p1388-1394 (Реферат по электронике), страница 3
Описание файла
Файл "p1388-1394" внутри архива находится в следующих папках: Реферат по электронике, Реферат, Материал. PDF-файл из архива "Реферат по электронике", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электроника" из 4 семестр, которые можно найти в файловом архиве МАИ. Не смотря на прямую связь этого архива с МАИ, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "электроника" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 3 страницы из PDF
При подаче отрицательных напряжений на расщепленные затворы происходит обеднение ДЭГ под ними. В результате в ДЭГформируется канал с малыми сегментами (островками)между обедненными участками (барьерами) [43,44]. Рабочая температура прибора около 0.5 K.Рис. 7. Структура на основе GaAs/AlGaAs с расщепленнымзатвором Шоттки.Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 11Классификация приборных структур одноэлектроникиДругая разновидность может быть представлена транзистором на основе гетероструктуры GaAs/AlGaAs, вкотором области затворов, истока, стока, островка иканала получены путем ЭЛЛ и реактивного ионноготравления канавок в исходной пластине [23].
В результате такого технологического процесса происходитограничение ДЭГ в этих областях. В отличие от прибора,приведенного на рис. 7, в такой структуре затворылежат в одной плоскости с областями истока, стокаи островка (планарные затворы). Рабочая температураприбора около 22 мК.Как одну из разновидностей отмеченных структурможнорассматриватьтранзисторнаосновеGaAs/AlGaAs, изготовленный методом ЭЛЛ и жидкостного химического вытравливания меза-структуры иформирования затворов Шоттки [36]. ДЭГ формируетсяна границе раздела слоев GaAs и AlGaAs. На боковыхстенках полученного при травлении канала с ДЭГ сформированы планарные затворы Шоттки электрохимическим способом.
Напряжение, подаваемое на эти затворы,обеспечивает ограничение ДЭГ в островки. Если в структуре с расщепленным затвором (рис. 7) электрическоеполе приложено перпендикулярно ДЭГ, то горизонтальное электрическое поле, вызванное напряжением напланарном затворе Шоттки, действует на электроны внаправлении, параллельном ДЭГ, вызывая его сильноеограничение.
Рабочая температура прибора — до 20 K.Существует ряд одноэлектронных структур с ДЭГ вδ-легированной пластине GaAs [13,38]. В таких структурах ДЭГ лежит выше δ-легированного слоя. Контуры структур (исток, сток, затворы и канал) очерченыметодами ЭЛЛ и травления меза-структуры в пластинеGaAs с δ-легированным слоем. В результате прикладывания напряжения к боковым затворам, а также ввидуналичия примесей и шероховатостей границ в структурепроисходит разделение канала с ДЭГ на ряд островков.Такие структуры относятся к классу цепочек туннельныхпереходов и могут использоваться при создании одноэлектронной памяти. Рабочая температура структур сДЭГ в δ-легированной структуре GaAs около 4.2 K.3.3.Органические структурыПримером органической структуры может быть, например, транзистор на основе пленки из смеси стеариновой кислоты и карбонатовых кластеров, которые являются островками [29].
Прибор был изготовлен следующимобразом. На атомарно гладкую поверхность графита спредварительно сформированным электродом управления осаждалась смешанная пленка стеариновой кислоты с включенными в нее карбонатовыми кластерами.Электрод из тонких двухслойных полосок (слой Au наAl2 O3 ) формировался методом электронной нанолитографии. Характеристики такой структуры исследовалисьс использованием СТМ, игла которого размещалась надкластерами.
Эффект одноэлектронного туннелированиянаблюдается в приборе при комнатной температуре.8Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 1113934. ЗаключениеРяд одноэлектронных структур не рассмотрен в статьев виду их большого разнообразия [45,46] и ограниченности объема статьи.
Некоторые из них функционируютна основе не только эффекта одноэлектронного туннелирования, но и других механизмов транспорта [47–49](приборные структуры смешанного типа), в том числена явлении квантовой интерференции [50], напримерквантовые интерферометры на основе расщепленныхколец Ааронова–Бома с квантовой точкой в одном изплеч [51,52].В последнее время появились такжеструктуры, которые можно отнести к функциональноинтегрированным элементам или простейшим интегральным схемам [53,54], однако и они могут бытьклассифицированы согласно приведенным в статье принципам.Таким образом, предложена классификация приборных структур наноэлектроники одного типа, в основу которой положены выделенные в работе принципы.Большое количество известных в настоящее время наноэлектронных приборов рассмотренного типа можетбыть описано в рамках данной классификации.
На ееоснове могут быть также предложены новые приборыодноэлектроники.Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Республиканских научно-технических программБелоруссии: ”Информатика”, ”Низкоразмерные системы” и ”Наноэлектроника”.Список литературы[1] Д.В. Аверин, К.К. Лихарев. ЖЭТФ, 90, 733 (1986).[2] Single Charge Tunneling: Coulomb Blockade Phenomenain Nanostructures, ed. by H. Grabert and M.H. Devoret.NATO ASI Series B: Physics (Plenum, N. Y., 1992) v. 294.[3] Special Issue on Single Charge Tunneling, ed.
by H. Grabert.Z. Physik B, 85, № 3 (1991).[4] Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 3 (1998).[5] W.H. Richardson. Appl. Phys. Lett., 71, 1113 (1997).[6] P. Lafarge, H. Pothier, E.R. Williams, D. Esteve, C. Urbina,M.H. Devoret. Z. Phys., B, 85, 327 (1991).[7] K.K. Likharev.
