Книга: Расчёт допустимой дозы привносимой дефектности интегральных микросхем

Файл скачан с сайта StudIzba.com

Распознанный текст из изображения:

ББК 34.8

Редакция заказной литературы

Рецензенты: ЕвНеИвашОВ~ НД,Поляруо

П17 Панфилов Ю.В., Беликов А.И. Раочет допустимой дозы

привносимой дефектности интегральных микросхем и выбор класоа чиототы производотвенного помещения: Учебное поообие. - М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э.Баумана, 19%. - 34 о.,

иле

Приведены основы расчета допуотимой дозы привносимой дефектноста при изготовлении интегральных микросхем и методика выбора класса чистоты производственного помещения для изделий с заданными топологичеокими нормами.

Для студентов 4-го курса специальности "Электронное машиностроение .

Ил. 8. Табл. 3, Библиогр. 2 наев.

Юрий Васильевич Панфилов

Андрей Иванович Беликов

Расчет допустимой дозы привносимой дефектности

интегральных микросхем и выбор класса чистоты

производственного помещения

Заведующая редакцией Н.Г,Ковалевская Редактор Г.А. Нилова Корректор Л.И.Малютина

Подписано в печать 04.09.96, Формат 60х84/16. Бумага тип. М 2.

Печ.л. 1,5, Усл.печ.л. 1,39. Уч,-изд.л. 1,31,

Тираж1 00 акз. Изд. й 44, Заказ й - о С У ~

Издательство МГГУ им. К.Э.Баумана

Современные интегральные макроохвмы - большие (БИС) а сверхбольшие (СВИС) - мокко производить эффектавыо т0лько пра выполнении требований по технологической гигиене, т.е. при сведении к минимуму дефектности, привносимой на полупроводиаковые пластины в течение всего маршрута ах обработки. Поэтому при конструировании оборудования для изгмашеиия БИС и СБИС наряду с традиционными - вакуум, точность позиционирования, быстродействие, безотказность и другие критерии - появился новый - минимум привносимой дефектности. Однако в настоящее время недостаточно хорошо в учебно-методической литературе изложены вопросы, связанные о расчетом и выбором по этому критерию параметров оборудования, к которому относятся и технологические установки, и транспортно-загрузочные механизмы, и устройства хранения изделий, а также специальные помещения, в которых находятся все перечисленные элементы; их называют "чистые комнаты" или "чистые производственные помещения".

В данном пособии предложен расчет дозы привносимой дефектности только в атмосфере чистых производственных помещений.

Расчетам потоков микрочаатиц и технологическом оборудовании будут посвящены другие учебные и методические материалы.

1. ФОВКРОВАНИЕ ИНТЕГРИРОВАННЫХ ПИОКОВ

МИКРОДИСПЕРСНЫХ ЧАСТИЦ И ИХ ВЛИЯНИЕ НА %ХОД ГОДНЫХ ИС

Микродисперсные частицы (МЖ) относятся к классу аэрозолей - взвесей твердых или жидких частиц в газовой среде, т.е. представляют собой двухфазную систему, состоящую из частиц и газовой фазы. В пространство чистых производственных помещений (ЧПП) и технологического оборудования МДЧ в виде микро- частиц пыли и продуктов износа механизмов проникают через фильтры магистралей циркуляции воздуха и выделяются из работающих мешин и обслуживающего их персонала. Твердые частицы составляют небольшую долю от объема, в котором ойа находятся,

3

Распознанный текст из изображения:

Коэффициенты осаждения определяем, используя теоретические значения плотности дефектности для случая о ламинарным потоком воздуха:

экс ~ теор

~ос~,) дви ) '

Результаты расчета ~( по формуле (12):

Д, , мкм О,Х 0,2 0,5 Х,О

(12)

~дс 0,0016 0,005 0,026 О,С67

С помощью полученных значений эмпирических коэффициентов осаждения', у~, можно определить дозу микродефектности, которую получат полупроводниковая пластина за время ее нахождения в ЧПП. С учетом выражений (Х), (ХО), ИХ), И2) окончательная формула для расчета плотности привнесенной дефектнооти будет иметь вид

-ф ~ Лом -2,$7

З. 7,829 10 10 у 7 с~ .' 1, (13)

д ОС) В

где а'., Мкм; ~~~, м/о, З., шт./см2.

