Управление частотно-угловым спектром бифотонного поля (1102936), страница 3
Текст из файла (страница 3)
По графику видно, что за счет неодШирина спектра (ТГц)Ширина спектра (ТГц)2 5 02 0 01 5 01 0 05 0005 01 0 0Разность температур (К)1 5 08 06 04 02 0005 01 0 01 5 0Разность температур (К)2 0 0(а ) Вырожденный режим(б ) Невырожденный режимРис. 5. Зависимость ширины спектра бифотонного поля Δ от величины перепада температур Δ на краях нелинейного кристалла для вырожденного (а) и невырожденного(б) синхронизма. Точками показаны экспериментальные данные, кривой — теоретическаяоценка.13нородного нагрева кристалла можно увеличить ширину спектра с 21 ТГц до148 ТГц в вырожденном режиме и с 3,5 ТГц до 48 ТГц в невырожденномрежиме. При этом видно, что экспериментальные данные хорошо согласуются с теорией до тех пор, пока перепад температур не превышает 100 К.При больших перепадах теория предсказывает большую ширину спектра.Это объясняется тем, что экспериментальное значение Δ определялось попоказаниям термопар, расположенных вблизи поверхности кристалла, в товремя как генерация бифотонного поля происходила внутри кристалла, гдереальная температура могла быть несколько ниже.Также было продемонстрировано управление формой спектра за счетуправления профилем распределения температур на кристалле.
Кроме того,было реализовано уширение углового спектра бифотонного поля.Результаты второй главы опубликованы в работах [1, 2].В третьей главеисследовалось управление спектром бифотонного поля за счет приложения к нелинейному кристаллу неоднородного электростатического поля.Принцип исследуемого метода аналогичен принципу, изложенному вовторой главе, с той лишь разницей, что пространственная модуляция показателей преломления осуществлялась посредством электрооптического эффекта. В качестве нелинейного кристалла использовался кристалл KDP длиной30 мм и сечением 10×5 мм, вырезанный под коллинеарный вырожденный синхронизм типа I на длине волны накачки 351 нм.
Для приложения неоднородного электростатического поля на кристалл наносились две пары электродов(рис. 6 (а)), к которым прикладывалось напряжение до 15 кВ противоположной полярности. Распределение поперечной компоненты напряженности поля⊥ вдоль оси , проходящей по центру кристалла, показано на рисунке 6 (б).По графику видно, что вдоль кристалла поле изменялось от −30 кВ/см до+30 кВ/см.
При уменьшении напряжения на электродах напряженность поляпропорционально уменьшалась.Зависимость ширины спектра Δ от перепада напряженности поля накраях кристалла Δ при его неизменной ориентации (соответствующей выполнению условий коллинеарного вырожденного синхронизма) показана нарисунке 7. По графикам видно, что, прикладывая к кристаллу неоднородное14E^ (кВ/см)300z-300 кВ15 кВz (мм)0102030(а )(б )Рис. 6. Приложение пространственно неоднородного электростатического поля к кристаллу KDP 30×10×5 мм.
На рисунке (а) показана система из двух пар электродов, на которыеподано напряжение 15 кВ противоположной полярности. Цветом показано распределениеэлектростатического потенциала внутри кристалла. На рисунке (б) показано распределение поперечной компоненты напряженности поля ⊥ вдоль оси , проходящей по центрукристалла. Пунктирная линия — точный расчет, сплошная — приближение, используемоедля теоретического расчета.электростатическое поле, можно увеличить ширину спектра бифотонного поля с 37 ТГц до 102 ТГц в вырожденном режиме и с 2,5 ТГц до 29 TГц вневырожденном. Также видно, что экспериментальная ширина спектра превышает оценочную.
Это объясняется тем, что ширина и форма спектра оченьчувствительны к небольшим изменениям формы распределения поля в кристалле, теоретическая кривая заведомо отражает оценку снизу. Кроме того,при расчете предполагалось, что пучок накачки проходит ровно по центрукристалла. Поэтому учитывался только вклад поперечной компоненты напряженности поля ⊥ . В то же время в эксперименте пучок мог проходитьне строго по центру. Кроме того, ширина лазерного пучка (2 мм) была сравнима с толщиной кристалла (5 мм), поэтому ненулевая продольная компонентаполя в области генерации бифотонного поля также могла оказать влияниена пространственную модуляцию показателей преломления.При этом одновременно с уширением по частоте наблюдалось уширениепо углу.
При изменении угла между оптической осью кристалла и лучомнакачки бифотонное поле уширялось преимущественно по частоте, преимущественно по углу или уширенное в равной степени по частоте и по углу.Максимальная ширина частотного спектра составила 102 ТГц.Результаты третьей главы опубликованы в работе [3].153 58 0Ширина спектра (ТГц)Ширина спектра (ТГц)7 57 06 56 05 55 04 54 03 53 02 5051 01 52 02 53 0Разность напряженностей поля (кВ/см)3 02 52 01 51 050051 01 52 02 53 0Разность напряженностей поля (кВ/см)(а ) Вырожденный режим(б ) Невырожденный режимРис.
