Вопросы/задания: (ЭЛ) Билеты к государственному экзамену 2009

Распознанный текст из изображения:

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ

МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

~ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ

БАКАЛАВРИАТА ПО НАПРАВЛЕНИЮ

551700 — ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

«Утверждаю»

Заведующий кафедрой

Физики электротехнических материалов

и компонентов и автоматизации

электротехнологических комплексов

Серебрянников С,В.,профессор

ПРОФИЛИРУЮЩАЯ ДИСЦИПЛИНА ГОСЭКЗАМЕНА

ФИЗИКА КОМПОЗИЦИОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫИ 5ИЛЕ 1 ~о 1

Теоретические вопросы

1. Анализ основных уравнений полупроводниковой электроники. Уравнение

электронейтральности, Уравнения плотностей токов.

2. Параметры транзисторной структуры на низкой частоте ~г,гэ,гь).

Практическое задание

группы ЭЛ-15-

г.Москва

Выдан студенту

Дата экзамена

Образец кремния п-типа, находящийся в состоянии термодинамического

равновесия при температуре 300 К, характеризуется слудующими параметрами:

удельное сопротивление 5 Ом.см; подвижность электронов 1600 см2.В-1с-1;

подвижность дырок 600 см~.В-1.с-~; собственная концентрация носителей 1,4,1010см-з

и эффективная плотность уровней в зоне проводимости 1019см-з. Определите:

а)концентрацик~ электронов и дырок; б)положение уровня Ферми.

Распознанный текст из изображения:

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ

МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ

БАКАЛАВРИАТА ПО НАПРАВЛЕНИЮ

551700 — ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

(<Утверждаю»

Заведующий кафедрой

Физики электротехнических материалов

и компонентов и автоматизации

электротехнологических комплексов

Серебренников С.В.,профессор

ПРОФИЛИРУЮЩАЯ ДИСЦИПЛИНА ГОСЭКЗАМЕНА

ФИЗИКА КОМПОЗИЦИОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 2

Теоретические вопросы

1. Анализ основных уравнений полупроводниковой электроники. Уравнение непрерывности (вывод),

2. Эффект Ирли, его связь с параметрами р-и-р структуры.

Практическое задание

и' = 3/1 10 Т~ ехр(-91ОО~Т~).

Выдан студенту

Дата экзамена

группы

г.Москва

Найдите положение уровней Ферми в германии, находящемся в состоянии

термодинамического равновесия. Материал легирован акцепторными атомами с

концентрацией 10 см . Значения температуры Т=О, 100, 300 и 4ООК. Считайте, что

при Т=100К ионизированными оказываются 50',4, а при более высоких температурах

ионизировано 100',4 примесных атомов. При комнатной температуре Тк имеет

равенство

Распознанный текст из изображения:

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ

МОСКОВСКИЙЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙИНСТИТУТ

~ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ

БАКАЛАВРИАТА ПО НАПРАВЛЕНИЮ

551700 — ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

«Утверждаю»

Серебренников С.в.,профессор

ПРОФИЛИРУЮЩАЯ ДИСЦИПЛИНА ГОС ЭКЗАМЕНА

ФИЗИКА КОМПОЗИЦИОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

Теоретические вопросы

1. Анализ контактных явлений. Контакты металл-металл, металл-полупроводник.

2. Стабилитрон. Принцип действия. Основные параметры.

Практическое задание

Изобразите энергетические диаграммы для транзистора типа п-р-п, работающего в

активном режиме при нормальном и инверсном включении.

Заведующий кафедрой

Физики электротехнических материалов

и компонентов и автоматизации

электротехнологических комплексов

Выдан студенту

Дата экзамена

группы

г.Москва

Распознанный текст из изображения:

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ

МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ

БАКАЛАВРИАТА ПО НАПРАВЛЕНИЮ

551700 — ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

«Утверждаю»

Заведующий кафедрой

Физики электротехнических материалов

и компонентов и автоматизации

электротехнологических комплексов

Серебренников С.В.,профессор

ПРОФИЛИРУЮЩАЯ ДИСЦИПЛИНА ГОСЭКЗАМЕНА

ФИЗИКА КОМПОЗИЦИОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 4

Теоретические вопросы

1.Электронно-дырочный переход. Равновесное состояние. Расчет ОПЗ, потенциала и

электрического поля.

