05.27.06 — Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИИ И НАУКИ РОССИИСКОИ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЬтСттБЗГО ОБРАЗ ОттА тттт Я кМОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (национальный исследовательский университет)» (МАИ) КАччйДРА РАДйиэ3ЙКТг О пиал> Ть|ЙКО)йФХЪ паьАцве И гиьНОТалйОййпй ((УТВЕРЖ)ТА ГО» ституты № 2 П.А. Иосй~уйВ ПРОЙТЛММ.Рт. ВСТУПИТЕЛЬНОГО ИСПЫТАНИЯ ПО НАы.-АВлх,.АППО ПОДГОТОВКИ И.йб.йХ ЭлыКТРОЬиьА, РАДИОТЕХНИКА И СИСТЕМЫ СВЯЗИ ПО С1..1Ы.

>,ИАаНОСП1 05 27 06 ПХНОЛОПИ И ОБОРУДОВАНБ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, МАТЕРИАЛОВ И ПРИБОРОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ. Москвы - 2017 ТЕМА 1. Физическое распыление при изготовлении СБИС Металлизирующее контактное покрытие. Диффузионный барьер. Металлизация для диодов Шоттки.

Осаждение алюминиевого сплава методом совместного распыления. Силициды тугоплавких металлов для металлизации затвора. Влияние смещения и давления на напряжения в пленке. Осаждение диэлектрических пленок. Присоединение кристалла. ТЕМА 2. Стимулированное плазмой осаждение из газовой фазы пленок переходных металлов, их силицндов и диэлектрических пленок Общие принципы стимулированного плазмой осаждения. Стимулированное плазмой осаждение из газовой фазы пленок переходных металлов и их силицидов. Стимулированное плазмой осаждение из газовой фазы диэлектрических пленок. Осаждение некоторых специальных материалов, ТЕМА 3 Трехслойный резист Плазменная обработка. Ограничения, связанные с использованием однослойного резиста, Формирование маски для травления.

Применение масок. Трехслойный резист. Двухслойные системы резистов, ТЕМА 4. Основные принципы применения плазменного травления для изготовления кремниевых приборов Принципы изотропного и анизотропного травления Химические процессы в плазме и на поверхности. Селективность при плазменном травлении.

Травление во фторобразующей плазме. Травление органических материалов в кислородной плазме. Травление в плазме, образующей фторуглеродные радикалы. Травление в плазме, содержащей атомы хлора и брома Травление в водородной плазме. ТЕМА 5. Реактивное ионное травление Общие принципы реактивного ионного травления. Параметры процесса и их роль, Травление некоторых специальных материалов и структур. Оборудование.

ТЕМА 6. Ионно-лучевое травление Физика ионно-лучевого травления. Характеристики ионно-лучевого травления, Области применения ИЛТ. Оборудование для ионно-лучевого травления. ТЕМА 7. Реактивное ионно-лучевое травление Физико-химические основы реактивно ионно-лучевого травления. Ионные источники. Применение реактивного ионна-лучевого травления. 'ТЕМА 8. Диагностика плазмы и определение момента окончания процесса травления Методы измерений. Параметры плазмы. Определение момента окончания процессатравления. ТЕМА 9, Развивающиеся методы травления Высокоскоростное РИТ с использованием магнетронного разряда.

Пробой подзатворного оксида. Травление атомными и молекулярными пучками. Травление под действием УФ-облучения. ТЕМА 10. Датчики и сенсоры. Основные параметры, свойства, технология получения. Области применения, основные параметры и тенденции развития сенсоров. Классификация сенсоров -электрохимические, полупроводниковые, физико-химические сенсоры, биосенсоры. Принцип действия полупроводниковых и электрохимических газовых сенсоров. Катализаторы. Твердые и жидкие электролиты.

Типы электродов электрохимических сенсоров. Ионная и электронная проводимость. Окислительно востановительные реакции на электродах. Каталитические процессы на трехфазной границе газ/электролит/электрод в газовых сенсорах. Транспортные свойства через границу электролит/электрод. Химическая и физическая стабильность сенсоров. Технология получения полупроводниковых и электрохимических газовых сенсоров. Особенности применения тонкопленочных нанокомпозитных, многослойных и наноструктурированных материалов в производстве сенсоров. Применение ионноплазменной технологии для формирования сенсорных структур ТЕМА П. Многослойные полупроводниковые структуры Классификация многослойных структур.

Квантово-размерные эффекты в многослойных структурах. Методы анализа структуры и свойств многослойных структур. Технология получения ' многослойных структур с наноразмерными слоями .„ Технологические и физические ограничения при изготовлении многослойных структур. Ионна-плазменная технология синтеза многослойных С/С и Ме/С структур. Области применения многослойных структур. Сорокин И.Н., Акуленок М.В. Технология электронных компонентов. М.: МИЗТ, 1999.

