Вопросы/задания: Вопросы к экзамену

Вопросы по электронике:
1:Физические процессы в равновесном p-n переходе.
2:p-n переход при прямом и обратном смещении.
3:Реальный ВАХ р-п перехода и причины отличия от идеального.
4:Ёмкости р-п перехода и вольт-фарадная характеристика.
5:Диоды Гана.
6:Лавинно-пролётные диоды.
7:Устройство биполярных транзисторов. Распределение примеси, схемы включения, режимы работы.
8:Физические процессы в биполярном транзисторе. Эффект Эрли.
9:Коэффициенты передачи тока в транзисторе.
10:ВАХ транзистора для схемы с общей базой. Режимы работы,
h-параметры.
11:ВАХ транзистора с общим эмиттером. Режимы работы, h-параметры.
12:Высокочастотные свойства транзистора и эквивалентные схемы.
13:Работа транзистора в ключевом режиме, импульсные параметры.
14:Особенности транзисторов интегральных схем. Паразитный транзистор, скрытая п+-область.
15:Диодное включение транзистора интегральных схем и их параметры.
16:Физические процессы в МДП транзисторе. Режим обеднения, инверсии, обогащения, пороговое напряжение.
17:Структура дискретного МДП транзистора с индуцированным р-каналом. Принцип управления током, ВАХ.
18:Механизм образования канала и протекание тока в МДП транзисторе ВАХ.
19:Параметры полевых транзисторов.
20:Высокочастотные свойства полевого транзистора, эквивалентная схема.
21:Особенности полевых транзисторов интегральных схем.
22:Структура полевого транзистора с управляемым р-п переходом, принцип управления током, ВАХ.
23:Тиристор. Структура, принцип действия, ВАХ.
24:Вакуумные диоды. Устройство, назначение, характеристики.
25:Вакуумные триоды. Устройство, назначение, характеристики.
26:Вакуумные триоды. Устройство, назначение, характеристики.
27:Особенности диапазона приборов СВЧ. Физические процессы в двух резонаторном клистроне.
28:Клистроны. Классификация, устройство двух резонаторного клистрона, назначение элементов, резонатор.
29:Отражательный клистрон. Устройство, назначение элементов.
30:Устройство Лампы бегущей волны типа “O”. Назначение элементов, замедляющая система, свойства.
31:Физические процессы, параметры, характеристики ЛБВ-О.
32:Устройство ЛБВ, принцип действия.
33:Принцип действия приборов типа “H”, движение электронов в скрещенных полях.
34:Колебательная система магнетронов. Процесс образования спиц.
35:Рабочие характеристики магнетрона.
36:Физические процессы в ЛБВ-О. Физические процессы усиления колебаний.
37:Метроны. Устройство, назначение, характеристики.
38:Амплитроны. Устройство, назначение, характеристики.
39:Устройство и принцип работы ЭЛТ. Электромагнитная и электростатическая отклоняющие системы.
40:Экран ЭЛТ. Отклоняющая система.
41:Цветной кинескоп.
42:Фоторезистивный и фотогальванические эффекты и их применение.
43:Фоторезисторы. Устройство, принцип действия, параметры характеристики.
44:Лавинные фотодиоды. Устройство, принцип действия, параметры характеристики.
45:p-i-n фотодиоды. Устройство, принцип действия, параметры характеристики.
46:Фото ПЗС. Устройство, принцип действия, параметры характеристики.
47:Оптроны. Устройство, принцип действия, параметры характеристики.
48:Светодиоды. Устройство, принцип действия, параметры характеристики.
49:Плазменные панели. Устройство, принцип действия, параметры характеристики.
50:ЖКИ. Устройство, принцип действия, параметры характеристики.
51:Физические основы квантового усиления. Спонтанные и индуцированные переходы, характеристики и взаимосвязь.
52:Инверсия населенности и методы её получения. Взаимодействие с инверсной средой. Ширина контура спектральной линии.
53:Оптические резонаторы. Спектр излучения лазеров и условия генерации.
54:Гелий-неоновый атомарный лазер.
55:Твердотельный лазер. Лазер на рубине.
56:Полупроводниковые инжекционные лазеры.