2. Анализ идеальной МДП-структуры.

Практическое задание

Имеется транзистор типа и+-р-п, находящийся в состоянии термодинамического

равновесия. Изобразите графически: а)диаграмму энергетических зон;

б)распределение заряда; в)распределение напряженности электрического поля.

Выдан студенту

Дата экзамена

группы

г.Москва

Распознанный текст из изображения:

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ

МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ

БАКАЛАВРИАТА ПО НАПРАВЛЕНИЮ

551700 — ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

«Утверждаю»

Серебренников С,В.,профессор

ПРОФИЛИРУЮЩАЯ ДИСЦИПЛИНА ГОСЭКЗАМЕНА

ФИЗИКА КОМПОЗИЦИОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

Теоретические вопросы

1. Анализ влияния внешнего поля на высоту потенциального барьера и толщину

запорного слоя при контакте Ме-п~п,

2. Расчет токов транзистора. Анализ полученных выражений.

Практическое задание

Укажите, какими должны быть напряжения 13бэ и 13 б, чтобы транзистор типа и — р-и работал в режиме: а)активном, б)насыщения, в)отсечки, г)инверсном,

Заведующий кафедрой

Физики электротехнических материалов

и компонентов и автоматизации

электротехнологических комплексов

Выдан студенту

Дата экзамена

группы

г.Москва

Распознанный текст из изображения:

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ

МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

~ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ

БАКАЛАВРИАТА ПО НАПРАВЛЕНИЮ

551700 — ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

«Утверждаю»

Заведующий кафедрой

Физики электротехнических материалов

и компонентов и автоматизации

электротехнологических комплексов

Серебренников С.в.,профессор

ПРОФИЛИРУЮЩАЯ ДИСЦИПЛИНА ГОС ЭКЗАМЕНА

ФИЗИКА КОМПОЗИЦИОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 6

Теоретические вопросы

1. Анализ электронно-дырочного перехода. Равновесное состояние.

Выпрямление на р-и переходе,

2. Полевые транзисторы типа МОП, их разновидности. Анализ работы. Основные

характеристики.

Практическое задание

Вычислите коэффициент инжекции, коэффициент переноса через базу и

коэффициент передачи тока в схеме ОЭ для транзистора типа и-р-и с однородной

базой, имеющего следующие параметры Ха=10 см; %~=10 см; %=0,5мкм; Бр=0,5Вп;

1 р=1мкм; 1 п=10мкм.

Выдан студенту

Дата экзамена

Группы

г.Москва

Распознанный текст из изображения:

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ

МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ

БАКАЛАВРИАТА ПО НАПРАВЛЕНИЮ

551700 — ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

«Утверждаю»

Заведующий кафедрой

Физики электротехнических материалов

и компонентов и автоматизапии

электротехнологических комплексов

Серебренников С.В.,профессор

ПРОФИЛИРУЮЩАЯ ДИСЦИПЛИНА ГОСЭКЗАМЕНА

ФИЗИКА КОМПОЗИЦИОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

.Теоретические вопросы

1. Вольтамперная характеристика структуры с р-и переходом. Диффузионная теория выпрямления.

2, Анализ работы полевого транзистора с управляющим р-и переходом. Канал одноряднолегированный.

Практическое задание

Выдан студенту

Дата экзамена

группы

г.Москва

Два биполярных транзистора типа р-и-р отличаются тем, что толщина базы

одного из них составляет 0,9 толщины базы другого. Покажите, что токи в обоих

транзисторах одинаковы в том случае, если напряжение база-эмиттер второго

транзистора на 0,0027 В больше, чем соответствующее напряжение первого

транзистора.

Указания:1)эффективная толщина много меньше диффузионной длины;

2)рекомбинация носителей в базе не происходит; 3)ток эмиттера складывается из

тока, инжектируемого из эмиттера в базу и из тока, инжектируемого из базы в

эмиттер.

