Автореферат (Разработка и исследование схемотехнических SPICE-моделей элементов радиационно-стойких и фоточувствительных КМОП БИС со структурой КНИ КНС), страница 8
Описание файла
Файл "Автореферат" внутри архива находится в папке "Разработка и исследование схемотехнических SPICE-моделей элементов радиационно-стойких и фоточувствительных КМОП БИС со структурой КНИ КНС". PDF-файл из архива "Разработка и исследование схемотехнических SPICE-моделей элементов радиационно-стойких и фоточувствительных КМОП БИС со структурой КНИ КНС", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве НИУ ВШЭ. Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ ВШЭ, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 8 страницы из PDF
и др. Анализ влияниясуммарной поглощённой дозы на характеристики элементной базы КНИ КМОП БИСОЗУ // там же – с. 90–95;[29]. З.М. Поварницына, В.П. Яромский, Е.С. Сельков, О.А. Хотькова, В.Н. Богатырев, Г.В. Прокофьев, Д.Г. Крылов, А.И. Черный, К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Е.В. Орехов, Л.М. Самбурский Разработка конструктивно-технологических решений, моделирование и испытания образцов базовых элементов АЦ схемотехникина КМОП КНС-структурах // III Всероссийская НТК «Актуальные проблемы ракетнокосмического приборостроения и информационных технологий» – Сб. тр. –г. Москва,2010;[30].
Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М. и др. Определение параметров электрической подсхемы, подключаемой к SPICE модели МОП транзисторадля учета влияния отдельных ядерных частиц // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научных трудов. – М.: МИФИ, 2011. – С. 8-15;[31]. К.
Консбаев, Л. М. Самбурский Разработка системы автоматизации измерений характеристик и экстракции радиационных параметров макромодели КНИ/КНСМОП-транзисторов // Научно-техническая конф. студентов, аспирантов и молодыхспециалистов МИЭМ. Тезисы докладов. – 2012. – С. 358-359;[32]. Е. С. Дрозденко, Л. М. Самбурский Аппаратно-программный комплекс дляпараметрического и функционального контроля фрагментов АЦ/ЦА БИС // там же –С. 348-349;[33]. Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л.
М. и др. МакромодельEKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, учитывающая радиационные эффекты// Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. науч. тр. – М.: МИФИ, 2012. – С. 8–20;[34]. Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuitswith EKV-RAD macromodel / K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, L. M. Sambursky et al.// Proc.
of 10th IEEE East-West Design & Test Intl. Symposium (EWDTS'12), Kharkov,Ukraine, Sept. 2012. – P. 60–65;[35]. Определение параметров SPICE-модели КНС МОП-транзисторов для проектирования аналоговых и цифро-аналоговых специализированных интегральныхсхем для радиационно-стойкой аппаратуры / К. О. Петросянц, И. А. Харитонов, Л. М.Самбурский и др. // Тезисы докладов Отраслевой НТК приборостроительных органи-29заций Роскосмоса «Информационно-управляющие и измерительные системы – 2012»,г. Королёв, Моск. обл., 20–21 сентября 2012 г.
– С. 54–56;[36]. Петросянц К. О., Самбурский Л. М. SPICE-модели фотодиодов и фототранзисторов для расчёта КНС КМОП фоточувствительных ячеек // «Твердотельнаяэлектроника. Сложные функциональные блоки РЭА». Материалы XI научнотехнической конф., г. Дубна, Моск.
обл., окт. 2012 г. – С. 116–121.[37]. Петросянц К. О., Харитонов И. А., Орехов Е. В, Самбурский Л. М., Ятманов А. П. Моделирование влияния паразитного биполярного транзистора на механизмодиночных сбоев ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научных трудов. – М.: МИФИ, 2012.
– С. 21–32;[38]. Самбурский Л. М. Моделирование перекрёстных электрических помехв КМОП-ФД матрице // НТК студентов, аспирантов и молодых специалистов МИЭМНИУ ВШЭ. Тезисы докладов., М. МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013, с. 261-262;[39]. Проектирование рад.-стойкого прецизионного усилителя на базе КНСКМОП технологии / Петросянц К.О., Богатырев В.Н., Гоманилова Н.Б., ПоварницынаЗ.М., Щёкин А.А., Харитонов И.А., Самбурский Л.М.
// Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. науч. тр. / Под ред. В.Я. Стенина. – М.: НИЯУ МИФИ, 2013. –с. 296-302;[40]. Сравнительный анализ SPICE-моделей КНИ/КНС МОПТ для учёта рад.эффектов / Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М. // там же – с. 303-309;[41]. Л.
М. Самбурский, А. С. Мокеев, А. Н. Мансуров Схемотехническое моделирование элементной базы КМОП КНИ БИС // Сб. трудов VII научно-техническойконференции «Высокие технологии атомной отрасли. Молодежь в инновационномпроцессе» (принято в печать);Список цитируемой литературы[42]. Petrosjanc K. O., Adonin A. S., Kharitonov I. A., Sicheva M.
V. SOI Device Parameter Investigation and Extraction for VLSI Radiation Hardness Modeling with SPICE //Proc. IEEE Intl. Conf. on Microelectronic Test Structures. – 1994. – Т. 7. – С. 126–129;[43]. Петросянц К. О., Харитонов И. А. Модели МДП и биполярных транзисторов для схемотехнических расчётов БИС с учётом радиационного воздействия //Микроэлектроника РАН. – 1994. – Т.
23. – №. 1. – С. 21-34.[44]. Данилов И. А. и др. Разработка программных средств моделирования ИМСс повышенной стойкостью к внешним воздействующим факторам космического пространства //Информационные. системы и технологии. – 2011. – Т. 63. – №. 1;[45]. Gorbunov M.
S. et al. Verilog-A Modeling of Radiation-Induced Mismatch Enhancement // IEEE Transactions. on Nuclear. Science. – 2011. – Т. 58. – №. 3. – С. 785792;[46]. Кокин С.А. и др. Разработка математической и программной модели транзистора для радиационно-стойкой технологии 0.8 КНС // Материалы Научнопрактического семинара «Проблемы создания специализированных рад.-стойкихСБИС на основе гетероструктур». – г. Н. Новгород, 2012 г.;[47]. J.
Alvarado, E. Boufouss, V. Kilchytska, D. Flandre Compact model for singleevent transients and total dose effects at high temperatures for partially depleted SOI MOSFETs // Microelectronics. Reliability. – 2010. – Т. 50. – С. 1852–1856;[48]. Bu Jianhui, Bi Jinshun, Liu Mengxin, Han Zhengsheng A total dose radiationmodel for deep submicron PDSOI NMOS // Journal of Semiconductors. – 2011. – Т. 32. –№ 1. – С. 014002-1 – 014002-3;[49]. Afzalian A.
et al. Design of Thin-Film Lateral SOI PIN Photodiodes with up toTens of GHz Bandwidth /Adv. in Photodiodes, Ed. G. F. Dalla Betta. – InTech Press, 2011;30[50]. Andreou A. G. et al. Silicon on sapphire CMOS for optoelectronic microsystems//Circuits and Systems Magazine, IEEE. – 2001. – Т. 1. – №. 3. – С. 22-30;[51]. Zheng Y. et al. Phys. model of lateral PIN photodiode gated by a transparentelectrode fabr. on SOI film //Optics and Photonics Letters 2009.
– Т. 2. – №. 01. – С. 15-20;[52]. Xie H. et al. Analysis and simulation of lateral PIN photodiode gated by transparent electrode fabricated on fully-depleted SOI film //Journal of Central South Universityof Technology. – 2011. – Т. 18. – С. 744-748;[53].
Afzalian A. et al. Physical modeling and design of thin-film SOI lateral PIN photodiodes // IEEE Trans. on Electron Devices,. – 2005. – Т. 52. – №. 6. – С. 1116-1122;[54]. Negru R. et al. A new p-in photodiode SPICE model for CMOS pixel applications //Eur. Phys. J. Appl.
Phys. – 2008. – Т. 41. – С. 205-213;.
