1612729251-982eb501c6dc03949dddbdeaeb776ef2 (Билеты к экзамену), страница 2

Взаимосвязь между химическимиформулами и структурой силикатов.2. Центры окраски. При каких условиях они образуются? Как изменится спектр поглощенияF-центра в серии галогенидов щелочных металлов при переходе от LiCl к RbCl? Почему?Изменится ли спектр поглощения F-центра NaCl, если выдержать NaCl в парах: Na, K, Rb?Почему?3.

Локализация и автолокализация реакций с участием твердых веществ.Билет 201. Описание кристаллических структур через плотнейшие упаковки частиц.2. Векторное условие дифракции (интерференционное уравнение). Построение Эвальда.Использование понятия обратной решётки для описания явления дифракции накристаллических структурах.

Варианты реализации метода дифракции: методвращающегося кристалла, метод Лауэ, метод порошка.3. Влияние примесных атомов на ионную проводимость в AgCl. Эффект Коха-Вагнера.Использование допирования галогенидов серебра для управления реакциями термо- ифото- разложения.Билет 211. Факторы, определяющие структуру молекулярных кристаллов. Почему структурымолекулярных кристаллов имеют низкую симметрию? Почему плотность льда меньшеплотности жидкой воды?2. Диффузия в твердых телах.

Основные механизмы диффузии. Вакансионный механизмдиффузии. Выражения для коэффициента диффузии вакансии и атома.3. Факторы, определяющие реакционную способность твёрдых тел.Билет 221. Структурный тип перовскита. Какие изменения (вариации) возможны в семействеперовскитов?2. Реакции твёрдое + газ. Окисление металлов. Cоотношение Пиллинга-Бедвордса.Особенности роста слоя оксида для случаев, когда скорость процесса определяется а)диффузией катионов, б) диффузией анионов.3. Факторы, влияющие на подвижность дислокаций.

Сопротивление движению дислокацийсо стороны дислокаций леса, явление наклёпа. Механизм влияния примесных атомов наподвижность дислокаций. Примесные атмосферы Коттрелла и Дебая-Хюккеля. Влияниедисперсных частиц на подвижность дислокаций.Билет 231. Нормальная и обращенная шпинель. Примеры. Связь распределения катионов попозициям в структуре шпинели со свойствами.

Дефекты и их ассоциаты в оксидах железа иих роль в последовательном окислении от FeO до Fe2O3.2. Ионная проводимость. Влияние примесных атомов на ионную проводимость в AgCl.Эффект Коха-Вагнера. Факторы, определяющие подвижность ионов.3. Влияние структуры кристаллов органических соединений на фотохимические реакции.Топохимический принцип «Шмидта-Коэна».Билет 241.

Влияние типа связи на структуру кристаллов. Ковалентная связь. Почему моноатомныевещества с ковалентными связями имеют низкие значения коэффициента упаковки?Почему металлы образуют плотноупакованные структуры? Чем определяется структурамолекулярных кристаллов? Почему структуры молекулярных кристаллов имеют низкуюсимметрию? Почему плотность льда меньше плотности жидкой воды?2. Основные виды излучения, используемые для исследования структуры дифракционнымиметодами.

В каких случаях предпочтительно использовать электроны, рентгеновскоеизлучение, нейтроны?3. Факторы, определяющие реакционную способность твёрдых тел. Влияниекристаллической структуры. Топотаксиальные реакции. Влияние размера частиц и условийпроведения реакции на возможность топотаксиального превращения.Билет 251. Кристаллические системы. Критерии, по которым происходит разделение накристаллические системы. Выбор кристаллографических осей для различныхкристаллических систем. Сходственные элементы симметрии. Кристаллографическийкласс.2.

Электронное строение твёрдых тел. Различие электронного строения диэлектриков,полупроводников и металлов. Собственные и примесные полупроводники. Связьдефектности, ионной и электронной проводимости. Как влияет повышение температуры напроводимость в каждом из классов? Какие носители заряда являются основными дляпримесных полупроводников с примесями донорного и акцепторного характера? Гдерасполагаются примесные уровни донорных и акцепторных примесей в полупроводниках?3. Факторы, определяющие реакционную способность твёрдых тел. Влияниекристаллической структуры.

Топотаксиальные реакции. Влияние размера частиц и условийпроведения реакции на возможность топотаксиального превращения.Билет 261. Влияние симметрии на физические свойства кристаллов. Принципы симметрии Кюри иНеймана. Почему центрально симметричный кристалл не может быть пьезоэлектриком,сегнетоэлектриком и пироэлектриком?2.

Влияние примесных атомов на концентрацию точечных дефектов. Эффективный зарядпримесного атома. Какие структурные дефекты образуются при введении примесныхатомов, имеющих отрицательный или положительный эффективный заряд? Примерыобразования структурных дефектов при введении примесных атомов в вещества, в которыхпреобладают дефекты: а) по Шоттки; б) по Френкелю в катионной подрешётке; в) поФренкелю в анионной подрешётке.3.

Роль механических напряжений в реакциях с участием твердых веществ.Билет 271. Полиморфизм и политипизм. За счет чего могут возникать полиморфные модификацииметаллов, неорганических, органических соединений?2. Факторы, влияющие на подвижность дислокаций. Сопротивление движению дислокацийсо стороны дислокаций леса, явление наклёпа. Механизм влияния примесных атомов наподвижность дислокаций. Примесные атмосферы Коттрелла и Дебая-Хюккеля. Влияниедисперсных частиц на подвижность дислокаций.3. Реакции твёрдое + твёрдое.Билет 281.

Влияние давления на кристаллические структуры.2. Диффузия в твердых телах. Основные механизмы диффузии. Вакансионный механизмдиффузии. Выражения для коэффициента диффузии вакансии и атома.3. Метод порошка, метод вращающегося кристалла, метод Лауэ – основные принципыреализации и решаемые задачи.Билет 291. Апериодическиеквазикристаллы.кристаллы.Несоразмерномодулированныеструктурыи2. Центры окраски. При каких условиях они образуются? Как изменится спектр поглощенияF-центра в серии галогенидов щелочных металлов при переходе от LiCl к RbCl? Почему?Изменится ли спектр поглощения F-центра NaCl, если выдержать NaCl в парах: Na, K, Rb?Почему?3. Влияние структуры кристаллов органических соединений на фотохимические реакции.Топохимический принцип «Шмидта-Коэна».Билет 301.

Аморфные твердые вещества. Получение, принципы описания структуры, применения.2. Структурная амплитуда. Определение, формула и физический смысл. Запись выраженияструктурной амплитуды для конкретного базиса. Последовательность анализа погасанийдля определения ПГС кристалла.3. Локализация и автолокализация реакций с участием твердых веществ..