Распознанный текст из изображения:

ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ

БАКАЛАВРИАТА ПО НАПРАВЛЕНИЮ

551700 — ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

«Утверждаю»

Серебренников С.В.,профессор

ПРОФИЛИРУЮЩАЯ ДИСЦИПЛИНА ГОСЗКЗАМЕНА

ФИЗИКА КОМПОЗИЦИОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

Теоретические вопросы

Практическое задание

Для некоторого транзистора типа р-и-р задано: 1рэ=1мА; 1 =0,01мА; 1р~=0,98мА;

1я=0,001мА. Вычислите: а)статический коэффициент передачи тока базы;

б)эффективность эмиттера или коэффициент инжекции; в)ток базы и коэффициент

передачи тока в схеме ОБ.

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ

МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

Заведующий кафедрой

Физики электротехнических материалов

и компонентов и автоматизации

электротехнологических комплексов

1. Анализ емкостей структуры, содержащей р-п переход.

2. Фотогальванический эффект. Приборы на его основе.

Выдан студенту

Дата экзамена

группы

г.Москва

Распознанный текст из изображения:

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ

МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

~ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ

БАКАЛАВРИАТА ПО НАПРАВЛЕНИЮ

551700 — ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

«Утверждаю»

Заведующий кафедрой

Физики электротехнических материалов

и компонентов и автоматизации

электротехнологических комплексов

Серебрянников С.В.,профессор

ПРОФИЛИРУЮЩАЯ ДИСЦИПЛИНА ГОСЗКЗАМЕНА

ФИЗИКА КОМПОЗИЦИОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

ЭКЗАМЕНАЦИ ННЫИ 5ИЛЕТ Яо 9

Теоретические вопросы

1. Анализ контакта двух полупроводников с разной шириной запрещенной зоны.

2. Фоторезисторы. Принцип действия. Основные параметры.

Практическое задание

Для некоторого транзистора типа р-и-р задано: ?рэ=1мА; ? =0,01мА; ?~~=0,98мА; ?а=0„001мА. Вычислите: а)эффективность эмиттера или коэффициент инжекции; б)ток базы и коэффициент передачи тока в схеме ОЭ; в) значения токов ?кбо и?кто.

Выдан студенту

Дата экзамена

группы

г.Москва

Распознанный текст из изображения:

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ

МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ

БАКАЛАВРИАТА ПО НАПРАВЛЕНИЮ

551700 — ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

«Утверждаю»

Заведующий кафедрой

Физики электротехнических материалов

и компонентов и автоматизации

электротехнологических комплексов

Серебренников С.В., профессор

ПРОФИЛИРУЮЩАЯ ДИСЦИПЛИНА ГОСЭКЗАМЕНА

ФИЗИКА КОМПОЗИЦИОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ' Хе 10

Теоретические вопросы

1. Виды пробоя р-п перехода. Туннельный пробой.

2. Анализ структуры, содержащей три р-и перехода.

Практическое задание

Выдан студенту

Дата экзамена

группы

г.Москва

Идеальный и-р-и транзистор имеет площадь поперечного сечения А=10-6 м~ и

концентрацию избыточных неосновных носителей в базе около эмиттерного

перехода 102о м-з ( за счет инжекции через переход эмиттер-база), Активная толщина

базы %~=2,10-~м, подвижность электронов р =0,39мйВ с, транзистор находится при

комнатной температуре.

а)Изобразите ориентировочный график распределения концентрации электронов

в базовой области.

Б) Оцените ток коллектора.

Распознанный текст из изображения:

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ

МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ

БАКАЛАВРИАТА ПО НАПРАВЛЕНИЮ

551700 — ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

«Утверждаю»

Заведующий кафедрой

Физики электротехнических материалов

и компонентов и автоматизации

электротехнологических комплексов

Серебренников С.В.,профессор

ПРОФИЛИРУЮЩАЯ ДИСЦИПЛИНА ГОСЭКЗАМЕНА

ФИЗИКА КОМПОЗИЦИОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 11

Теоретические вопросы

1. Виды пробоя р-и структуры, Тепловой пробой.

2. Поглощение электромагнитного излучения. Механизмы поглощения.

Полупроводниковые приборы, действие которых основано на явлении

поглощения.

Практическое задание

Кремниевый транзистор типа и-р-и при комнатной температуре имеет

концентрацию примесей в базе 1,3.102з м-з и в коллекторе 1,3.10м4 м-з. Толщина

активной области базы при 13 6=0 составляет 1 мкм.

