Ответы: Ответы к тесту №3

Файл скачан с сайта StudIzba.com

При публикации файла на другом ресурсе, активная гиперссылка на studizba.com обязательна

Распознанный текст из изображения:

РЭДСурентгеновская энергодисперспонная спектроскопия:

1. РЭДС вЂ” детектирование рентгеновского излучения, эмитированного из материала. Позволяет получать карту распределения элементов по поверхности и производить количественный элементный анализ с пространственным разрешением 1-5 нм. Напрььзуер, профиль распределения германия в квантовых ямах (КЯ) в зависимости от условий и методик роста. На рисунке — карта распределения германии в структуре с Саеэ1 с КЯ в поперечном сечении

Карта распределения (а) и профиль распределения С1е 1))) для структуры, выращенной

методом газофазной зпатаксии Карта распределения (с) и профиль распределения Се (2))

для структуры, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

Ааевейепх Э !Ховав е1 а1 ЕЕОТЕЫ пайупв оОЬе свес!в оус2е вепеааьоп 551 вепппае и!2 оп 520 Пе реайь ассов в опав са1е

1аупа Моап Ьу Ьойа МВЕ вой СОЗЗ ХШ 101 Сам "Масювсоруоувппасопйпсйпй Ма!епаь" Ссапаьпйве ЬК 2003)

020 Ь)

„С!5

С 10.

й оов

:О М 20 и 2!

йаю ащсеа

О 35

1050 22~Фт. й)'

О 25,

0 2О,

'"О!5,

=*!О

° 2 005

О 00'а

О 5 20 !О 20

Хааовп с

Распознанный текст из изображения:

гэдс: Исследования структурных и химических свойств бе% -наноостровков, выращенных на кремниевой подложке. На рисунке — ПЭМ изображение на поперечном шлифе и распределение бе и з1 по глубине наноостровка. Разрешение по глубине для профиля распределения бе составило 5 шч.

а

а!

а ее ае б)

, еап!па!." ! пш ПЭМ изображение наноси пака С!ей! (а) я распределение Се н Я по глубине кластера. Н Юпиме, РЗ00аепе! е! а1. (ЗееаЕУ !ааааа оп и АТЕМ аааеу о!Вопи — попел!ед аопеапа1 апе еЬппеау реорпаеа ХЛ! 1и!. Сапу 'ЪЯсеоасоруо!Зеппеопепеппа Ма1епа10" ЕеапаЬгЫЕе. 11К. 20031

Распознанный текст из изображения:

С'"ЭП вЂ” спектроскопии эчектроннь!х потерь: СЭН вЂ” изучение спектров возбуждения атомов, молекул и твердых растворов Измеряется распределение энерпп! неупругосрассеянных электронов относ!пельно энергии первичного электронного зонда Низкоэнергетические потери !10-100 мэВ) — колебания атомов решетки, высокоэнергетические(1-100 эВ) — излучение атомов ВОЗМОЖНОСТИ: Элементный анализ с в локальной области с разрешением 1н2 нм Можно получать карты распределения элементов по поверхности. ПЭМ изображение ба) квантовой ямы Згт!ОЗ в Д,а, Са) МпОЗ и величина характеристических потерь в направлении роста структуры (Ь) тчра!!Ес Е!есноп езепау 1ояя яресноясорсряоГйпк отяеппсопбпсеоеЬе1еео- япб пело-язепсяпеея Взеожс ппр!епзеп1ппоп. аррьсанопя Х!П !п1 Солт "Мясеоясору отаенпсооысппв Маеепя!я" (Сяпзьпбве. ЕК. 2003).

Распознанный текст из изображения:

Сверхвыеокочуветвительный фотодетектор

(1111гавепяЫ е рЬо1ойе1ес1оп Ьавей оп пюоо1ауе2 Мо52)

1„' '. 5

0 бб

5.0

с 70.

ее=50

а

50007пас оп роесес ~5 015 5997

Л = 561 77777/

70

бао

се.о

50

б оа

07

00 спо 500 500 700

-бо -со -70 о 70 ао 01 ас '700

500

10

б об

90

270,

Распознанный текст из изображения:

Сверхвысокочувствительный фотодетектор

При низких уровнях освещенности (0,15 мкВт) фоточувствительность

составляет 880 АВт, в 10в выше, чем у первых уафеновых аналогов.

(у ФД на основе кремния — 0,1 А'Вт, пористый кремний — 0,6 А Вт).

, вооо „-

в ".

ч„=вч, ч,=-воч

юа

а в

б

-ю» °

° б" '

— бб

в

бО-б

бо,

в ч.—.

ю"

бо' бо' юч ~ адепбра ю бвбб

бб О