Автореферат (Метод обеспечения функциональной надежности печатных узлов радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов при воздействии электростатических разрядов)
Описание файла
Файл "Автореферат" внутри архива находится в папке "Метод обеспечения функциональной надежности печатных узлов радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов при воздействии электростатических разрядов". PDF-файл из архива "Метод обеспечения функциональной надежности печатных узлов радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов при воздействии электростатических разрядов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве НИУ ВШЭ. Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ ВШЭ, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
На правах рукописиКузнецов Вадим ВадимовичМетод обеспечения функциональнойнадёжности печатных узлов радиоэлектроннойаппаратуры космических аппаратов привоздействии электростатических разрядовСпециальность: 05.12.04 – Радиотехника, в том числе системы и устройствателевиденияАВТОРЕФЕРАТдиссертации на соискание ученой степеникандидата технических наукМосква – 2014Работа выполнена в федеральном государственном автономномобразовательном учреждении высшего профессионального образования«Национальный исследовательский университет «Высшая школаэкономики»Научный руководитель:доктор технических наук,профессор Кечиев Леонид НиколаевичОфициальные оппоненты:Кириллов Владимир Юрьевич, доктор технических наук, профессор, Московский авиационный институт (МАИНИУ), заведующий кафедрой «Теоретическая электротехника»Кривов Анатолий Сергеевич, доктортехнических наук, профессор, ЗАОНПФ «Диполь», г.
Москва, заместитель генерального директораВедущая организация:ФГУП «Московское опытно-конструкторское бюро «Марс»Защита состоится 19 июня 2014 года в 12 часов на заседании диссертационного совета Д212.048.13 созданного на базе федерального государственногоавтономного учреждения высшего профессионального образования «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» , поадресу: 109028, Москва, Б. Трехсвятительский пер., д.3, зал заседаний учёного совета (к.217).С диссертацией можно ознакомиться на сайте http://www.hse.ru/sci/diss/ и вбиблиотеке Национального исследовательского университета «Высшая школа экономики» по адресу 101000, г.Москва, ул.Мясницкая, д.20.Автореферат разослан2014 г.Ученый секретарьдиссертационного совета,к.т.н., профессорГрачёвНиколай Николаевич2Общая характеристика работыАктуальность работыВся радиоэлектронная аппаратура (РЭА), выпускаемая в настоящее время чувствительна к электростатическому разряду (ЭСР).
Воздействие ЭСРна современные электронные компоненты может вызывать их необратимоеповреждение или скрытые дефекты.Источниками электризации могут быть как перенос электростатическихзарядов со стороны оборудования и персонала для наземной аппаратуры,так и потоки высокоэнергетических заряженных частиц для бортовой аппаратуры космических аппаратов (КА). Источниками разряда могут служить:контакт РЭА с носителями заряда: человеком (HBM-модель), с оборудованием (MM-модель), или заряженной РЭА с заземлённым оборудованием (CDMмодель).Исследованию ЭСР и моделированию воздействия ЭСР на РЭА посвящены работы Саенко В.С., Пожидаева Е.Д., Кечиева Л.Н., Кириллова В.Ю.,Абрамешина А.Е., Марченко М.В., Вострикова А.В., а из зарубежных исследователей: Pommerenke D., Ashton R., Sowariraj M.S.B., Colnar J., Trotman J.,Bönisch S.Документ ESDA 1 вводит в рассмотрение новый источник разряда —ЭСР от заряженной печатной платы (CBM модель — charged board model).Рассмотрение данного вопроса началось только в 2007-2008 годах, точныеданные по CBM ЭСР отсутствуют, и исследования в данном направленииявляются актуальными.
Актуальной является разработка методов моделирования данного вида ЭСР.На основании полученных результатов моделирования возможно обоснование необходимых методик контроля статической электризации для оценки реальной электромагнитной обстановки. Применение методик контроляпозволяет выявить опасность возникновения ЭСР и оценить эффективностьмероприятий по предотвращению ЭСР. Тем самым достигается повышениекачества изготовления бортовой аппаратуры КА.
Разработка научных и технических основ проектирования, конструирования, технологии производства,испытания и сертификации производимой бортовой аппаратуры КА к воздействию ЭСР и повышение качества данной аппаратуры относятся к приоритетным задачам развития промышленности, и избранная тема диссертацииявляется актуальной.1Industry Council on ESD Target Levels. — White Paper 2: A Case for Lowering Component Level CDMESD Specifications and Requirements, April, 2010.3Цель диссертационной работыЦелью диссертационной работы является повышение устойчивости радиоэлектронной аппаратуры к поражающим факторам электризации за счётвыявления влияния характеристик печатного монтажа на порог отказа электронных компонентов при ЭСР и принятия мер по предотвращению ЭСР.Задачи исследованийДля достижения данной цели необходимо решить следующие задачи:1.