Поиме2. Определить класс чистоты производственного помещения, в котором должна производиться обработка псаупроводниковых пластин, если известно, что на протяжении процесса изготовления-пластины находятся в атмосфере ЧПП в течение 40 мин. При этом брак кристаллов от загрязнений иэ атмосферы ЧПП должен составлять не более 20 ~. Параметры кристаллов: площадь- 0,6 аР, доля площади, занятой микроструктуреми, - 0,5, минимельньй размер элементов топологии — 2 мкм.

Согласно выражению (7), допустимая плотность привносимой дефектности определяется для частиц размером с~ по заданному коэффициенту выхода годных, параметрам микросхемы и критичеокоцу размеру микрочастиц, приводящих к браку, который считается равным 0,1 минимального размера топологии и, следовательно, равен 0,2 мкм. Дозу дефектности, полученную пластиной, определяют по формуле (13). Приравняв правые части выражений (7) и (13) и решив их относительно показателя класса чистоты помещения т, получим

®

Асуехр~ "Е]х7ЯЦ К ху

/ ~ Ое~

Определим по полученной формуле значения ~т~ для различных значений размеров частиц, начиная с минимального (0,2;

0,5; Х,О мкм). Иопсльзуя при атом значения коэффициентов осаждения, раоочитанных по формуле (12), получим:

0 4 (для с~ = О 2 мкм) °

ш = Х,05 (для с1 = 0,5 мнм);

~п = 1,6 (для с1 = Х,О мкм).

Показатель 7п Х соответствует классу ЧПП ХО, 77~ О- классу Х. Таким образом, для обеопечения заданных: выхода годных микросхем, параметров ИС, времени нахождения полупроводниковой пластины в атмоофере ЧПП необходимый класс чистоты производственного помещения лимитируетоя значением критического размера МДЧ с~ = 0,2 мкм и представляет собой ЧПП класса Х. При изменении условий или параметров ИС необходимо повторно рассчитать параметры класса чистоты. Если в условиях уже существующего помещения требуется наладить выпуск другой ИС, то предложенная методика позволяет рассчитывать предельное время пребывания полупроводниковой пластины в атмосфере ЧПП.

КОНТ РОЛЫШЕ ВОПРОСЫ

1. Чем определяются свойства аэрозолей? Какие сходства и различия обнаруживаются при сопоставлении газа без загрязнений с атмосферой ЧПП?

2. От каких факторов зависит доза привносимой дефектности, которую получит полупроводниковая пластина, находясь в атмосфере ЧПП?

3. Какие факторы могут влиять на выход годных, получаемых на полупроводниковой пластине микроструктур и чем определяется выход годных микросхем по параметру "привносимая дефектность" 7

22

Распознанный текст из изображения:

4. Какие требования предъявляются к ЧПП при производстве современных псдупроводниковых приборов? В чем смысл стэцдарта, который регламентирует состав атмосферы ЧПП?

б, Какие факторы влияют на скорость осаждения и плотность потока МДЧ?

6. Какая существует связь между концентрацией микродисперсных частиц в атмосфере ЧПП и плотностью осевших на поверхность пластины МЛЧ?

СПИСОК ЛИГЕРАТУЖ

1. Чистые помещения / Под ред. И.Хаякавы: Пер. о яп.

М„. Мир, 1990. 456 с.

2. Панфилов Ю.В. Расчет допустимой дозы привносимой дефектности на этапах изготовления микросхем // Проиэводственнотехническая экология в микроэлектронике: Сб. неуч. тр. / МИЗТ, М., 1991. С. 28-36.

01ЕАВЕ ЕНИЕ

Введени

д ние ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ев ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ф ° ° е ° ° ° ° е ° е ° °

1. Формирование интегрированных потоков микродисперсных

частиц и их влияние на выход годных ИС ,......,...,., 2, Требования к чистоте воздушной среды при производстве

современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем е ° ° ° ° ° ° ° ° ве ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° е ° ° ° е ° ° ° ° 3. Методика расчета дозы привносимой дефектности интет~

рельных микросхем и выбор класса чистоты производственного помещения .....,.............................

Контр» ж

р~зйыю вопросы ....................................

Список литературы ......................................

Распознанный текст из изображения:

и поэтаму такие свойства аэрозолей, как плотность и вязкость, очень незначительно отличаютоя от овойств чистого газа.