Выдан студенту

Дата экзамена

груп ны

г.Москва

Распознанный текст из изображения:

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ

МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ

БАКАЛАВРИАТА ПО НАПРАВЛЕНИЮ

551700 — ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

«Утверждаю»

Заведующий кафедрой

Физики электротехнических материалов

и компонентов и автоматизации

электротехнологических комплексов

Серебренников С.В.,профессор

ПРОФИЛИРУЮЩАЯ ДИСЦИПЛИНА ГОС ЭКЗАМЕНА

ФИЗИКА КОМПОЗИЦИОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 12

Теоретические вопросы

1. Диодная теория выпрямления.

2. Анйлиз рйботы лазерного усилителя,

Практическое задание.

Выдан студенту

Датй экзамена

группы

г.Москва

Имеется изготовленный из кремния р-и переход, находящийся при температуре

300 К, р-область перехода легирована атомами бора с концентрацией 1021 м-з.

Область и перехода легирована атомами фосфора с концентрацией 102о м-з.

Вычислите: а) высоту потенциального барьера 1)о, если 13=0; и =1,5.10и см-з;

б)координаты границ обедненной области с каждой стороны перехода, если

приложенное напряжение 13=-10 В, Параметр а =1,0б2.10-12 Ф~см.

Распознанный текст из изображения:

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ

МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

~ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ

БАКАЛАВРИАТА ПО НАПРАВЛЕНИЮ

551700 — ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

«Утверждаю»

Заведующий кафедрой

Физики электротехнических материалов

и компонентов и автоматизации

ЭЛЕКТРОТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ КОМПЛЕКСОВ

Серебренников С,В.,профессор

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 13

Теоретические вопросы

1. Анализ влияния высокого уровня инжекции на параметры р-и структуры.

2. Анализ явления переключения в тиристорной структуре.

Практическое задание

Выдан студенту

Дата экзамена

группы

г,Москва

Имеется изготовленный из кремния р-и переход, находящийся при температуре

300 К, р-область переходй легировйна йтомйми борй с концентрацией 10з1 м-з.

Оолйсть и перехОда легировйнй атомйми фосфора с конЦентраЦией1020 м-з.

Вычислите; а) барьерную емкость при напряжении -10 В, если площадь поперечного

сечения перехода 10-8 м-~; б) напряжение лавинного пробоя 1.1проб. Считайте, что

данное явление наступает при напряженности электрического поля Е=1,5.107 В~м,

Распознанный текст из изображения:

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ

МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ БАКАЛАВРИАТА ПО НАПРАВЛЕНИЮ 551700 — ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

«Утверждаю»

Заведующий кафедрой

Физики электротехнических материалов

и компонентов и автоматизации

электротехнологических комплексов

Серебренников С.в.,профессор

ПРОФИЛИРУЮЩАЯ ДИСЦИПЛИНА ГОСЭКЗАМЕНА

ФИЗИКА КОМПОЗИЦИОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

Теоретические вопросы

1. Механизм образования барьерной емкости р-и структуры.

2. Полупроводниковые лазеры. Анализ работы.

Практическое задание

Выдан студенту

Дата экзамена

группы

г.Москва

Имеется резкий р-и переход, изготовленный из кремния и находящийся при

температуре 300 К. Сначала напряжение смещения отсутствует. Затем к переходу

прикладывают такое отрицательное смещение, что ток через диод становится

равным 1 мА. Концентрация легирующих примесей по обе стороны перехода

составляет 1021 м-з, Площадь поперечного сечения перехода 10-6 м2. Вычислите

время, за которое напряжение смещения возрастет до -10 В.

Указание: прежде всего найдите заряд, накопленный в диоде, смещенном

напряжением -10 В, при известной высоте потенциального барьера.

Задано: п~ =1,5.1010 см-3; сап=1,062.10-12 Ф~см

Распознанный текст из изображения:

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ

МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

~ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ

БАКАЛАВРИАТА ПО НАПРАВЛЕНИЮ

551700 — ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

«Утверждаю»

Заведующий кафедрой

Физики электротехнических материалов

и компонентов и автоматизации

электротехнологических комплексов

Серебренников С.В.,профессор

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ' № 15

Теоретические вопросы

1. Диффузионная емкость р-и структуры.

