0753-orgbiblio (Физико-технологические основы и пути совершенствования технологии получения кристаллов сапфира для электронной техники)
Описание файла
Файл "0753-orgbiblio" внутри архива находится в папке "Физико-технологические основы и пути совершенствования технологии получения кристаллов сапфира для электронной техники". PDF-файл из архива "Физико-технологические основы и пути совершенствования технологии получения кристаллов сапфира для электронной техники", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве СПбПУ Петра Великого. Не смотря на прямую связь этого архива с СПбПУ Петра Великого, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой докторскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени доктора технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
М)!)!ОБРНАУКИ РОССИИ федеральное госуаарс; осиное автономное образовательное учреждение оькгнего образования «Санкт-Петербургский государственный олектротехнннеекий унннереитет гсЛЭТИ» имени ВЛ)«ульянова (Ленина)» (СПбГЭТУ «ЛЭТИ») ув. Проф. Панова. д.5, Санкт-Петербург, 197376 телефон: (8!2! 34(г-44-87 Факс, (812) 346-27-58 анна!!! с1вс1г«г'е!геен го Мчгу(юонейесь.нг ОКПО 02068539 ОГРН 1027806875381 ОКВЭД 85 22, 72.1 ОКТМО 40392000000 ИН!Ь'К1П! 7813045402(78!301001 гг "г .
г гг'х, 'г.':гг.гг':ггг~ Нгг 1 ! Председагелго совета по защите диссертаций на соискание ученой степени кандидата наук, на соискание ученой степени доктора наук Д2)2.229.02 на базе федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования вСанкт- Петербургский политехнический университет Петра Великого», доктору химических наук, профессору С.Е. Александрову вг нс кагг ггве.гегг Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И.
Ульянова (Ленина)» дает свое согласие выступить в качестве ведущей организации по диссертационной работе )Э!унниковой Юлии Владиьгировны «Фпзпкотехнологические основы и пути совершенствования технологии получения кристаллов сапфира для электронной техники», представленной на соискание ученой степени доктора технических наук по специальности 05.27.06 — Технология н оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники. Заместитель директора департамента науки СПбГЭТУ «ЛЭТИ» / Д.В.Гайворонский/ Список основных публикаций федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им.
В.И. Ульянова (Ленина)», ведущей органи:шции по диссертации Клунниковой!Олин Владимировны «Физико-технологические основы и пути совершенствования технологии получения кристаллов сапфира для электронной техникил, представленной на соискание ученой степени доктора технических наук по специальности 05.27.06 — Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники. 1. )З.Я.Айа)опоча, А.В.Коаугеч, 1Ч.Ч,Мн«Ь1п, 13.!ч.йеГ1са, К.О.Е1апйауа, М.Ч.Еийеп)со, А.Овееч, Б,Н1гзсЬ. 1трпп1у РЬааев ш Ро1усгувга11ше Р11шз оТ Реггое1ес!г1с ОхЫев оГ йе Регочййе-Туре оп йе Вав!з оТ В!2$гТа209 апс1 РЬ(2г,Т!)ОЗ П ОЬЛБЯ РНУБ1С8 ЛЬ113 СНЕМ18ТКЧ Чо1.
44, Ь1о.1, 2018, рр. 15-20, 001: 10.1134/81087659618010029 2. А1е1гзапс1г Овееч, Ь!йо1ау Мт1«Ь1п, йа1Г ЕпсК1шп, МЙЬа!1 УнЬгаоч, Маге-Ре1ег БсЬп1ЫЬ 1)!п1ге Вге!пшапп. А1е)гвалт Ропз!п, Апс$геу Кохутеч, Боегеп Н!гасЬ. ЯЬЫу оЕ 119нЫ гезопапсеа ш во!Ы-11г1цЫ со1прозйе рег1ойс з!гисцнев (р1зопоп1с сгуз1а1з) — йеогейса1 шчезййабопз апс$ ргасйса! арр!ка1юп 1ог ш-!!не апа!уа!з ор сопчеп1юпа! ре1го!ешп ргодпсбк 0 Бепвога апд Лсша[ога В: Сйепнса!, Ч 257, рр. 469-477. МагсЬ 2018 Тумаркин Л.В., Одинсц А.А. Доменный эпитаксиальный рост сегнетоэлектрических пленок тнтаната бария-стронция на сапфире д Физика твердого тела. 2018.
Т, 60, № 1. С. 88-93. 4. Тумаркин А.В., Гагарин А.Г., Сапего Е.Н., Грешникова !О.С., Феоктистова Д.А. Зависимость структурных свойств ультратонких пленок титаната бария в системе ВАТ103/ЕАХ8й1-ХМЬ!03/сапфир от качества подслоя манганита лантана-стронция 0 Электроника и микроэлектроника СВЧ, 2018. № 1 (1), С. 43-47. 5. Ро1гакйоч Ь).Ь1„1лЫтйв Ч.А., Рогга1йоч Е.Ь1., Ков1г!п Р.К., Кцлп!па Ь!.А. Ме!Ьод апд ЬЫшпг1«1 ечшргпеп! 1ог йе х-гау о1!угас!!оп сон!го! оГ !Ье 1попосгув1а!!!пе шагег1а1з 1п шас1з!пе «пс1 го«1г«шеи~ епупеег1пй // Лонго«1 ор РЬу«1ся: Сап1егепсе 8ебез е1ес1гоп!с ейск!оп. 2018. Тумаркин Л.В., Серенков И.Т., Сахаров В,И., Афросимов В.В., Одинец А.А. Влияние температуры подложки на начальные стадии роста пленок титаната бария-стронция на сапфире д Физика твердого тела.
2016. Т. 58. № 2. С. 354-359. 7. Тумаркин Л.В., Кукушкин С.А., Осипов А.В., Анкудинов А.В., Одинец А,А. Роль упругой энергии в формировании сегнетозлектрических пленок титаната бария-стронция на сапфире 0 Физика твердого тела. 2015. Т. 57. № 4. С. 796-801.
8. Л. В. К.скугеч. Ч. Ь!. Ояабсйу, Е. Л. Ь!епааЬеча, Л, Ч. Тшпаг«1п, А. О. А!!упп!коч, 1. Ч. Ко!е!пйсоч, О. М. Козп1!п. Еп1тапсешсп! о1'Раз! — Лсгюп ор Реггое!ес1г1с Ь)оп-1лпеаг Сеганйс М!сгоюаче Е!еше1нв Ьу Оху8еп Аписа!ш8, С )опгпа! о!'Ас1чапсес! КезеагсЬ 1п !Зупаш!са! агЫ Соп!го! Вузсе1па. 2018, Т.10, С.1905-1908 9. 18ог Ч Ко!е!п!1;оч, Чйа1у Ь! Овас1сйу„йошап Лпйгееч!с!» Р!а1опоч.
Апйгеу О А11упп!1точ, Ча!епбпа Ч Мег)чег)ечи Апаго1у К М!1;Ьа!1оч, Л!еКаапг1г О Оайаг)п, Апг)геу Ч Тип1агМп, Лпйгеу В Когугеч. Яерагайоп о1 йс Ме~аП1с апс! !З1е1ес!г!с Еозвез оГ ТцпаЬ!е Реггое!ес!г!с .
