Вопросы/задания: Вопросы к зачету и экзамену ПМиНТ и список рекомендуемой литературы

Распознанный текст из изображения:

Список экзаменационных вопросов по дисцигщипе «Процессы микро- и нанотехнологии» 1. Выращивание кристаллов из расплава: методы нормааьной направленной кристаллизации. меюд

Бриджмела.

2. Выращивание кристаллов нз расплава: методы вытягивания кристаллов из расплава, метод

Чохральского.

3. Выращнванне кристаллов нз расплава: меюды зонной плавки.

4. Выращивание монокристаллов из раствора: испарение летуче~о растворител, подпитка рве~вора

кристалл изующимся веществом.

5. Вырви!иванне монокристаллоа из раствора: направленная кристаллизация пересыщенных растжзроврасплавов, ! Радиентная ванная плавка.

6. Выращивание кристаллов из газообразной фазы метод сублимации-конденсации, метод химических

реакций разложения. восстановления.

7. Кристаллизационные методы очистки. Модификация метода очистки зонной плавкой. Получение и

свойства кремния и германия полупроводникового качества.

8. Легирование уже выращенных кристаллов: метод радиационного легнрования.

9. Легироаание обьемных кристаллов в процессе выращивания из жидкой фщы: механическая подпитка

расплава твсрдой фазой, механическая подпитка расплава жилкой фазой, механическая подпитка

расплава газовой фазой. Выравнивания состава кристаллов изменением условий выращивания.

10. Монокристщглические пленки. Эпитаксия. Особенности гетероэпитаксии. Причины образования

структурных дефектов, Жидкостная эпитаксия.

11. Эпитаксия из газообразной фазы: метод химических реакций, метод газотранспортных реакций.

12.Молекулярно-лучевая эпитаксня. Особенности легирования при МЛЭ. Окончательная обработка

кремния

! 3. Технохнмичсскис процессы подготовки подложек полупроводниковых пластин. Виды загрязнений

полупроводниковых пяастин. Методы предварительной очистки. Отмывка полупроводниковых

пластин.

!4. Хнмцческая, хнмнко-динамическая, электрохимнческая и плазмохнмичсская обработка

полупроводниковых пластин.

15. Вакуумная очистка поверхности пластин; метод термической десорбцнн, ионное травление; метод

получения чистой понерхностн путем напыления; метод очистки с использованием каталнтнческих

реакций; метод скола в вакууме.

16. Литографические процессы. Фоторезисты. Изготовление фоющаблонов.

17. Субттракзнвпьге и адаптивные методы переноса рисунка. Побочнью:нрфскты прн травлении. Сеяектняность н контроль размеров злемепгов

18. Оптическая лиюграфия: Контактная, бесконтакгная, проекционная печать. Лига! рафия с экстремальным ультрафиолетом.

19. Оптическая лиюграфня, полученле наноструктур. Фазосдвигающие маски. Многослойные резисзы. Использование и проблемы оптической литографии.

20. Рентгеновская литография. Принципиальная схема установки для рентгеновской литографии. Резисты и шаблоны для рентгеновской литографии

21, Электронно-лучевая литография. Проекционная электронно-лучевая яитография. Система с точной передачей размеров. Система с уменьшением изображения. Лучевые сканирующие системы. Способы перемещения пучка.

22. Жидкостное травление.

23. Методы «сухого» травления.

24. Химико-динамическая гюлировка. Двойной «дамасцен» пропесс.

25. Лсгирование методом термической диффузии примесей. Диффузия из постоянного вншлнего источника. Диффузия из конечного поверхностного источника.

26. Ионная имплантация. Ве применение в технологии СБИС

27. Отя<нг легированных структур.

28. Осаждение диэлектрических пленок и поликристаллического кремния.

29. Термическое окисление кремния. Плазмохимнчсское окисление кремния.

30. Сравнение различных методов осаждения пленок

31. Основы толстопленочной технологии. Толстопленочные пасты. Трафаретная печать. Вжигание.

Распознанный текст из изображения:

32. Осаждение тонких пленок: термическое вакуумное напьшенис: элскгронно-лучевое испарение:

распыление ионной бомбардировкой.

33. Осаждение тонких пленок: катодное распылениег высокочастотное распыление; магнетронное

распыление.

34. Химическое осаждение из газовой фазы. Классификация процессов ХОГФ функциональных слоев

ИС. Функциональныс слои ИС, осаждаемые в процессах ХО1 Ф.

35. Классификация оборудования для химического оса>пленил из гпювай фазы.