Размеры МДЧ в наибольшей отепени определяют их поведение и оказывают сильное влияние на многие свойства аэрозолей. Лля их описания важными факторами являются и распределение частиц по размерам, и свойства отдельных микрочаатиц. При производстве изделий электронной техники типичные Размеры М)Я ооотавляют от 0,01 до 10 мим. Важной характеристикой аэрозолей является плотность частицы, которая влияет на скорость и траек-. торию движения МЯЧ в технологичеоких средах.

Из всех характеристик аэрозолей, которые поддаютоя измерению, самыми важными являются концентрация и поток частиц. В ЧПП определяют концентрацию как количество ЖБ в единице объема, для технологического же оборудования более информа тивннм параметром является поток, т.е. количество выделяемых и осеждэющихся частиц на единицу поверхности в единицу времени «

Анализ воздействия МДЧ на параметры формируемых микроструктур больших и сверхбольших интегральных микросхем, нричин и источников их образованИЯ, а также результаты пронэноД- ственных исследований наводят на ассоциацию с "дождиксм" из мДч (рис. 1), то усиливающимся, то ослабевающим, нод которым находится каждая полупроводйаовея пластина во время прохождения технологического маршрута.

За исходный уровень плотности привнесенных на подложку дефектов можно принять величину Д = 0,015 шт./см о размерами МДЧ с~ ъ 0,3 мкм или Ц= 0,05 шт./см2 с с~ > 0,2 мкм, т.е. уровень дефектности пластин, достигаемый псоле обработки современными методами химической очистки. Каждая технологическая операция и переход характеризуются соответствующей длительностью 1,- и потоком осэждающихся на рабочую поверхность подложки микродисперсных частиц Я/,, вающих разброс по Размерам с~ (,у = ~... Й ) . В связи с этим на каждой рабочей, вспомогательной (для обеспечения холостых ходов) и транспортной позициях при межоперационнсм хранении подложек на их рабочих поверхностях формируется определенная доза привнесенных дефектов

И)

Распознанный текст из изображения:

Полученная подложкой доза привнесенных дефектов на протяжении

всего технологического маршрута приводит к снижению выхода

годных микросхем согласно формуле

и

Ч„= ПЧ„,,

где ~ . - коэффициент выхода годных микросхем на ~ -м этапе

Гс

технологического процесса, включающего и операций.

Юля обеспечения требуемого выхода годных изделий необходимо добиться такого уровня привносимой дефектности на полупроводниковых пластинах, который не превышал бы допустимый:

(3)

~т 2

ще ~В Я - допустимая суммарная плотность дефектов (или МДЧ) критического размера, обеспечивающая экономически допустимый или просто назначенный выход годных микросхем ( э ]; йколичество интервалов, на которые разбит вЕсь интервал размеров МДЧ.

для каждой $ -й операции ~З,. 1 можно расочитать по представленной ниже методике.

На рис. 2 представиены предложенные авторами работы ~21 графики зависимости коэффициента выхода годных интегральных микросхем от поверхностной плотности 0 (дозы привнесенной дефектности). Эти модели имеют существенный недостаток, заключающийся в неопределенности численного значения критического размера микрочастицы, оказывающей поражающее воздействие на микроструктуру ИС. С учетом критического размера микрочастицы а'„„, а также доли площади кристалла ИС, занятой микроструктурами у , коэффициент выхода годных микросхем по параметру "привносимая дефектность" можно определить по следующей формуле:

Чг=еЧЧ-~А ~~ И=~ )1

3десь Р(й ~ с~ )- доля попавших на кристалл микрочастиц

В~

с размерами большими, либо равными критическому размеру микро-

частиц (принято считать, что с~, = О, 1 ~~,~, где

минимальный размер элемента топологии ИС).

6

Об

ю,г

Рис. 2. Анализ моделей для расчета частного коэффициента выхода годных т~„микросхем с площадью кристалла А = Х см2

по критерию привносимой дефектности

Таким образом, в выражении (4) учитываются только те дефекты, которые приводят к браку микросхемы.

