Автореферат (1097806), страница 9
Текст из файла (страница 9)
Приведено объяснение наблюдаемойанизотропии фотопроводимости в анизотропном ПК.9. Благодаря совместному измерению концентрации свободных носителей зарядаиз ИК-спектров пропускания и проводимости ПК получена величина подвижностиосновных носителей заряда в данном материале. Установлено, что изменениеповерхностного покрытия нанокристаллов в ПК за счет адсорбции активных молекул,приводит к значительному изменению как концентрации носителей заряда, так и ихподвижности.
Продемонстрирована возможность увеличения на несколько порядковзначений концентрации и подвижности свободных носителей заряда в ансамбляхсвязанных кремниевых нанокристаллов посредством адсорбции активных молекул.Предложена модель, объясняющая наблюдаемые изменения концентрации свободныхносителей заряда и их подвижности в ПК, в результате варьирования поверхностногопокрытия нанокристаллов.33ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА1Zhou, J.H., Ikuta, K., Yasuda, T., Umeda, T., Yamasaki, S., Tanaka, K. Control ofcrystallinity of microcrystalline silicon film grown on insulating glass substrates // J.Non-Cryst.
Solids. – 1998. - V. 227-230. – P. 857-860.2Summonte, C., Rizolli, R., Desalvo, A., Zignani, F., Centurioni, E., Pinghini, R., Bruno,G., Losurdo, M., Capezzuto, P., Gemmi, M. Plasma-enhanced chemical vapourdeposition of microcrystalline silicon: on the dynamics of the amorphousmicrocrystalline interface by optical methods // Philos. Mag.
B. – 2000. – V. 80. - № 4.– P. 459-473.3Fujiwara, H., Toyoshima, Y., Kondo, M., Matsuda, A. Structural study of initial layerfor c-Si:H growth using real time in situ spectroscopic ellipsometry and infraredspectroscopy // J. Non-Cryst. Solids. – 2000. – V. 266-269. – P. 38-42.4Hapke, P., Finger, F. High deposition rates for microcrystalline silicon with lowtemperature plasma enhanced chemical vapour deposition processes // J. Non-Cryst.Solids.
– 1998. – V. 227-230. – P. 861-866.5Beckers. I., Nickel, N.H., Pilz, W., Fuhs, W. Influence of hydrogen on the structuralorder of microcrystalline silicon during the growth process // J. Non-Cryst. Solids. –1998. - V. 227-230. – P. 847-851.6Geohegan, D.B., Puretzky, A.A., Duscher, G., Pennycook, S. J. Photoluminescencefrom gas-suspended SiOx nanoparticles synthesized by laser ablation //Appl. Phys. Lett.– V.
73. - №4. – P. 438-440.7Sameshima, T., Watakabe, H., Andoh, N., Higashi, S. Pulsed laser crystallization ofvery thin silicon film // Thin Solid Films. – 2005. – V. 487. – P. 63– 66.8Sameshima, T., Watakabe, H., Andoh, N., Higashi, S. Pulsed laser crystallization ofsilicon–germanium films // Thin Solid Films.
– 2005. - V. 487. – P. 67– 71.9Park, S.J., Ku, Y.M., Kim, E.H., Jang, J., Kim, K.H., Kim, C.O. Selective crystallizationof amorphous silicon thin film by a CW green laser // J. Non-Cryst. Solids. – 2006. – V.352. - № 9-20. – P. 993-997.10Zi, J., Buscher, H., Falter, C., Ludwig, W., Zhang, K., Xie, X. Raman shifts in Sinanocrystals // Appl. Phys. Lett. – 1996. – V. 69. - P.
200-202.11Viera, G., Huet, S., Boufendi, L. Crystal size and temperature measurements innanostructured silicon using Raman spectroscopy // J. Appl. Phys. – 2001. – V. 90. - P.4175 - 4183.3412Baia Neto, A.L., Lambertz, A., Carius, R., Finger, F.
Relationships between structure,spin density and electronic transport in ‘solar-grade’ microcrystalline silicon films // J.Non-Cryst. Solids. – 2002. – V. 299-302. – P.274-279.13Finger, F., Muller, J., Malten, C., Carius, R., Wagner, H. Electronic properties ofmicrocrystalline silicon investigated by electron spin resonance and transportmeasurements // J. Non-Cryst. Solids. – 2000. – V. 266-269. – P. 511-518.14Vanecek, M., Poruba, A., Remes, Z., Rosa, J., Kamba, S., Vorlicek, V., Meier, J., Shah,A. Electron spin resonance and optical characterization of defects in microcrystallinesilicon // J. Non-Cryst.
Solids. – 2000. – V. 266-269. – P. 519-523.15Lips, K., Kanschat, P., Will, D., Lerner, C., Fuhs, W. ESR and transport inmicrocrystalline silicon // J. Non-Cryst. Solids. – 1998. – V. 227-230. – P.1021-1025.16Finger, F., Muller, J., Malten, C., Wagner, H Electronic states in hydrogenatedmicrocrystalline silicon // Phil. Mag. B. – 1998. – V. 77.
