Существование барьерных и диффузионных емкостей в - Ответ на вопрос по ОСГиГ №482540
-37%
Вопрос
Существование барьерных и диффузионных емкостей в биполярном транзисторе приводит к:- подъему АЧХ в области ВЧ
- подъему АЧХ в области НЧ
- спаду амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) в области верхних частот (ВЧ)
- спаду АЧХ в области нижних частот (НЧ)
Ответ
Стараюсь держать низкие цены на коллекции ответов на вопросы!
Santiago
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
