Сведения о ведущей организации (Особенности синтеза и электронной структуры графена на подложках на основе d- и f- металлов)
Описание файла
Файл "Сведения о ведущей организации" внутри архива находится в папке "Особенности синтеза и электронной структуры графена на подложках на основе d- и f- металлов". PDF-файл из архива "Особенности синтеза и электронной структуры графена на подложках на основе d- и f- металлов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве СПбГУ. Не смотря на прямую связь этого архива с СПбГУ, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Сведения о ведущей организациипо диссертационной работе Пудикова Дмитрия Александровичана тему «Особенности синтеза и электронной структуры графена наподложках на основе d- и f- металлов»представленной на соискание ученой степени кандидата физикоматематических наукпо специальности 01.04.07 – физика конденсированного состоянияПолное наименованиеФедеральное государственное бюджетноеорганизации в соответствии сучреждение науки Институт физикиуставомполупроводников им. А.В. РжановаСокращенное наименованиеорганизации в соответствии суставомПочтовый индекс, адресорганизацииВеб-сайтТелефонАдрес электронной почтыСписок основных публикацийработников структурногоподразделения, в котором будетготовиться отзыв, по темедиссертации в рецензируемыхнаучных изданиях за последние5 лет (не более 15 публикаций)Сибирского отделения Российской академиинаукИФП СО РАН630090, г.
Новосибирск, пр. Лаврентьева, д. 13http://www.isp.nsc.ru(388) 330-90-55ifp@isp.nsc.ru1. Fluorinated graphene dielectric films obtained fromfunctionalized graphene suspension: preparationand properties, Nebogatikova N.A., Antonova I.V.,Prinz V.Y., Vdovin V.I., Zakirov E.R., KeslerV.G., Kurkina I.I., Aleksandrov G.N., TimofeevV.B., Smagulova S.A. Physical ChemistryChemical Physics. 2015. Т. 17. № 20. С.
1325713266.2. Graphene quantum dots in fluorographene matrixformed by means of chemical functionalization,Nebogatikova N.A., Antonova I.V., Prinz V.Ya.,Timofeev V.B., Smagulova S.A. Carbon. 2014. Т.77. С. 1095-1103.3. Functionalization of graphene and few-layergraphene with aqueous solution of hydrofluoricacid, Nebogatikova N.A., Antonova I.V., VolodinV.A., Prinz V.Y.
Physica E: Low-dimensionalSystems and Nanostructures. 2013. Т. 52. С. 106111.4. Signatures of dirac fermion-mediated magneticorder, Sessi P., Reis F., Bathon T., Bode M., KokhK.A., Tereshchenko O.E. Nature Communications.2014. Т. 5. С. 5349.5. Сравнение разных способов переноса графена имультиграфена, выращенных методомхимического газофазного осаждения, наизолирующую подложку SiO2/Si, АнтоноваИ.В., Голод С.В., Соотс Р.А., Комонов А.И.,Селезнев В.А., Сергеев М.А., Володин В.А.,Принц В.Я.
Физика и техника полупроводников.2014. Т. 48. № 6. С. 827-832.6. Функционализация пленок графена имультиграфена в водном растворе плавиковойкислоты, Небогатикова Н.А., Антонова И.B.,Принц В.Я., Володин В.А., Зацепин Д.А.,Курмаев Э.З., Жидков И.С., Чолах С.О.Российские нанотехнологии. 2014. Т. 9. № 1-2.С. 59-65.7.
Probing the electronic properties of individualMnPc molecules coupled to topological states,Sessi P., Bathon T., Bode M., Kokh K.A.,Tereshchenko O.E. Nano Letters. 2014. Т. 14. № 9.С. 5092-5096.8. Resistive switching effect and traps in partiallyfluorinated graphene films, Kurkina I.I., KapitonovA.N., Smagulova S.A., Antonova I.V.,Nebogatikova N.A. Journal of Physics D: AppliedPhysics. 2016. Т. 49.
№ 9. С. 095303.9. Spin-texture inversion in the giant-Rashbasemiconductor BiTeI, Maass H., Bentmann H.,Seibel C., Peixoto T.R.F., Reinert F., Tusche C.,Kirschner J., Eremeev S.V., Chulkov E.V.,Tereshchenko O.E., Kokh K.A. NatureCommunications. 2016. Т. 7. С. 11621.10. Vertical heterostructures based on graphene andother 2d materials, Antonova I.V. Semiconductors.2016. Т.
50. № 1. С. 66-82.11. Self-organized arrays of graphene and few-layergraphene quantum dots in fluorographene matrix:charge transient spectroscopy, Antonova I.V.,Nebogatikova N.A., Prinz V.Y. Applied PhysicsLetters. 2014. Т. 104. № 19. С. 193108.12. Тонкие частично восстановленные оксидграфеновые пленки: структурные, оптические иэлектрические свойства, Александров Г.Н.,Смагулова С.А., Капитонов А.Н., ВасильеваФ.Д., Куркина И.И., Винокуров П.В., ТимофеевВ.Б., Антонова И.В.
Российскиенанотехнологии. 2014. Т. 9. № 7-8. С. 19-23.13. Films fabricated from partially fluorinatedgraphene suspension: structural, electronicproperties and negative differential resistance,Antonova I.V., Nebogatikova N.A., Komonov A.I.,Kurkina I.I., Smagulova S.A. Nanotechnology.2017. Т. 28. № 7. С. 074001.14. Tuning the dirac point position in Bi2Se3 (0001)via surface carbon doping, Roy S., MeyerheimH.L., Ernst A., Mohseni K., Tusche C., VergnioryM.G., Menshchikova T.V., Otrokov M.M.,Kirschner J., Chulkov E.V., RyabishchenkovaA.G., Aliev Z.S., Babanly M.B., Kokh K.A.,Tereshchenko O.E., Schneider J. Physical ReviewLetters.
2014. Т. 113. № 11. С. 116802.15. Fluorinated graphene films with graphenequantum dots for electronic applications, AntonovaI.V., Nebogatikova N.A., Prinz V.Y. Journal ofApplied Physics. 2016. Т. 119. № 22. С. 224302.ВерноРуководитель организацииФамилия И.О.«____» _______________ 2018 г.М.П. .
