Классификация биполярных и полевых транзисторов
ТРАНЗИСТОРЫ
РАЗДЕЛ 5.
Классификация биполярных и полевых транзисторов. Система обозначений
Классификация транзисторов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, ввиду исходного полупроводникового материала находят отражение в системе условных обозначений их типов. В соответствии с возникновением новых классификационных групп транзисторов совершенствуется и система их условных обозначений, которая на протяжении последних 15 лет трижды претерпевала изменения.
Система обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11336.038-77, введен в действие с 1978 г. Базируется на ряде классификационных признаков.
В основу системы обозначений положен семизначный буквенно-цифровой код.
1-й элемент
Буква – для транзисторов широкого применения.
Цифра – для приборов, используемых в устройствах специального назначения.
Рекомендуемые материалы
Обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор.
Для германия и его соединений _______________________________ Г или 1
Для кремния и его соединений ________________________________К или 2
Для соединений галлия (арсенид галлия) для создания
полевых транзисторов _______________________________________А или 3
Для соединений индия (для производства транзисторов
пока не используется) _______________________________________ И или 4
2-й элемент – буква, определяющая подкласс транзистора:
для биполярных транзисторов ________________________________ Т
для полевых транзисторов ___________________________________ П
Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков транзисторов (их функциональных возможностей) используются следующие символы (цифры).
3-й элемент обозначает:
Для биполярных транзисторов:
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью не более
1 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока
(далее – граничной частотой) не более 30 МГц __________________________ 1
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью не более
1 Вт и граничной частотой более 30 МГц, но не более 300 МГц _____________ 2
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью не более
1 Вт и граничной частотой более 300 МГц ______________________________ 4
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью более
1 Вт и граничной частотой не более 30 МГц _____________________________ 7
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью более 1 Вт
граничной частотой более 30 МГц, но не более 300 МГц ___________________ 8
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью более
1Вт и граничной частотой более 300 МГц _______________________________ 9
Для полевых транзисторов:
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью не более
1 Вт и максимальной рабочей частотой не более 30 МГц ___________________ 1
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью не более
1 Вт и максимальной рабочей частотой более 30 МГц,
но не более 300 МГц _________________________________________________ 2
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью не более
1 Вт и максимальной рабочей частотой более 300 МГц ____________________ 4
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью более
1 Вт и максимальной рабочей частотой не более 30 МГц ___________________ 7
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью более
1 Вт и максимальной рабочей частотой более 30 МГц,
но не более 300 МГц _________________________________________________ 8
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью более
1 Вт и максимальной рабочей частотой более 300 МГц ____________________ 9
4-й, 5-й, 6-й элементы – трехзначное число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа транзисторов (каждый технологический тип может включать в себя один или несколько типов, различающихся по своим параметрам). Для обозначения порядкового номера разработки используются числа 101 до 999.
6-й элемент обозначает – буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии (классификационная литера). Используются буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч.
Дополнительные элементы:
Буква С после 2-го элемента - для обозначения наборов в общем корпусе однотипных транзисторов (транзисторные сборки) не соединенных электрически.
Цифра, написанная через дефис после 7-го элемента - для обозначения безкорпусных транзисторов соответствует следующим модификациям конструктивного исполнения:
С гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки) ___________________ 1
С гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке) ____________________ 2
С жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки) __________________ 3
С жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке) ___________________ 4
С контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без
выводов (кристалл) ____________________________________________________ 5
С контактными площадками на кристаллодержателе (подложке) и без
выводов (кристалл на подложке)_________________________________________ 6
Пример:
КТ2115А – 2 - для устройств широкого применения кремниевый биполярный маломощный (Рмах ≤ 1 Вт) высокочастотный (30 МГц < f гр. ≤ 300 МГц) номер разработки 115, группа А, безкорпусный с гибкими выводами на кристаллодержателе.
2П7235Г - для устройств специального назначения кремниевый полевой в корпусе, мощный (Рмах > 1 Вт), низкочастотный (f мах ≤ 30 МГц), номер разработки 235, группа Г.
ГТ4102Е - для устройств широкого применения германиевый, биполярный в корпусе, маломощный (Рмах ≤ 1 Вт), СВЧ (300 МГц ≤ f гр.), номер разработки 102, группа Е.
Экскурс в историю
У биполярных транзисторов, разработанных до 1964г. и выпускаемых до настоящего времени, условные обозначения состоят из 3-х элементов:
1-й элемент:
Буква П - характеризует класс биполярных транзисторов (от «полупроводники»).
Буквы МП - для транзисторов в корпусе, который герметизируется способом холодной сварки.
2-й элемент:
Одно, двух и трехзначное число определяет порядковый номер разработки и указывает: на подкласс транзистора по исходному полупроводниковому материалу, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной (или предельной) частоты.
Германиевые маломощные низкочастотные транзисторы ________________от 1 до 99
Кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы _____________ от 101 до 199
Германиевые мощные низкочастотные транзисторы ________________ от 201 до 299
Кремниевые мощные низкочастотные транзисторы _________________ от 301 до 399
Германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы _____ от 401 до 499
Кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы ______ от 501 до 599
Германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы _________ от 601 до 699
Кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы __________ от 701 до 799
3-й элемент:
Буква определяет классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.