2. Полевые транзисторы типа МДП. Анализ работы.

Практическое задание

Выдан студенту

Дата экзамена

группы

г.Москва

Распознанный текст из изображения:

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ

МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

~ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ

БАКАЛАВРИАТА ПО НАПРАВЛЕНИЮ

551700 — ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

«Утверждаю»

Заведующий кафедрой

Физики электротехнических материалов

и компонентов и автоматизации

электротехнологических комплексов

Серебренников С.в.,профессор

ПРОФИЛИРУЮЩАЯ ДИСЦИПЛИНА ГОСЭКЗАМЕНА

ФИЗИКА КОМПОЗИЦИОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 16

Теоретические вопросы

1. Анализ контакта двух полупроводников с различной шириной запрещенной

зоны.

2. Приборы с зарядовой связью. Анализ работы.

Практическое задание

Выдан студенту

Дата экзамена

группы

г.Москва

Распознанный текст из изображения:

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ

МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ

БАКАЛАВРИАТА ПО НАПРАВЛЕНИЮ

551700 — ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

«Утверждаю»

Заведующий кафедрой

Физики электротехнических материалов

и кОмпонентов и автоматизации

электротехнологических комплексов

Серебренников С.В.,профессор

ПРОФИЛИРУЮЩАЯ ДИСЦИПЛИНА ГОСЭКЗАМЕНА

ФИЗИКА КОМПОЗИЦИОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 17

Теоретические вопросы

1. Полупроводниковые структуры с отрицательным сопротивлением на ВАХ.

Туннельный диод. Принцип действия. Основные параметры,

2. Гетеропереход: анализ, свойства, сопоставление с гомопереходом.

Практическое задание

Выдан студенту

Дата экзамена

группы

г.Москва

Распознанный текст из изображения:

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ

МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ

БАКАЛАВРИАТА ПО НАПРАВЛЕНИЮ

551700 — ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

«Утверждаю»

Заведующий кафедрой

Физики электротехнических материалов

и компонентов и автоматизации

электротехнологических комплексов

Серебренников С.В.,профессор

ПРОФИЛИРУЮЩАЯ ДИСЦИПЛИНА ГОС ЭКЗАМЕНА

ФИЗИКА КОМПОЗИЦИОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 18

Теоретические вопросы

1. Виды пробоя структуры, содержащей р-и переход. Лавинный пробой.

2. Анализ контакта двух вырожденных полупроводников.

Практическое задание

Выдан студенту

Дата экзамена

группв~

г.Москва

Распознанный текст из изображения:

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ

МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ

БАКАЛАВРИАТА ПО НАПРАВЛЕНИЮ

551700 — ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

«Утверждаю»

Серебренников С.В.,профессор

ПРОФИЛИРУЮЩАЯ ДИСЦИПЛИНА ГОСЭКЗАМЕНА

ФИЗИКА КОМПОЗИЦИОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

Теоретические вопросы

1. Проводимость полупроводников. Влияние проводимости базы на параметры р-и

структуры,

2. Полевые транзисторы. МДП вЂ” транзистор, принцип действия, основные

характеристики.

Практическое задание

Заведующий кафедрой

Физики электротехнических материалов

и компонентов и автоматизации

электротехнологических комплексов

Выдан студенту

Дата экзамена

группы

г.Москва

Распознанный текст из изображения:

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ

МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

~ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

ИТОГОВАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АТТЕСТАЦИЯ

БАКАЛАВРИАТА ПО НАПРАВЛЕНИК)

551700 — ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

«Утверждаю»

Заведующий кафедрой

Физики электротехнических материалов

и компонентов и автоматизации

электротехнологических комплексов

Серебренников С.В.,профессор

ПРОФИЛИРУЮЩАЯ ДИСЦИПЛИНА ГОСЭКЗАМЕНА

ФИЗИКА КОМПОЗИЦИОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 20

Теоретические вопросы

1. В чем отличие обратной ветви ВАХ бе и Я диодов.

2. Принцип действия планарного транзистора. Особенность расчета.

Практическое задание

Выдан студенту

Дата экзамена

группы

г.Москва