ве омственная прина ежность — кандидат физико-математических отрасль науки Со атов Евгений Се геевич наук, илие, имл, отнество — нри наличии р~ зз.ллн, ф ф з ~ мгз .м.в.л наииенотзние организации, ве мственнал ирина еасность По результатам рассмотрения диссертации 'Исследование электронного транспорта в планарных наноструктурах молекулярного масштаба" название иссертации принято следующее заключение: Данная работа посвящена разработке н экспериментальному исследованию лабораторных макетов планарных туннельных нанотранзисторов на основе одиночных наночастиц.
Малость размеров использованных наночастиц (2 - 3 нм) позволила наблюдать одноэлектронный режим работы нанотранзисторов при комнатной температуре. Полученный результат весьма актуален, поскольку именно на эффекте коррелированного (одноэлектронного) туннелирования возможно создание принципиально новых устройств наноэлектроники. Поиск крупными компаниями основ для создания пост-КМОП электронных элементов порождает высокий интерес к исследованию электронного транспорта в наносистемах молекулярного масштаба, в частности, в системах на основе одиночных молекул или наночастиц. Поиск и разработка методов создания и исследования подобных систем как никогда актуальны на сегодняшний день.
Основные ез льта ы иссе та ионной аботы: 1, Разработана лаборагорная методика получения многослойной (4 слоя) интегрированной системы планарных тонкопленочных (до 15 нм) наноэлектродов с характерным размером 50 нм с предельно малыми зазорами (менее 5 нм) между ними.
Данная методика позволяет создавать интерфейсы к одиночным молекулам или наночастицам и строить на их основе элементарные цифровые наноустройства. 2. Разработана и создана экспериментальная установка позволяющая обеспечивать контроль над процессом разрыва тонкопленочных нанопроводов в ходе электромиграции за счет малого времени обратной связи (20 мкс) и проводить измерения с высокой чувствительностью (ток до 100 фА) для исследования электронного транспорта через сверхвысокомные наноструктуры на основе одиночных молекул или наночастиц.
3. Предложена и разработана прецизионная методика и определен диапазон параметров для управляемого проведения электромиграции в нано проводах, что позволило обеспечить контролируемое серийное формирование малых (менее 5 нм) зазоров с выходом годных более 75 '.4, пригодное для статистического анализа полученных результатов. Показано ступенчатое изменение проводимости (разрушение одиночных квантовых каналов) пленки на последнем этапе проведения процесса электро миграции. 4.
Предложен способ иммобилизации малых (2 - 3 нм) наночастиц золота в нанозазор (3 - 5 нм), позволяющий получать наноструктуры молекулярного масштаба (например, нанотранзисторы) с выходом годных образцов более 50'Ь, При этом для обеспечения возможности наблюдения наночастиц была разработана технология и определены параметры получения атомарно гладких поверхностей (с шероховатостью 0.2 нм на площадях с размерами до 50 - 100 нм) золотых пленок. 5.
Экспериментально исследован транспорт электронов через разнообразные системы на основе наночастиц, в том числе через цепочки наночастиц и одиночные наночастицы. Исследованы транспортные характеристики полученной наноструктуры молекулярного масштаба: наноэлектрод-наночастица золота (2 - 3 нм) - наноэлектрод. Показано, что в такой структуре при комнатной (300 К) температуре наблюдается коррелированный транспорт электронов. Результаты диссертационной работы представлены в 9 публикациях, включая 3 статьи в рецензируемых журналах: 1.
Бгерапст АЗ., БоИагот Е.Б., Бп(8!гет О.У., "1тр!ешеп(аг!оп оГ то!есц!аг ггапз(згог е!ес1годез Ьу е!есггош18гагюп", !. 8црегсопд !9от Майл, 2011, чо1. 24, пап. 1-2, Р.1087-1093. 2. Солдатов Е.С., Силков И.В., Степанов А.С., "Методы создания и исследования мономолекулярных транзисторов", Радиоэлектроника, Наиосистемы. Информационные технологии, 2011, том 3, номер 2, с.38-58 3.
С. А Дагесян, Е. С. Солдатов, А. С. Степанов, "Изготовление предельно малых зазоров в металлических нанопроводах н исследование их характеристик", Известия РАН. Серия физическая, 2014, том 78, номер 2, с.211-215; 3 публикации в рецензируемых трудах конференций: 4. Ки~нго«А. Ь!., Яо!да!о«Е. Я. апг( Бгерапоч А. $., "Сгеа1юп о( папоше1ег дарк Ьеп«ееп 1Ь!и-В1ш шега1 е!ее!годе« Ьу гйе тегЬоб оГ е1ес1гош1дга11оп", Ргос.
