Отзыв на автореферат 2 (Ядерный магнитный резонанс в топологических изоляторах Bi2Te3 и Bi2Se3)
Описание файла
Файл "Отзыв на автореферат 2" внутри архива находится в папке "Ядерный магнитный резонанс в топологических изоляторах Bi2Te3 и Bi2Se3". PDF-файл из архива "Ядерный магнитный резонанс в топологических изоляторах Bi2Te3 и Bi2Se3", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве СПбГУ. Не смотря на прямую связь этого архива с СПбГУ, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
отзыв на автореферат диссертации А.О. АНТОНЕНКО «Ядерный магнитный резонанс в топологических изоляторах В1зтез и В1зэез». представленной на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.07 - физика конденсированного состояния Топологические изоляторы относятся к сравнительно новому классу материалов с необычной зонной структурой и разнообразными физическими свойствами. Получение новой информации об их электронной подсистеме путем экспериментального изучения их электронной структуры и свойств представляет большой интерес. прежде всего. с фундаментальной точки зрения.
Поскольку диссертация А.О. Антоненко посвящена ЯМР- исследованиям порошковых и монокристаллических топологических изоляторов В1зтез и В1зЗез в широком интервале температур, то она, безусловно, является весьма актуальной. Диссертантом получен ряд новых оригинальных результатов, свидетельствующих о научной и практической значимости диссертации. К наиболее существенными из них, на мой взгляд, относятся следующие. к Проведены детальные исследования сдвигов компонент спектра '-'Те в монокристалле В1зтез в широком интервале температур.
Продемонстрирован термоактивационный характер сдвига Найта, обусловленный изменением концентрации носителей заряда. 2. Измерены времена спин-решеточной релаксации для монокристаллического и порошкового В1 Те. и продемонстрирована применимость соотношения Корринги при Т > 130 К, 3. Выполнены детальные исследования температурных зависимостей спектров ЯМР 7вс в монокристалле Взлез. Показано, что в отличие от топологического изолятора В1 Тез сдвиг компонент спектра в монокристалле ВЮсз слабо изменяется с понижением температуры от комнатной до 11.4 К.
Для интерпретации спектра "тле предложена модель, учитывающая наличие двух положений селена эе1 и эе2 в кристаллической решетке, и оценены изотропный сдвиг и анизотропия тензора сдвига. Полученные результаты могут служить основой для дальнейших теоретических и экспериментальных исследований особенностей электронных свойств трехмерных топологических изоляторов, а также могут быть использованы для построения новых теоретических моделей взаимодействия ядер и электронов при наличии сильной спин- орбитальной связи.
Работу отличает современный подход к исследованию с применением новейшего ЯМР- оборудования, хорошая воспроизводимость экспериментальных данных, что определяет высокую достоверность, как полученных результатов, так и сделанных на основе их анализа выводов. Необходимо также отметить, что работа хорошо апробирована. Результаты исследований, положенные в основу диссертации, обсуя~цались на многих российских и международных конференциях и опубликованы в научных журналах, входящих в Перечень ВАК. Знакомство с авторефератом и публикациями автора позволяют заключить. что диссертационная работа «Ядерный магнитный резонанс в топологических изоляторах В12Тез н В1зБез» соответствует всем требованиям ВАК Российской Федерации, предъявляемым к кандидатским диссертациям.
Автор этой работы Анастасия Олеговна Антоненко, безусловно, заслуживает присуждения ей ученой степени кандидата физикоматематических наук по специальности 01.04.07 - физика конденсированного состояния. Доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник лаборатории квантовой наноспинтроникн ИФМ УРО РАН 8(343)3783890, ЬеЬеп1пСа'1шр.агап.гп Н.Г.
Бебенин / б20108, г, Екатеринбург, ул. С. Ковалевской, 18, ИФМ УрО РАН .