7. Зависимость ширины спектра бифотонного поля Δ от величины перепада напряженности электростатического поля Δ на краях нелинейного кристалла при его неизменной ориентации для вырожденного (а) и невырожденного (б) синхронизма. Точкамипоказаны экспериментальные данные, кривой — теоретическая оценка.В заключениисформулированы основные результаты диссертационной работы:1. Разработаны способы увеличения степени перепутанности спектрального состояния бифотонного поля, а также уменьшения его времени корреляции. В основе исследованных способов лежит как однородное, таки неоднородное уширение спектра спонтанного параметрического рассеяния света. В результате были приготовлены состояния бифотонныхполей, соотношение Федорова для которых достигало ≈ 3×104 , что в3–7 раз больше типичных значений.
Соответствующее время когерентности для таких полей составляет 6,5 фс, что также в 3–7 раз меньшестандартных значений.2. Исследован спектр бифотонного поля, генерируемый в процессе СПР вкристалле BBO толщиной 0,1 мм. Ширина спектра составила 132 ТГц.При этом показано, что при помещении кристалла внутрь резонаторааргонового лазера интенсивность поля увеличивается в ≈ 50 раз.3. Исследован метод управления спектром бифотонного поля за счет продольной пространственной модуляции показателей преломления в нелинейном кристалле.
Модуляция показателей преломления осуществля16лась как посредством неоднородного нагрева кристалла, так и посредством приложения к кристаллу неоднородного электростатического поля. Продемонстрировано неоднородное уширение спектра в 7,5 раз (до154 ТГц) в вырожденном режиме и в 14 раз (до 48 ТГц) в невырожденном режиме.Список публикаций1. Калашников Д. А., Катамадзе К.
Г., Кулик С. П. Управление спектромдвухфотонного поля: неоднородное уширение за счет температурного градиента // Письма в ЖЭТФ. 2009. Т. 89, № 5. С. 264–269.2. Катамадзе К. Г., Кулик С. П. Управление спектром бифотонного поля //ЖЭТФ. 2011. Т. 139, № 1. С. 26–45.3. Катамадзе К. Г., Патерова А. В., Якимова Е. Г. и др. Управление частотным спектром бифотонного поля за счет электрооптического эффекта //Письма в ЖЭТФ.
2011. Т. 94, № 4. С. 284–288.4. Katamadze K. G., Borshchevskaya N. A., Dyakonov I. V. et al. Intracavitygeneration of broadband biphotons in a thin crystal // Laser Physics Letters .2013. — Apr. Vol. 10, no. 4. P. 045203.Цитированная литература5. Wieman C., Pritchard D., Wineland D. Atom cooling, trapping, and quantummanipulation // Reviews of Modern Physics . 1999. — Mar. Vol. 71, no. 2.P. S253–S262.6. Singer K., Poschinger U., Murphy M. et al. Colloquium: Trapped ions asquantum bits: Essential numerical tools // Reviews of Modern Physics .2010. — Sep.
Vol. 82, no. 3. P. 2609–2632.7. Burkard G., Loss D. Quantum Computing with Quantum Dots // SchedaeInformaticae . 2005. Vol. 14. P. 95–111.178. Jelezko F., Wrachtrup J. Single defect centres in diamond: A review // physicastatus solidi (a) . 2006. — Oct. Vol. 203, no. 13. P. 3207–3225.9. Siddiqi I.
Superconducting qubits: poised for computing? // SuperconductorScience and Technology . 2011. — Sep. Vol. 24, no. 9. P. 091002.10. Нильсен М., Чанг И. Квантовые вычисления и квантовая информация.Москва: Мир, 2006. С. 824. ISBN: 5-03-003524-9.11. Giovannetti V., Lloyd S., Maccone L. Advances in quantum metrology //Nature Photonics .
2011. — Apr. Vol. 5, no. 4. P. 222–229.12. Fock V. Konfigurationsraum und zweite Quantelung // Zeitschrift fur Physik .1932. — Sep. Vol. 75, no. 9–10. P. 622–647.13. Aichele T., Lvovsky A. I., Schiller S. Optical mode characterization of single photons prepared by means of conditional measurements on a biphotonstate // The European Physical Journal D – Atomic, Molecular and OpticalPhysics . 2002. — Feb. Vol. 18, no. 2.
P. 237–245.14. Rarity J., Tapster P., Jakeman E. Observation of sub-poissonian light inparametric downconversion // Optics Communications . 1987. — May. Vol. 62,no. 3. P. 201–206.15. Китаева Г. Х., Клышко Д. Н., Таубин И. В. К теории параметрическогорассеяния и метода абсолютного измерения яркости света // Квантоваяэлектроника. 1982. Т. 9, № 3. С. 561–567.16. Клышко Д.
Н., Пенин А. Н. Перспективы квантовой фотометрии // Успехи физических наук . 1987. Т. 152, № 8. С. 653–665.17. Kwiat P., Mattle K., Weinfurter H. et al. New High-Intensity Source of Polarization-Entangled Photon Pairs // Physical Review Letters . 1995. — Dec.Vol. 75, no. 24. P. 4337–4341.18. Kwiat P. G., Waks E., White A. G. et al. Ultrabright source of polarization-entangled photons // Physical Review A.