В зависимости от дисперсионного состава МДЧ и характера распределения их по размерам выражение (4) можно преобразовать к виду: при экспоненцизльном законе распределения

= ехр ~-ЗЯ су ехр (- с~ /~~)1 где Х - средний диаметр частиц; при логарифмически нормальном законе распределения

1п с~„~ — 1п с~ =ехр -ЮАс~ 05-Ф ~ (")

)и с( где ф - нормированная функция Лапласа; б - среднеквад-

1у~ с~ ратичное отклонение размеров МДЧ.

7

Распознанный текст из изображения:

Вч,икр Лье~

(~~ ИКМ Рис. 3. 1рафики, иллюстрирующие расчет частного коэффициента выхода годных ч,. микросхем с различной информационной емкостью от 4К до 4М: а - зависимость количества частиц Ю~ от их диеметра с~ ~ йа всей поверхности полупроводниковой подлскки ( й,, = 0,71 мкм, Х) = 10,4 шт./см); б — функция распредения веРоятности случайной величины: ~~[р(С1~ Й„р)=ехр( Г7~~)1 8

На рис. За,б приведены графики, иллюстрирующие расчет выхода годннх микросхем по критерию "привносимая дефектность", выполненный по формуле (5), Представив дия примера за исходную информацию реальное распределение МДЧ на подложке диаметром 100 мм, прошедшей через промышленную установку нанесения тонких пленок в вакууме; ОПШ-7-015 Г23, определили коэффициенты выхода годных микросхем с информационной емкостью от 4К до 4М.

Разультаты расчета показывают, что, во-первых, без учета Н козффшциент выхода годах может быть занижен до 20 ф,

Кр

во-вторых, на одной из самых современных уотановок, ОБИ-7-015 относительно зффективно можно изготавливать структуры только при информационной емкости микросхем менее 64К (29$ выхода годных), обработка микросхем 256К даат выход годных 9 ~, микросхем 1М - 3 $, микросхем 4М - О,Х $.

С помощью выражения (4) можно решать и обратную задачу: по заданному козффициенту выхода годных ~„рассчитать допустимую дозу привносимой дефектности ~ Я 1, т.е. сформулировмь требования по критерию привносимой дефектности для технологического оборудования, чистых производственных помещений, транспортных устройств, средств хранения подложек между операциями и др. Выражение (5) можно преобразовать следующим образ сме

)~ ~3/~„)

1И- (7)

А Ч екр ( с~ / с~ ~

Построенные по формуле (7) кривые Щ = ~Я) (рис. 4) характеризукз, допустимое распределение дозы привнесенных микрочастиц на поверхность полупроводниковых пластин, при котором обеспечивается заданное качество обработки и выход годных микросхем. Так, для обеспечения на одной из технологических оперой изготовления микроструктур ИС с информационной емкостью от 4К до 4М выхода годных, например 20 $, необходимо, чтобы плотность привнесенных дефектов не превышала 1000 шт./см2 и 3 шт./см2 размером 0,2 мкм 75 шт,/см2 и 2 шт./см2 размером 1 мим; 40 шт./см2 и 2 шт./с размером 5 мкм соответственно и т.д.

Распознанный текст из изображения:

[В], шт.,~~и~

1000

100

16К

0,1

4М ~=0,95

0,01

0,01

0,1

Таким образом, для определенного типа микросхемы и режимов ее обработки на одной из технологических операций, для которой известна площадь кристалла Я, доля ее активной части су, а также критический размер микрочастиц с~„~, при заданном на данной операции коэффициенте выхода годных изделий с „по формуле (7), получаем зависимость

~1)3 = а/ехр (-Ь/а),

(8)

где ц =1п (1/~ ) /(4 ~ со) и Ь = с7„- константы для данных

уоловий обработки микросхемы.

Для обеспечения требуемого качества обработки подложек и выхода годных микросхем на рассматриваемой технологической операции должно выполняться условие: количество и дисперсионный состав микрочаст~щ, попадающих на рабочую поверхность пластины, не долины превышать рассчитанной по формуле (8) доцустимой дозы привнесенных дефектов.

Анализ формулы (8) показывает, что требования по привносимой дефектности на различных этапах технологического процесса изготовления микросхем неодинаковы. Это связью о существенным различием для одной и той же микросхемы площади кристалла, занятой микроструктурэми 1параметр с~ )„ и критических размеров МД% на начальных и конечных стадиях изготовления микроструктур. Так, параметры могут изменяться в диапазонах с~ = 0,1...0,7, а с~„ = 0,05„ .3 мкм.