Рекомендуемая литература 1. Раскин А.А., Картушина А,А., Баровский Н.В. Технология материалов электронной техники. М.: МИЭТ, 1999. 2. Афанасьев В.П., Ганенков Н,А., Пщелко Н.С. Материалы и компоненты функциональной электроники. СПб: СПб ГЭТУ (ЛЗТИ), 1999.

3. Арзамасов Б.Н., Макарова В.И„Мухин Г.Г. Материаловедение. / под ред Б,Н. Арзамасова М.:Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2002. 4. Айвазов А.А., Будагян Б.Г., Вихров С.П„Попов А.И. Неупорядочные полупроводники. М,: Изд-во МЭИ, Высшая школа., 1994. 5. Б дагян Б.Г. Ше МИЭТ, 1999. у, Ш рченков А.А. Материалы твердотельной эле электроники.

.М,: 6. Г сев А.И. е у .И., Ремпель А.А, Нанокристаллические материалы. М.: Физматлит > 2001. 7. Технология СБИС . В 2-х кн. / под ред. С. Зи М.: Мир, 1986. 8. Б о ай И. М р уд " ., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. М.:.Мир '1985. 9.

Красников Г.Я. Конс труктивно-технологические особенности субмикронных МОП - транзисторов. М.: Техносила, 2002. 10. Данилин Б.С., Ки еев В.Ю. П р .. рименение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов М.: Энергоатомиздат, 1987. 11, Данилин Б.С.

Применение низкотемперат"Тно" ур и плазмы для нанесения тонких пленок. М.: Энергоатомиздат, 1989. . 12. Сорокин В.С. Мето т фо ° и дь ф рм рования полупроводниковых сверхрешеток и квантоворазмерных структур СПб.: СПб ГЭТУ, 1996.

13. Ганенков Н.А., Закжевский В.И., Пчелко Н.С. Тео ия и асчет злектромеханических п еоб пр образователеи на активных диэлектриках. РИО ЭТУ ! 995. \ 14. Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердо . М: В р ого тела.: ысшая школа, 2000. 15. Кар дона М. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит, 2002. 16. Райзе Райзер Ю.П. Физика газового разряда. М.: Наука, 1987.

17. Пих Пи тин А.Н. Оптическая и квантовая эле; —.,„. М.:В ;.—,„оника..: ысшая школа, 2001. 18. Куха кин Е.С. Э "р .. лектрофизика информационных систем. М.: Высшая ' школа, 2001. 19. Введение в микромеханику/ под. ред. М.О . М.: М нами..: Металлургия, 1987, 20. Рычина Т.А., Зеленский А.В. Устройства н ион оиства функциональнои электроники а ериалы..: адно и связь, 1989. 2 . 1П. к А.А.

Функциональная электроника М.: МИРЭА, 1997. 22. Красников Г.Я., Зайцев Н.А. Физико-техноло качества СБИС.М.: Ми крон-принт, 1999, 4,1 ологические основы обеспечения 23. М 2 . Методы исследования состава и с техники. 4.1. Методы иссле о и структуры материалов электронной оды исследования состава материалов эле Коркишко, А,Г, Борисов Н.Г. Никитина и .

По ..., .. 7 а и дР. Под Ред. Ю.Н. Коркишко. М.:МИЭТ, 1997, 24. Матына Л.И., Федоров В.А,, Коркишко Ю. состава и структуры м оркишко Ю. Н. Методы исследования р ~ материалов электронной техники. 4.2 Мето ь оннои техники. / под. ред. Ю.Н, Коркишко. М.: МИЭТ, 1997. 25.

5. Коротеев А.А. Малогабаритные эне гонап 26. К райнев А.Ф. Идеология конструи ов . М.: М р вания..: ашнностроение, 2003 27. Редин В.М. ЪЬ Минкин МЛ., Исследование физичес загрязнения поверхности полуп ов е, изических процессов полупроводниковых пластин в чистых п о помещениях микроэлектроники. М.: МИЭТ 1992. етых производственных 31. Гусев В.В., Самойликов В.К. Физические основ оборудования. М.: МИЭТ, 1999 изические основы проектирования Р~нработчии~.

УФ д.т.н., профессор. Блинсов В.М д.т,н., профессор Баранов А.М. к.т.н., доцент Ламин А.Б. 28. Чистые помещения / Под. ред. И. Хаякавы. М.:, 1990. 29. Сырчин В.К. САПР и модели ов д ированне технических систем. М.: МИЭТ, , 1997. 30. ' . ' Ануфриенко В.В. Процессы и обо ов обработки. М.: МИЭТ, 1998 и о орудование фотолитографической .