36. Системы многоуровневой мсталлизации. Контактные слои для нанотехнологии. Барьерные слои

для медной металлизацни

37. Коммутационные платы микросборок. Тонкопленочные платы. Тонкопленочные платы на основе

анодироаанного алюминия

38. 7'олстопленочные платы, Пла~ы на основе многослойной керамики.

39. Крепление подло>хек и кристаллов. Типы корпусов н технология нх производства

40. Электрический монзаяг кристаллов ИС на коммутационных платах. Специальные вопросы

герметизации.

4К Основы технологии производства и-МОП СВИС. Технология производства биполярных СВИС.

42. Основы технологии производства КМОП СБИС. Принципы построения производства

чикроэлектронньж изделий.

43, Особенности технологического маршрута изготовления интегральных схем на основе ОаАь и

полупроводниковых гетерострукгур соединений группыА В .

44. Основные методы создания наноструктур. Эондоаые методы нанолитографни.

45. Нанопс ~ать: черпилыгая печать и тиснение. Сравнение нанолитографи шских методов

46. Метод локалыюго зондового окисления. Физико-химические основы. Особенности создания

электропроводящих зоилов.

47. Кинетика процесса локального зонлового окисления полупроводников и сверхтопких

металлических пленок. Метод формирования диэлектрической пленки, чодулированной по зо;ццине.

Локальное химическое осаждение из газовой фазы.

48. Элементная бата наноэлектроники па основе зондовых нанотехноюгий. Зондовое формирование

полимерных микропроводников.

49. Методы формирования мсгаллических квазиодномерных микрокантлктов на подложках.

Металлическая наноэлектроника.

50. Нанотранзисторы на основе углеродных напогрубок. Инвергоры. Метод приготовления

проводников на основе пучка углеродных нанотрубок. Углероднач наноэггектроника.

5К Саморегулирующиеся процессы. Самосборка в объемных материалах.

52. Самосборка при зпигаксии. Осаждение пленок Лэнгмюра — Блоджегг

53. Нелитографические методы формирования поверхностных периодических наноструктур.

54. Самоорганизованные нмплантированные наноразмерные структуры в полупроводниках.

Имплантированпые квантовые точки в структуре 51Ое.

55. Энергонезависимая память на нанохрнстпллах, синтезированных ионными пучками.

56. Высокотемпературные сверхпроводники в наноэлекгроннке. Формирование наноразмерной

планарной активной зоны. Датчики магнизного поля. Фотоника волноводпых наноразчерных структур.

Оптические волокна с фотонно-крнсталли ~елкой структурой. Типы фотонно-кристаллических волокон.

Технология изготовления оптических волокон с фотонно-хрисгитлической структурой. Формирование

фотонной запрещенной зоны с помогпью субмикронных бр:ггговскнх решеток.

57. Методы формирования индуцнрованных доменов н периодических доменных структур гПДС) в

сегнетоэлектриках. Образование сегпетоэлектрическнх долгенов в электрических полях. Образованно ПДС

во внутренних полях.

Распознанный текст из изображения:

Список литературы:

1, !'ехналогия СБИС. В 2-х томах. Под, ред. С.М. Зиц М. "Мнр", 1986.

2. И.П.Степаненко, Основы микроэлектроники. Изд. 2. Учебное пособие для ВУЗовд Лаборатория

Базовых Знаний, Серия: Технический университет, 2003. 488 с.

3. И.Браулай. Д>к.Марей. Физические основы микротехнологии77 Мс "Мнр". 1985.

4. А.А.Щука, Электроника. Учебное пособпеГ под ред, А.С.Сигова. - СПбс БХВ-Петербург, 2005,

800 с.

5. СЗн, Физика попупроводниковых приборов !Мэ Мир, 1984. Т.1, 456 с: Т.2, 456 с.

6. В.Н.Черняев, Физикохимические процессы в технологии РЭАД М.. "Высшая школа", 1987

7. В.Н.Черняев, Технология производства инты.ральных микросхем н мнкропроцессоровд Мл

Ралио н связь. 1987 г., 464с.

8 А.И.Курносов, В.В.Юдин Технология производства полупроводниковых приборов и

инте~ральных микросхемД М., "Высшая школа", 1986

9. И.Б.Вфлмов, И.Я.Козарь, Ю.Я.Горбунов, Микроэлектроника. Физические и технологические

основы, надежносп: Учебное пособиед Мэ Высшая школа, 1986.

10. У.Моро, Микролнтография: В 2 ч., ч.1,ч.2. ГПер.с англ. -Мл Мнр, 1990.- 606 с.

11. Г.Ф.Ивановский„В.И.Петров, Иопно-пзазменная обработка матсриаловл Мл Рядно и

связь,1986 г.,282с.

12. В. Кирсса, А. Столяров, Технологии микроэлекгроники. Химическое осаждение из газовой

фазыд Москва: «Техносфера».