Таким образом, выражеййе 18) позволяет рассчитывать допустимые дозы привносимой дефектности на этапах изготовления микросхем при заданных по экономическим соображениям коэффициентах выхода годных кристаллов.

Рис. 4. Допустимая плотность привносимой дефектности ГИ обеспечивающая заданный частнйй коэффициент выхода годных микросхем Ч„при попадании на подложку частиц диаметром

~„(информационная емкость микросхем от 4К до 4М3

Чтобы на рассматриваемой операции повысить выход годных микросхем с информационной емкостью, например 4М, до 80 и 95 ф, необходимо создать такие условия, при которых на 1 см2 поверхности подложки попадет не более 200 шт, и 30 шт, привнесенных микрочастиц размером 0,01 мкм, не более 0,7 шт. и 0,15 шт, микрочастиц размером 0,1 мкм, не более 0,3 шт. и 0,07 шт.

микрочастиц размером 1 м~и соответственно и т.д.

10

2. ТРЕБОВАНИИ К ЧИСТОТЕ ВОЗДУШНСЙ СРЕДЫ

ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ СОВРЕМЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОЖХ ПРИБОРОВ И

ИНТЕГРАЕЬНЫХ МИКРОСХИИ

К атмосфере ЧЦП предьявляются требования по давлению, температуре, влажности и вентиляции воздуха, вибрации фундамента здания, статическому электричеству, электромагнитным наводкам и т.п. Однако важнейший параметр - чистота производственной среды. Максимальная для промыпленных производств степень чистоты достигнута в технологии СВИС, где контролируемая кон-

Распознанный текст из изображения:

центрация частиц размером более О,Х мкм составпяет менее десяти МДЧ на кубический метр. Совершенствование Чистых помещений тесно связано с развитием полупроводниковой технологии.

Последовательная миниатюримция элементов ИС приводит к тому, что максимальный размер частиц, которым можно пренебречь, неуклонно уменьшаетоя и достиг уже значений менее О,Х мкм.

Очевидно, что для увеличения выхода гадых высококачеой венных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем необходимо создание автоматизированных технологических каб~- лексов и исключение непосредственного контакта человека о об рабатываемыми изделиями. Автоматизированные технологические процессы наилучшим образом сочеташтся с чистыми помещениями коридорного типа, пылезащитными «амерами и методом работы "из кассеты в кассету" (полупроводниковые пластины шиптучно передаются из стандартной кассеты непосредственно в технологическую установку и так же возвращаются после обработки в ту же или другую кассету без участия оператора).

Как уже было отмечено, характер движения МДЧ в газе определяется их размером и плотностью. На рис. 5 показаны диапазоны действия законов движения взвешенных частиц при осаждении под действием собственного веса в зависимости от их размера.

Для интересующего нас диапазона размеров МДЧ (см. $ 1) в соответствии с уравнением Стокса скорость осаждения частиц пропорциональна квадрату их диаметра, и эта зависимость становится менее сильной по мере уменьшения размеров МДЧ.

О, ОХ О, Х Х, О ХО ХОО ХООО ХОООО мкм Диаметр

частиц

Закон

двизвюи,р

Броуновское Стокса - Стокса Аррениуса Ньютона

движение Ханингама

Рис. 5. Законы движения взвешенных в воздухе частиц

при осаждении в зависимости от диаметра

рф 3 ХООООО

С, шт Г„з. ХОООО ХООО

03 ХО

02 О,Х

ОХ 02 '03 05 Дду мкм рис 6 Федерал ый ст ндарт США Рз -2090 на чистые и сверх чистые помещения ( С - концентрация микрочастиц в атмосфере

помещений; с~, - диаметр частиц)

Эффективность производства изделий электронной техники во многом зависит от правильного выбора класса чистоты производственного помещения, причем необходимо учитывать, что недостаточная чистота воздуха приводит к большим потерям годных структур, а слишком завышенный класс чистоты может привести к неоправданным расходам на строительство и содержание ЧПП. (см. рис. 1). 3 мировой практике для определения класса ЧПП существуют требования к чистоте воздушной среды, предусмотренные Федеральным стандартом США ~З -209С (рис. 6).

Согласно атому стандарту каждый класс чистоты характеризуется строго определенной концентрацией микрочастиц С заданного размера с~ . 0 принципиальной приемлемости того или иного класса ЧПП для хранения, транспортировки и обработки ИС можно судить по геометрическим параметрам микросхем, приведенным в табл. 1.

