РАЗДАТ МАТЕРИАЛ УГФС Ч2 (Раздаточный материал часть 2), страница 2

инл., Тл Пример рабочих характеристик магнетрона загрузочная характеристика магнетрона опз( 0.5 Р й Рпцп Рг Ргпах м =1»(! Нп) г 1» (1-гп) одновременное изменение 1!г,,(1), 1!Кг(1) Выходного каскада. 2й 2й плах с)тйм х ""зо мсч й»» ы-й озо огнй м нижняя всрхиняя боковая боковая 1)ы( Режимы работы при АМ Сбл ! Амилнт ная мо ля ия АМ гене ато ов с внешним возбеж ением Гс="Г озс=2к1о сигнал информации: н,(г)=-1)псов(й г) й=2кр, Р— частота молуляцин 1(Г)--!(1)СОВ(мот)=1 (! Пт СО (й 0) СОЗ(мггт) го - козфф-т АМ 1(г)=-1г,(са»(мог) —.0.5»л саа((ыви))г)ч0.5»о со»((ыс+й)г) 1; пт= 1 » х и Л(=-2Г, ЛГ- полоса частот.

занимаемая спектрам АМ колебания 1. Режим насуснсй частоты: !„,м»; Р»=0.51„нм»ам 2. Максимальный ражим: 1 „„„,„„,; Рм„=Р» ( ! +го) 3. Минимальныб режим: 1„,,„,„„„; Р,„»» =Р»,(1-пз] Мо ля ионные ха акте истики Статическая (СМХ) - зависимость тока 1,х, от модулирующего фактора Динамическая (амплитудная) - зависимостып от амплитуды модулирующего напряжения ()й АЧХ ГО Комбини ованная АМ син азная о нов еменнаямо ля ия в х каска ов ) ) ()яг(!)=()хгн (1чгоггсоз (12!)) ()ка(1) 1!тии (1 1 П1 СОЗ (Й()) С ба С4 Е Г~ АМсме ениемнабазез анзисто а Коллекго ная АМ Спп сп сз =0,5 1„1)п ин„н то2 ()„= и.„; 1п=- СМХ (идеализированные) ПР НР (к ПР НР 1к«п.

(к а(1 ьпз) ко 1к, „„=1к„,(1-ьэп) )кп ° )кон(1 ьш) кп 1 ко и )кон(1 Ьэп) ~ьп ~ 1-)ьо ()ко э)э Чо поп='Ч.» (1 Нп) Пно око Ро,„=Р он (1ьэп) Р „и„„=-Р „, (1ьэп) ()по ()ко СМХ (идеализированные) ()ко(2) 1-)кон +()копсов Фэ) Рп=0.5 1и Пп =0.5 птз Р „ нм Ч Пно Ы~ пп ()ко =.сопи 1-1ьо(1)=1-1ьон Ь()ьпэ спз Фг) пн~ он( ) Р „п„=Р „, (1нзп) Усиление АМ СМХ (идсализированныс) сэ ПР НР !к х! Пк| 11Б«н !.1Бс Ц„=сопзс ОБО(1) ОБО««жх«э соз (а1) !к 0" 0' 0" соя(О)=- !!БО 1!ээ Пкэ по О нополоснаямо ля ия Пп лщн 1 0 ср «НО Й«нхх оэо «ОО сйп«хх Пом соо ' Й«осо «оо+Йоэах Т„=2а Й Ампли ная манин ля ия ПИХ«ОВКМЭ 0 0 Пха=П Оя соз((СОН ~а)1) илн П =1/Овсов((оэоз Й)1)э ~Засох(нос) (при восстановленной несущей) Частотная и азовая мо ля ии ЧМ и ФМ МГНОВЕННЫС ЧаотОта И фаза КОЛЕбаНИй: ОЭББ — Ср=Э СО С!1+Ср .

Ор с!1 О Мгновенные значения тока; «=1 соя(ср), (примам срО=О), оэ=.2к«. Модулируэощес напряжение частоты Й=-2кр, ч Н=Цэсоя(Й1), ЧМ оэ=соо+лоэдсоз(Й1); лсод - девиациЯ частоты, со,- нссУщаЯ частота. «=1соя(!со«!1)=!соя(соо1+ "я!Н(Й1))=! соя(соос+М яэп(йс)), при этом фаза О Й «Р=1(оэсэ+лоэдсоз(йс)) «11=«о«эс+ — д Я1п(йс)=со 1+л«Рдз1п(йс), О й лоэд лсод М= " — индекс ЧМ; лср, = Й ' ' а ФМ ср= оэ,с+лсрд соя(йс) «=!соя(оэ,1+лср, соя(Й1))=! соя(оэос+Ф соя(йс)); Ф=лсрд — иидскс Фм. ПРИ ЭТОМ ЧаотОта Озхх — =СОΠ— ЛСРдй Я1П(йс)=ОЭΠ— ЬСОд ЯЭП(йс), ЛСОд — — ЛСРдй. «1«р с!1 ЧМ Косвенный мето ЧМ Им льсныемо лято ы ляле е атчиков с большой скважностью +атд Кьг к ИП па н При ОСК»! по ИП- источник питания; т- генератор Свт!; К- ключ; Н- накопитель энергии; К„„- зарядное сопротивление.

а) Сблз Сблз выход Имп льсные мо лято ы с частичным аз я ом накопительной емкости к,ар об! ~ 1! и Г Р.г г, Г К'г =К г 1п' Кг !'ои ~!он 1к! б) 1-ои 2 3 см С', С" — паразитные емкости рк 1 - К вместо Ь др 2 - с 1. др без Д 3 - с Ь др и Д 20 выход Сбл| 1!ко "а ! !-!ряск "о ! и„= аСК 1о 1оимп к ИП 1!о 1!а„„, Г ИТ - импульсный трансформатор. к. р Сн 1-!с эпах 1-!с ппп 1.!с юах 1-!с поп Имп льсные мо лято ы с полным аз я ом накопителя в ви е ис сственной линней линии Искусственная линия (ИЛ) ! К Ил 21), ~4 0 0 0 0 Ц,/2 0 Процесс разряла линии (к-замкнут) %- волновое сопротивление линии та =21Ж Ч=с=3 10" м/с Ч=с- скорость света ит ",.? ' г~ Дг ь// н н ,' з-1 ип Форма импульса прн разряде на активное сопротивление К, К=%.

.