13. О.Д.Парфенов, Технология микросхем Высшая школа,1986 г.

14. Родионов Ю.А. Литография в производстве интегральных микросхечд М. ! 998

15. З.ЮЛ огра, Технология ьгнкроэдектронных устройств. СправЛ Радио и связь.1991 г.,578с.

16. Нанотехнологии а электронике. Под редакцией Ю.Чаплыгина 2005 и

17. М.Дуарт, М.Палма, А.руеда, Нанотехнологии для микро- и оптоэдектроиикиб Мс Техносфера,

2007,

18. А.А. Шука, Физико-химия наноструктурных материазовд М. МФТИ, 2006.

19 А.А.Щука, В.В. Старостин, Материалы и методы нанотехнояогинД М. МФТИ, 2006.

20. Н. Герасименко, Ю. Пархоменко, Кремний - материал наноэлектроника Мс Техпосфера, 2005.

21. В. Неволин, Золдовые нанотехнологлн а элсктропикед Мэ а Гехпосфера».

Дополнительно:

22. А.М. Медведев, Технологии сборки н монтажа электронных узлоад Мл Техносфера, 2004.

23. А.М. Медведев, Технология производства печатных пла гд Мл !ехносфера, 2005.

24. Г. Красников, Н. Зайцев, Система кремний-диоксин кремния субмикронных СБИСД Мс

в Техносфера», 2004.

25. П.Харрис, Углеродные нанотрубы н родственные структуры. Новью материалы ХХ! векаГ7 Мл

«Техносфера»,2003.

Распознанный текст из изображения:

26. Ч.!3.Г!ул„Ф.Дж.Оуэнс. НанотехпологииЧ Мс «Техносфера», 2004.

27. Вил»пав Ж.-Ж. Клеевые соелииеиия материалов и техвологийд Мс «Техпосфера», 2007.

28. А.И.Гусев Ншюматернальь наноструктуры, нанотехнологии Мз Физматлит, 2005.

29. Н.Кобаяси, Введение в нанотехнологию/ Пер. с японок.Ч М» БИНОМ. Лаборатория знаний,

2005

30.Ю.М.Таиров, В.Ф.Цветков '!ехнология полупроволниковых и диэлектрических материаловЧ М., "Высшая школа", 1983

31. В.Немудров, Г. Мартин. Системы-на-кристалле. Проектирование и развитиеЧ Техиосфера, 2004, 216 с.

32. В.Варадап, К.Виной. КД>козе, Вг! МЗМС и их применение/7Гехпосфера, 2004, 528 с.

33. Нано- и микросистемпая техника. От исследований к разработкам. Сборник статей под

редакцией П.П. МатьцеваЧ Москва: Техносфера, 2005 — 592 с.

34. В. Гуртов, Твердозельпая элек~роникаЧ Москва: «Тсхносфера».

35. М. 1орлов, В. Емельянов, Л. Стро!онов, Геронтология кремниевых интшрсльиых схемЧ

Москва: «Техносфера».

36. Г. Красников, Конструктивные особенности субмикронных МОП-транзисторов (в 2-х томах)Ч

Мс Техносфера.

37. Брпайег НапйЬоо1с о!74апогесйпо!ойу. Ей. В. Впз1нпапЧ Брппйег Уег1ай Вег1ш. 7005.

38, Нанотехнология в ближайшем десятилетии. Прогноз направления исследований ! Под ред. М.К.

Роко. Р.С. Уильямса, П. Аливасатосал Мс Мир, 2002.

39. Наноматерналы. 1-!аиотсхнологии. Наносистсмная техника: сб. статей пол ред. П3 ЬМальцеваЧ

Ы.: Техиосфера, 2005.

40. В.Ф. Г!опав, Физические основы микроэлектроники: Учебно-метод. пособ.Ч Тамбов: Изд-во

'Тамб. гос. гехи. ун-та, 2001, !16 с.

41. А.В.Каменская, Технология материалов и изделий злекгронной техникиЧ Новосибирск: НГТУ.

!999. 58 с.

42. В,Айцузырсв Управление технологическими пропсссами производства микроэлектронных

приборовЧМс Радио и связь, 1984. 1 60с.

43. И.Г.Пичугин, Ю.М.Таиров Технология полупроводниковых приборовЧ Высшая школа, 1984г.,

287с.

44. 1!.А.Коледов, 1ехиология и конструкции микросхем, микропроцсссоров и микросборокгг Мл Радио и связь, 1989 г., 400с.

45. Ю.Лльтмаи, Военные нанотехнологии. Возможности применения и превентивного контроля вооружепийД Мл Техиосфера, 2006.