Провести обзор и анализ механизмов воздействия ЭСР на РЭА, моделей испытаний на воздействие ЭСР, методов и средств защиты от ЭСР,существующих методов моделирования ЭСР и защитных компонентов,существующих методов и средств контроля электростатических полей,зарядов и потенциалов. На основании проведённого обзора сформулировать целевую задачу.2. Создать методику моделирования воздействия CBM ЭСР на электронные компоненты и печатные узлы на основе схемотехнического моделирования эквивалентной электрической схемы воздействия ЭСР. Разработать эквивалентную схему CBM ЭСР. Разработать способы представления физических параметров объекта воздействия ЭСР в виде параметров эквивалентной электрической схемы.3. Разработать методику и аппаратуру для контроля электростатическихпотенциалов для применения в условиях сборочного цеха приборостроительных предприятий, предназначенную для выявления потенциальнойопасности накопления заряда печатным монтажом.
К данной аппаратуре предъявляется требование повышенной устойчивости к перегрузкампо входу, которые могут иметь место в результате ошибочных действийоператоров.4. Выполнить экспериментальную проверку разработанной методики моделирования CBM ЭСР. Для этого разработать стенд для проведенияCBM ЭСР тестирования. Сравнить пороги отказа электронных компонентов, полученные в результате моделирования и в результате измерений.5. На основании разработанной методики контроля статического потенциала разработать практическую схему прибора для контроля статического потенциала. Внедрить данный прибор в технологический процесспроизводства РЭА.4Научная новизна1.
В результате расчётов установлено и экспериментально подтверждено,что порог отказа электронного компонента при CBM ЭСР (напряжение ЭСР после при котором компонент отказывает) составляет 50% именее от порога отказа при CDM ЭСР. Эксперименты и моделирование, выполненные по оригинальной методике, независимо подтвердилирезультаты ранее опубликованных экспериментальных исследований.
22. Создана методика моделирования воздействия электростатического разряда по модели заряженного компонента на печатные узлы, состоящая впредставлении объекта воздействия ЭСР в виде эквивалентной электрической схемы и последующем её моделировании с помощью программного обеспечения (ПО) для схемотехнического моделирования.
По известным параметрам ПП и электронного компонента можно рассчитатьпорог отказа при CBM ЭСР.3. Для экспериментальной проверки созданной методики моделированияЭСР разработан стенд и выполнены сравнительные исследования результатов расчётов и экспериментов. Произведён сравнительный анализполученных экспериментальных данных с данными зарубежных источников.Теоретическая значимостьРезультаты и методы диссертации могут быть полезными как с теоретической, так и с практической точек зрения специалистам в области электростатического разряда. Диссертационное исследование способствует дальнейшему развитию исследований по совершенствованию методик моделированиявоздействия ЭСР на РЭА.Разработанная методика моделирования CBM ЭСР позволяет упроститьрасчёт порога отказа электронных компонентов при CBM ЭСР, благодаряпредставлению объекта воздействия ЭСР в виде эквивалентной электрической схемы, состоящей из элементов с сосредоточенными параметрами.2Colnar, J.
Decreased CDM ratings for ESD-sensitive devices in printed circuit boards / J. Colnar, J.Trotman, R. Petrice // In Compliance. — 2010. — P. 38 — 41.5Практическая значимость1. Разработанная методика схемотехнического моделирования воздействияЭСР на МОП-транзисторы с использованием ПО с открытым исходнымкодом Qucs имеет применение для выявления чувствительности печатных узлов различных изделий спецтехники к ЭСР на этапе разработкиКД.2. На основе разработанной модели CBM ЭСР выработаны рекомендациипо рациональному конструированию ПП для условий эксплуатации, гдеимеется опасность накопления заряда ПП.3. На основе созданной методики контроля электростатических потенциалов разработана практическая схема контактного прибора для контроляэлектростатических потенциалов, на которую получен патент на полезную модель №118066 [23]. Данное средство контроля внедрено в техпроцесс монтажа РЭА.4.
Решена задача сопряжения электрометра с устройствами обработкиданных и разработана оригинальная схема гальванической развязки,на которую получен патент на полезную модель №127555 [24].5. В ходе исследований показана возможность применения ПО с открытым исходным кодом для решения научных и инженерных задач: моделирования, обработки данных эксперимента и т.п. Для моделированияиспользуется ПО Qucs, для обработки результатов эксперимента — система численных расчётов Octave, для разработки ПО — набор библиотек С++ Qt4, для подготовки текстовых документов — система вёрсткиLATEX.6.
В ходе исследований в исходный код ПО Qucs были внесены изменениядля оптимизации его использования в учебном и исследовательском процессе. Изменения приняты в текущую выпускаемую версию ПО.Положения, выносимые на защиту:1. Для расчёта порога отказа электронных компонентов при CBM ЭСР достаточно представить объект воздействия ЭСР (печатный узел) в видеэквивалентной электрической схемы с сосредоточенными параметрами6(эквивалентная индуктивность и ёмкость). Возможен автоматизированный расчёт переходного процесса в данной эквивалентной схеме припомощи ПО для схемотехнического моделирования общего назначения.2. Порог отказа МДП-транзисторов при CBM ЭСР снижается на 50% иболее по сравнению с порогом отказа при CDM ЭСР.