ЯР1Е, 2008, «о1, 7025, р.70250О-1-70250О-10 5. $1ерапоч А. Я., Яо!да!о«Е. Б. апг! Бп)д!ге«О. У., "Роппагюп оКпю!есц1аг ггапз!згог е!ес1годез Ьу е)есггош(дгаГ(оп", Ргос. ЯР1Е, 2010, «о1. 7521, р.752112-1-752112-8 6. дгерапо«А. Б., Бо!дагоч Е. д. апд дп!81геч О. Ъ'., "РаЬпсабоп оГ 1пгедга1еб е1ес1годез о( пю!есп1аг ггап«1«1ог Ьу !11ЬодгарЬ1с гесйпи)иез апд е1есггош)дгат)оп", Ргос. 8Р1Е, 2012, «о!. 8700, р,87000С-1-87000С-5; тезисы докладов на 3 международных конференциях: 7.
Степанов А.С., Кутуров А.Н. "Создание зазоров нанометрового масштаба между тонкопленочныи электродами методом электрамиграции" Х% Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов 2007» 8. Яерапоч А.д., ЯоЫаго«Е.К., Кп181ге~ О.'«'., "Роппабоп о(' то1есп!аг ггапз)зюг е!ес1тог!ез Ьу е1ес1гоппдгатюп", Ргосеегйпдв оК 1пгегпабопа1 СопГегепсе оп дцрегсопдцс11«!гу апд Мадле!)зт (!САМ 2010), Алга!!а-Тпгкеу, 25-30 Арп1 2010, р.48. 9. С.
А. Дагесян, Е. С. Солдатов, А. С. Степанов, "Изготовление предельно малых зазоров в металлических нанопроводах и исследование их характеристик", Х1У Всероссийская научная школа-семинар «Физика и применение микроволн» («Волны- 2013»), секция 1, П1-3, с.10. Приведенные в диссертационной работе результаты получены лично автором. Автором разработаны технологии создания многослойных систем планарных металлических нанопроводов, технологии получения в тонких (15 нм) и узких (50 нм) нанопроводах малых нанозазоров (менее 5 нм), технологии размещения и закрепления в подобных нанозазорах малых (2 - 3 нм) наночастиц золота.
Им также изготовлена аппаратура и разработаны методики исследования электронного транспорта в наноструктурах молекулярного масштаба (с сопротивлением более 10 ГОм и характерными размерами до единиц нанометров). Автором созданы лабораторные макеты планарных нанотранзисторов и проведены исследования электронного транспорта в полученных нанотранзисторах, продемонстрирован коррелированный транспорт электронов при комнатной температуре.
Практическая значимость результатов работы заключается в том, что разработанная методика позволяет создавать прообразы наноустройств на основе новых принципов, Это достигнуто за счет использования в предложенном способе создания нанотранзисторов на основе одиночных наночастиц золота хорошо разработанных современной полупроводниковой промышленностью техник литографии высокого разрешения и методик изготовления наноструктур. Последнее является хорошей основой для создания и широкого внедрения в практику новых одноэлектронных устройств: биохимических сенсоров, чувствительных детекторов заряда, устройств памяти сверхвысокой плотности и нейросетей нового поколения.
Диссертация "Исследование электронного транспорта в планарных наноструктурах молекулярного масштаба*' назеание иссертаиии Степанова А.С, илия, ичк, он!честен — при наличии рекомендуется к защите на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальностям б)лзчЗ»Тфизическая электроника и ..
при оры и методы экспериментальной ' фйзики) шифр Гы) и наииеноеание спе«шыьносзпи Гей) Присутствовало на заседании б членов секции Ученого Совета ЦФИ из 7 списочного состава, Результаты голосования: «з໠— 6, «проти⻠†н, «воздержалось» — нет. протокол №4)3 от 12 марта 2014 г. Зам. председателя Ученого Совета ЦФИ НИЦ «Курчатовского институт», доктор физико-математических наук / /й М,А.
Поликарпов ,Й по пись фамилия, иия, отчестео - при ншшчии (указышзется ученая степень, ученое зеание, долясность с указание« структурного подразделения организаини) Достоверность полученных результатов определяется согласием полученных экспериментальных данных с существующими теоретическими представлениями и моделями, согласием результатов, полученных независимыми экспериментальными методами, а также согласием полученных результатов с известными литературными данными. .
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