- №3. – P. 805-830.17Finger, F., Malten, C., Hapke, P., Carius, R., Fluckiger, R., Wagner, H Free electronsand defects in microcrystalline silicon studied by electron spin resonance // Phil. Mag.B. – 1998. – V. 70. - №4. – P. 247-254.18Lips, K., Kanschat, P., Brehme, S., Fuhs, W. An ESR study of bandtail states inphosphorus doped microcrystalline silicon // J. Non-Cryst. Solids. – 2002.
– V. 299302. – P. 350-354.19Stegner, A.R., Pereira, R.N., Klein, K., Wiggers, H., Brandt, M.S., Stutzmann, M.Phosphorus doping of Si nanocrystals: interface defects and charge compensation //Physica B. – 2007. – V. 401-402. – P. 541-545.20Lima, Jr., M.M., Taylor, P.C., Morrison, S., LeGeune, A., Marques, F.C. ESRobservations of paramagnetic centers in intrinsic hydrogenated microcrystalline silicon// Phys. Rev.
B. – 2002. – V. 65. – P. 2353241-2353246.21Уханов, Ю. И. Оптические свойства полупроводников. // М.: Наука, 1977. – 368 С.22Beck, N., Meier, J., Fric, J., Remes, Z., Poruba, A., Fluckiger, R., Pohl, J., Shah, A.,Vanecek, M.
Enhanced optical absorption in microcrystalline silicon // J. Non-Cryst.Solids. – 1996. – V. 198-200. – P. 903-906.23Poruba, A., Vanecek, M., Meier, J., Shah, A. Fourier transform infrared photocurrentspectroscopy in microcrystalline silicon // J. Non-Cryst. Solids. – 2002. – V. 299-302.
–P. 536-540.24Коугия, К.В., Теруков, Е.И. Связь рекомбинации на интерфейсных состояниях ианомальномалогопоказателястепенилюксампернойхарактеристикимикрокристаллическом кремнии // ФТП. – 2001. – Т. 35. - №6. – С. 643-648.в3525Overhof, H., Otte, M. Theoretical investigations of models for the electronic transport inmicrocrystalline silicon films / Future directions in thin film science and technology //Singapore: World Scientific, 1996.
– P. 23-31.26Мейлихов, Е.З. Высокотемпературная проводимость гранулированных металлов //ЖЭТФ. - 2001. – Т. 120. – Вып. 3. – С. 712–717.27Ben-Chorin, M., Möller, F., Koch, F. Nonlinear electrical transport in porous silicon //Phys. Rev. B. – 1994. – V. 49. - №4.
– P. 2981-2984.28C. Зи. Физика полупроводниковых приборов // М: Мир, 1984. – Т. 1. – 454 С.ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ ВСЛЕДУЮЩИХ РАБОТАХ:А1Казанский, А.Г., Мелл, Х., Теруков, Е.И., Форш, П.А. Поглощение ифотопроводимость в компенсированном бором с-Si:H. – ФТП. – 2000. – Т. 34. Вып. 3. – С. 373-375.А2Казанский, А.Г., Козлов, С.Н., Мелл, Х., Форш, П.А. Влияние освещения наэлектрические и фотоэлектрические пвраметры с-Si:H, слаболегированногобором.
- Письма в ЖТФ. – 2000. – Т. 26. – Вып. 10. – С. 17-21.А3Forsh, P.A., Kazanskii, A.G., Mell, H., Terukov, E.I. Photoelectrical properties ofmicrocrystalline silicon films. - Thin Solid Films. – 2001. – V. 383. – P. 251-253.А4Казанский, А.Г., Мелл, Х., Теруков, Е.И., Форш, П.А. Влияние температуры нафотопроводимость и кинетику ее спада в микрокристаллическом кремнии.
– ФТП.– 2001. – Т. 35. – Вып. 8. – С. 991-993.А5Казанский, А.Г., Форш, П.А. Влияние освещения на параметры пленокмикрокристаллическогогидрированногокремниясразличнымуровнемлегирования бором. - Вестник Московского университета, Серия 3. Физика.Астрономия. – 2001. - № 6. – С. 51-54.А6Казанский, А.Г., Мелл, Х., Теруков, Е.И., Форш, П.А. Влияние уровнялегированиянафотопроводимостьпленокмикрокристаллическогогидрированного кремния. – ФТП. – 2002. – Т. 36. – Вып.
1. – С. 41-43.А7Казанский, А.Г., Мелл, Х., Форш, П.А. Влияние термического отжига наоптические и фотоэлектрические свойства пленок микрокристаллическогогидрированного кремния. – ФТП. – 2003. – Т. 37. – Вып. 2. – С. 235-237.А8Казанский, А.Г., Мелл, Х., Форш, П.А. Фотоиндуцированное изменениепроводимости пленок аморфного гидрированного кремния, легированногоэрбием. – ФТП. – 2003. – Т. 37.