IEEE Trans. Magn., 23, 1142 (1987).[8] H. Matsuoka, S. Kimura. Appl. Phys. Lett., 66, 613 (1995).[9] E. Leobandung, L. Guo, Y. Wang, S.Y. Chou. Appl. Phys. Lett.,67, 938 (1995)[10] K. Tsukagoshi, K. Nakazato. Appl. Phys. Lett., 71, 3138(1997).[11] L.P. Kouwenhoven, A.T. Johnson, N.C.
van der Vaart, A. vander Enden, C.J.P.M. Harmans, C.T. Foxon. Z. Phys. B, 85, 381(1991).[12] L.J. Geerligs, V.F. Anderegg, P.A.M. Holweg, J.E. Mooij,H. Pothier, D. Esteve, C. Urbina, M.H. Devoret. Phys. Rev.Lett., 64, 2691 (1990).[13] K. Nakazato, R.J. Blaikie, H. Ahmed.
J. Appl. Phys., 75, 5123(1994).[14] N. Miura, N. Yoshikawa, M. Sugahara. Appl. Phys. Lett., 67,3969 (1995).И.И. Абрамов, Е.Г. Новик1394[15] И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. Изв. Белорус. инж. академии,№ 2 (6)/2, 4 (1998).[16] G. Zimmerli, R.L. Kautz, J.M. Martinis. Appl. Phys. Lett., 61,2616 (1992).[17] T.A. Fulton, G.J. Dolan. Phys.
Rev. Lett., 59, 109 (1987).[18] K. Matsumoto, M. Ishii, K. Segawa, Y. Oka, B.J. Vartanian,J.S. Harris. Appl. Phys. Lett., 68, 34 (1996).[19] E. Bar-Sadeh, Y. Goldstein, C. Zhang, H. Deng, B. Abeles,O. Millo. Phys. Rev. B, 50, 8961 (1994).[20] T. Sato, H. Ahmed, D. Brown, B.F.G. Johnson. J. Appl. Phys.,82, 696 (1997).[21] U. Meirav, M.A.
Kastner, S.J. Wind. Phys. Rev. Lett., 65, 771(1990).[22] Y. Wang, S.Y. Chou. Appl. Phys. Lett., 63, 2257 (1993).[23] H. Pothier, J. Weis, R.J. Haug, K. v. Klitzing. Appl. Phys. Lett.,62, 3174 (1993).[24] T. Fujisawa, S. Tarucha. Appl. Phys. Lett., 68, 526 (1996).[25] A. Ohata, A. Toriumi, K. Uchida. Jpn.
J. Appl. Phys., 36, 1686(1997).[26] A. Dutta, M. Kimura, Y. Honda, M. Otobe, A. Itoh, S. Oda.Jpn. J. Appl. Phys., 36, 4038 (1997).[27] L. Guo, E. Leobandung, S.Y. Chou. Appl. Phys. Lett., 70, 850(1997).[28] D.J. Paul, J.R.A. Cleaver, H. Ahmed, T.E. Whall. Appl. Phys.Lett., 63, 631 (1993).[29] Е.С.
Солдатов, В.В. Ханин, А.С. Трифонов, С.П. Губин,В.В. Колесов, Д.Е. Преснов, С.А. Яковенко, Г.Б. Хомутов.Письма ЖЭТФ, 64, вып. 7, 510 (1996).[30] M. Götz, K. Blüthner, W. Krech, A. Nowack, H.-J. Fuchs,E.-B. Kley, P. Thieme, Th. Wagner, G. Eska, K. Hecker,H. Hegger. J. Appl. Phys., 78, 5499 (1995).[31] S. Altmeyer, B. Spangenberg, H.
Kurz. Appl. Phys. Lett., 67,569 (1995).[32] Y. Nakamura, D.L. Klein, J.S. Tsai. Appl. Phys. Lett., 68, 275(1996).[33] H. Matsuoka, T. Ichiguchi, T. Yoshimura, E. Takeda. Appl.Phys. Lett., 64, 586 (1994).[34] R.A. Smith, H. Ahmed. J. Appl. Phys., 81, 2699 (1997).[35] D. Ali, H. Ahmed. Appl. Phys. Lett., 64, 2119 (1994).[36] K. Jinushi, H.Okada, T. Hashizume, H. Hasegawa. Jpn. J. Appl.Phys., 35, 1132 (1996).[37] Y. Nagamune, H.
Sakaki, L.P. Kouwenhoven, L.C. Mur,C.J.P.M. Harmans, J. Motohisa, H. Noge. Appl. Phys. Lett.,64, 2379 (1994).[38] K. Nakazato, T.J. Thornton, J. White, H. Ahmed. Appl. Phys.Lett., 61, 3145 (1992).[39] T. Fujisawa, Y. Hirayama, S. Tarucha. Appl. Phys. Lett., 64,2250 (1994).[40] K.-H. Park, J.S. Ha, W.S. Yun, M. Shin, K.-W. Park, E.-H. Lee.Appl. Phys. Lett., 71, 1469 (1997).[41] E. Leobandung, L. Guo, S.Y. Chou. Appl.
Phys. Lett., 67, 2338(1995).[42] A. Nakajima, T. Futatsugi, K. Kosemura, T. Fukano, N. Yokoyama. Appl. Phys. Lett., 70, 1742 (1997).[43] C.H. Crouch, C. Livermore, R.M. Westervelt, K.L. Campman,A.C. Gossard. Appl. Phys. Lett., 71, 817 (1997).[44] R.H. Blick, R.J. Haug, J. Weis, D. Pfannkuche, K. v. Klitzing,K. Eberl. Phys. Rev. B, 53, 7899 (1996).[45] Special Issue. Scanning Tunneling Microscopy, ed. byS.