Пример:
П29А – германиевый, маломощный, низкочастотный транзистор.
МП102 – кремниевый, маломощный, низкочастотный транзистор в холодносварном корпусе.
Начиная с 1964г. была введена новая система обозначений типов транзисторов (ГОСТ 10862-64 и ГОСТ 10862-72). Действовала до 1978г.
1-й элемент:
(исходный полупроводниковый материал)
Соединения германия_______________________________________________ Г или 1
Соединения кремния _______________________________________________ К или 2
Соединения арсенида галлия (для полевых транзисторов) ________________ А или 3
Соединения индия (пока в производстве транзисторов не используется) ____ И или 4
2-й элемент (подкласс транзисторов):
Биполярный _______________________________________________________ Т
Полевой __________________________________________________________ П
3-й элемент:
Девять цифр (1 - 9). Характеризуют подклассы биполярных и полевых транзисторов по значениям рассеиваемой мощности и граничной (или для полевых транзисторов мах рабочей) частоты.
Транзисторы маломощные (РМАХ ≤ 0,3 Вт), низкочастотные (f ≤ 3 МГц)__________ 1
Транзисторы маломощные (Р ≤ 0,3 Вт), средней частоты (3 МГц < f ≤ 30 МГц) ___2
Транзисторы маломощные, высокочастотные (f > 30 МГц), СВЧ________________ 3
Транзисторы средней мощности (0,3 Вт< РМАХ ≤ 1,5 Вт)_______________________ 4
Транзисторы средней мощности, средней частоты (3 МГц < f ≤ 30 МГц)_________ 5
Транзисторы средней мощности, высокочастотные, СВЧ_______________________ 6
Транзисторы большой мощности (РМАХ > 1,5 Вт), низкочастотные (f ≤ 3 МГц)____ 7
Транзисторы большой мощности средней частоты ____________________________ 8
Транзисторы большой мощности, высокочастотные и СВЧ _____________________ 9
4-й и 5-й элементы – порядковый номер разработки. Двузначное число от 01 до 99 (позднее и трехзначное число).
6-й элемент – квалификационная литера (буква от А до Я, кроме букв, по написанию совпадающих с числами О, Ч, З).
Дополнительные элементы обозначений
Для транзисторных сборок (после 2-го элемента обозначения) __________________ С
Для безкорпусных приборов цифры – модификация конструктивного
исполнения ____________________________________________________1, 2, 3, 4, 5, 6
Пример:
ГТ101А – для устройств широкого применения германиевый биполярный маломощный низкочастотный, в корпусе, номер разработки 01, группа А.
2Т399А – кремниевый, для устройств широкого применения, биполярный, маломощный, СВЧ, в корпусе, номер разработки 99, группа А.
2Т399А-2 – кремниевый, для устройств широкого применения, биполярный, маломощный, СВЧ, безкорпусный с гибкими выводами на кристаллодержателе.
Классификация транзисторов по функциональному назначению
В системе условных обозначений типов транзисторов отображена очень важная информация: род исходного полупроводникового материала, рассеиваемая мощность, граничная частота, конструктивное исполнение, классификация по основному функциональному назначению.
Биполярные транзисторы в соответствии с основными областями применения подразделяются на 13 групп:
1. усилительные низкочастотные (f гр. < 30 МГц) с нормированным коэффициентом шума.
2. усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума.
3. усилительные высокочастотные (30 МГц < f гр. ≤ 300 МГц) с нормированным коэффициентом шума.
4. усилительные высокочастотные с ненормированным коэффициентом шума.
5. СВЧ усилительные (300 МГц < f гр.) с нормированным коэффициентом шума.
6. СВЧ усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
7. усилительные мощные высоковольтные.
8. высокочастотные генераторные.
9. СВЧ генераторные.
10. переключательные маломощные.
11. переключательные мощные высоковольтные.
12. импульсные мощные высоковольтные.
13. универсальные.
Полевые транзисторы по своему назначению делятся на три группы: усилительные, генераторные, переключательные.
По виду затвора и способу управления проводимостью канала полевые транзисторы делятся на четыре группы:
1. с затвором на основе p-n перехода.
2. с изолированным затвором (МДП - транзисторы), работающие в режиме обеднения.
3. с изолированным затвором, работающие в режиме обогащения.
4. с двумя изолированными затворами, работающие в режиме обеднения.
Графическое обозначение полупроводниковых приборов
ГОСТ 2.730-73
Однопереходной транзистор с n – базой
Однопереходной транзистор с p – базой
Транзистор типа p – n – p
Транзистор типа n – p – n
Транзистор типа n – p – n с коллектором, электрически
соединенным с корпусом
Лавинный транзистор типа n – p – n
Полевой транзистор с каналом n – типа
Полевой транзистор с каналом p – типа
Полевой транзистор с изолированным затвором с выводом
от подложки обогащенного типа с p – каналом
Полевой транзистор с изолированным затвором с выводом
от подложки обедненного типа с n – каналом
Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного
типа с n – каналом и с внутренним соединением подложки
Если Вам понравилась эта лекция, то понравится и эта - Память слепых и слабовидящих.
Полевой транзистор с двумя изолированными затворами
обедненного типа с n – каналом и с внутренним соединением
подложки и истока