– Вып. 7. – С. 793-796.36А9Казанский, А.Г.,электронногоФорш, П.А., Хабарова, К.Ю., Чукичев, М.В. Влияниеоблучениянаоптическиеифотоэлектрическиесвойствамикрокристаллического гидрированного кремния. – ФТП. – 2003. – Т. 37. – Вып.9. – С. 1100-1103.А10 Казанский, А.Г., Мелл, Х., Теруков, Е.И., Форш, П.А. Оптические ифотоэлектрическиесвойствамикрокристаллическогокремния,компенсированного бором. - Материалы электронной техники. – 2003. – Т. 2. – С.56-59.А11 Форш, П.А., Осминкина, Л.А., Тимошенко, В.Ю., Кашкаров, П.К. Особенностиэлектрического транспорта в анизотропно наноструктурированном кремнии.ФТП. – 2004.
– Т. 38. – Вып. 5. – С. 626-629.А12 Chukichev, M.V., Forsh, P.A., Fuhs, W., Kazanskii, A.G. Creation of metastabledefects in microcrystalline silicon films by keV electron irradiation. - Jorn. Non-Cryst.Solids. – 2004. – V. 338-340. – P. 378-381.А13 Forsh, P.A., Osminkina, L.A., Zhigunov, D.M., Timoshenko, V.Yu., Kashkarov, P.K.Strong anisotropy of lateral electrical transport in (110) porous silicon films. - Phys.Stat.
Sol. (c). – 2005. – V. 2. – No. 9. – P. 3404-3408.А14 Форш, П.А., Мартышов, М.Н., Тимошенко, В.Ю., Кашкаров, П.К. Динамическаяэлектропроводность анизотропно наноструктурированного кремния. – ФТП. –2006. – Т. 40. – Вып. 4. – С. 476-481.А15 Рябчиков, Ю.В., Форш, П.А., Лебедев, Э.А., Тимошенко, В.Ю., Кашкаров, П.К.,Kamenev,B.V.,Tsybeskov,L.Переносносителейзарядав структурес кремниевыми нанокристаллами, внедренными в оксидную матрицу. – ФТП. –2006.
– Т. 40. – Вып. 9. – С. 1079-1081.А16 Forsh, P.A., Martyshov, M.N., Timoshenko, V.Yu., and Kashkarov, P.K. Impedancespectroscopy of in-plane anisotropic porous silicon films. - Phys. Stat. Sol. (c). – 2007.– V.4. – P. 1981-1985.А17 Форш, П.А., Мартышов, М.Н., Латышева, А.П., Воронцов, А.С., Тимошенко,В.Ю., Кашкаров, П.К. Подвижность носителей заряда в слоях пористого кремния.– ЖЭТФ. – 2008. – Т. 134. – Вып. 6(12). – С. 1195-1199.А18 Мартышов, М.Н., Шапошников, Л.В., Форш, П.А., Тимошенко, В.Ю., Кашкаров,П.К.
Исследования ориентационной зависимости электропроводности в слояханизотропного пористого кремния. - Материалы электронной техники. – 2008. - Т.4. – С. 35-38.37А19 Martyshov, M.N., Forsh, P.A., Timoshenko, V.Yu., Kashkarov, P.K. Electricalconductivity in anisotropic porous silicon films. - Journal of Nanoelectronics andOptoelectronics.
– 2009. – V. 4. - № 1. – P. 134-136.А20 Форш, П.А., Агафонова, Е.А., Мартышов, М.Н., Тимошенко, В.Ю., Кашкаров,П.К. Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности ифотопроводимостинаноструктурированногокремния.-Технологияиконструирование в электронной аппаратуре. – 2009.
- № 6. – С. 35-37.А21 Агафонова ,Е.А., Мартышов, М.Н., Форш, П.А., Тимошенко, В.Ю., КашкаровП.К. Влияние термического окисления на перенос носителей заряда внаноструктурированном кремнии. – ФТП. – 2010. – Т.44. – Вып. 3. – С. 367-371.А22 Казанский, А.Г., Форш, П.А., Теруков, Е.И., Kleider, J.P. Фотопроводимостьпленок гидрированного кремния с двухфазной структурой. – ФТП. – 2010. – Т. 44.– Вып. 4. – С. 513-516.А23 Форш, П.А., Гаврилюк, А.С., Форш, Е.А., Жигунов, Д.М., Мартышов, М.Н.,Антоновский, А.А., Сысоев, И.Д., Воронцов, А.С., Кашкаров, П.К. Проводимостьструктур с кремниевыми нанокристаллами в оксидной матрице.
- Российскиенанотехнологии. – 2011. – Т. 6. - № 1-2. – С. 118-121.А24 Казанский, А.Г., Теруков, Е.И., Форш, П.А., Хенкин, М.В. Особенностифотоэлектрическихиоптическихсвойствпленокаморфногогидрогенизированного кремния, полученных плазмохимическим осаждением изсмеси моносилана с водородом. – ФТП. – 2011. – Т. 45. – Вып. 4. – С. 518-523.А25 Емельянов, А.В., Казанский, А.Г., Кашкаров, П.К., Коньков, О.И., Теруков, Е.И.,Форш, П.А., Хенкин, М.В., Кукин, А.В., Beresna, M., Kazansky, P.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