12

Распознанный текст из изображения:

С3

й 3

СЭ

Ю

а

СР

со

о

Оо

о

н

С)

н

о о

3

ИЪ

1 4

Ф

Ю

М СР

о

о

%

3с 1

Из этой таблицы следует, что ИС с информационной емкостью 4К можно изготавливать в ЧПП классов ХООООО, ХОООО и ХООО, так как критический размер МДЧ для этих микросхем, равный 0,5 мкм, соответствует наиболее многочисленным микрочастицам иэ всех контролируемых в этих помещениях.

Для ИС Х6К и 64К с с~„~ 0,35 мкм и 0,26 мкм соответственно приемлем класс ХОО, в котором минимальный контролируемый размер МДЧ составляет уже 0,2 мкм. цля изготовления микросхем с информационной емкостью 256К, Б и более требуется чистота воздуха производственного помещения класса ХО и выше, в которых контролируются МДЧ с минимальным размером О,Х мкм.

В табл. 2 приведена характеристика степени чистоты воздуха в ЧПП класса ХО. Необходимо обратить внимание на то, что поведение частиц в атмосфере помещения этого класса подчиняется закову Стокса и броуновскому движению, поэтому анализ движения на основе только одного из этих законов будет некорректным е

Таблица 2

Ч~ф

С) С)

Характеристика среды в помещении клааса ХО

для производства ИС и БИС

Распознанный текст из изображения:

требованиям к качеству и выходу годных изделий.

При определении исходных данных расчета необходимо учитывать два возможных варианта осаждения частиц на поверхность:

а) под действием собственного веса со стационарной скоростью У , рассчитываемой по закону Стокса;

б) из потока прошедшего через фильтры и движущегося со скоростью К ламинарного потока воздуха системы вентиля-

В

ции ЧПП

Согласно закону Стокса, скорость стационарного осаждения У зависит от материала частицы и ее размера, а также

с

от вязкости воздуха; ее можно рассчитать по формуле

~ УЫ

18~

(9) где с~ - характерный размер (приведенный диаметр) частицы, м; р - плотность материала частицы, кг/м3; д - ускорение свободного падения, м/с ; ~ - динамическая вязкость газа, равная

2.

Х,8Х2 10 Па.с для воздуха при температуре Т = 293 К.

5

Так, для частиц из железа ( р= 7,8 кг/м3) скорость стационарного осаждения для с~ = 0,1; 0,2; 0,3; 0,5 мкм составит К = 2,3.10 ~; 9,4.10 ~; 2,1.10 5; 5,9.10 5 м/с соответстс

венно.

Скорость ламинарного потока воздуха системы вентиляции ЧПП лежит в пределах 0,3...0,5 м/с; это обеспечивает избыточное давление в ЧПП, равное примерно 40 Па.

Указанные случал, однако, определяют лишь границы, в которых находятся реальные значения скоростей МДЧ в атмосфере ЧПП, так как существует множество факторов, которые влияют на дозу дефектности, полученную пластиной: это и различный материал частиц, и их электрический заряд и магнитный момент, а также состояние поверхности полупроводниковой пластины и ее заряд. Одновременное воздействие всех этих факторов и, кроме того, сложный характер обтекания ламинарным потокам пластины (рис. 7) приводит к тому, что не все частицы, находящиеся над пластиной, осядут на нее.

18

Рис. 7. Иллюстрация характера обтекания полупроводниковой пла

лам

стины леминарным потоком воздуха; ~' - составляющая ско-

Ч.

ст

рости частицы под воздействием ламинарного потока; Ч вЂ” составляющая скорости от стационарного осаждения. А - зона наи.менее вероятного попадания частицы на пластину; Б — зона н и-

более вероятного попадания частицы на пластину

Поток осажпающихся на подложку микрочастиц (используя аналогию "дождя", каплями которого являются МДЧ различных размеров) одного размера с~,. (для ~-й операции, проводимой в определенном классе чистоты ЧПП по Р9-2090) равен:

~Г =~~ К, (10)

Здесь С. — концентрация МДЧ с размером с~. в атмосфере ЧПП, .

,7

которую можно определить, используя следующую зависимость Г 11:

19