lection 7 (Презентации лекций)
Описание файла
Файл "lection 7" внутри архива находится в папке "Презентации лекций". PDF-файл из архива "Презентации лекций", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физические основы элементарной базы современных эвм (фопы)" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГУ им. Ломоносова. Не смотря на прямую связь этого архива с МГУ им. Ломоносова, его также можно найти и в других разделах. .
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Лекция 7. Полупроводниковые ЗУИДЕЯ: добавим положительнуюобратную связь к инверторуTвыборки,нсобъем$/байтрегистры 0,01 ― 1 нссотни0,1 - 10кеш0,5 ― 2 нсМбайт0,1 ― 0,5озу2 ― 20 нсГбайт0,01 ― 0,1Комбинационная логика –выход зависит только от сигналов на входеПоследовательная логика –выход зависит еще и от предыдущихсигналов на входеФизические основы современных ЭВМ. ВМиК. http://comp.ilc.edu.ruКлассификация ЗУПо типу обращения● адресные ЗУ● ЗУ с последовательным доступом (FIFO, LIFO)● ЗУ с ассоциативным доступом (кеш)Адресные ЗУ делятся:●RAM – Random Access Memory●ROM – Read Only MemoryROM:масочные ПЗУ –программируется на заводеPROM (ППЗУ) –программирование один разEPROM –стирание ультрафиолетомEEPROM, Flash –стирание электрическим сигналомRAM:SRAM – Статические ЗУDRAM – Динамические ЗУСтатические ЗУ:асинхронные –разрешение по уровнюсинхронные (тактируемые) –переключения по фронтуконвеерныеФизические основы современных ЭВМ.
ВМиК. http://comp.ilc.edu.ruОрганизация памятиОсновные сигналы:●RAS – row access strobe;●CAS – column access strobeФизические основы современных ЭВМ. ВМиК. http://comp.ilc.edu.ruСОЗУ, SRAMRS триггер1,1 – запрещенная комбинацияФизические основы современных ЭВМ. ВМиК. http://comp.ilc.edu.ruДругие триггерыD триггерD-триггер – триггер задержки – сигнал на выходе Q (t+1)имеет значение сигнала на входе в момент времени tФизические основы современных ЭВМ.
ВМиК. http://comp.ilc.edu.ruRS триггер на КМОП логикеЛинииданныхЛинии адресаФизические основы современных ЭВМ. ВМиК. http://comp.ilc.edu.ruДинамическая память. ОЗУ. DRAMU, ВU=CV ddCC line T, cТипичные значения: С ~ 30 – 50 fF. Cline ~ 30 - 50 C,T самопроизвольного разряда ― 10-1 ÷ 10-2 сФизические основы современных ЭВМ. ВМиК. http://comp.ilc.edu.ruЦикл чтения. Методы регенерации DRAMПростейший цикл чтения1.
Сигнал RAS2. Ждем появления данныхв буфере3. Cигнал CAS4. Буфер выделяет нужный код5. Ждем данные на выходе6. RAS rechargeRASCASв 90х годах полный цикл – 200 нс1-3 : RAS to CAS delay3-5: CAS delayМетоды регенерации DRAM● Регенерация одним RAS (RAS Only Refresh)● CAS перед RAS (CAS Before RAS, CBR)● Автоматическая регенерация памяти (Self Refresh, SR)Физические основы современных ЭВМ. ВМиК. http://comp.ilc.edu.ruХитрости памяти: EDO, SDRAM, DDR-XДеление на банки/страницы и т.д.;● EDO DRAM - буффер на выходе;● SDRAM - синхронная работа с чипсетом и процессором;● DDR-X - умножение частоты передачи;●Физические основы современных ЭВМ.
ВМиК. http://comp.ilc.edu.ruСхема микросхемы памятиФизические основы современных ЭВМ. ВМиК. http://comp.ilc.edu.ruПЗУМасочные ПЗУ(ROM)ПрограммируемыеПЗУ (PROM)Физические основы современных ЭВМ. ВМиК. http://comp.ilc.edu.ruEPROM,EEPROMПолевой транзистор с «плавающим» затворомFAMOS - Floating Gate Avalanche injection Metal Oxide SemiconductorФизические основы современных ЭВМ. ВМиК. http://comp.ilc.edu.ruМеханизм работыЗаписьОбычное состояние. Чтение++++Чтение++++--- ---++++++++++++++++-------Стирание--- ---------Физические основы современных ЭВМ. ВМиК.
http://comp.ilc.edu.ru+++Архитектуры FLASH памятиNORВысокая скоростьпроизвольного чтенияNANDКомпактная, но низкаяскорость произвольногочтенияФизические основы современных ЭВМ. ВМиК. http://comp.ilc.edu.ruМногоуровневые ячейки. MLCФизические основы современных ЭВМ. ВМиК.
http://comp.ilc.edu.ruПерспективные технологии: RRAMМемристор:Теория - 1971 год, профессор Леон Чуа.Реализация — 2008 год, лаборатория Hewlett-PackardTiO2 — полупроводник.Свойство - изменениеконцентрации O2 поддействием токаСледствие — изменениесопротивленияd =Mdq500 Гб в 1 см3Физические основы современных ЭВМ. ВМиК. http://comp.ilc.edu.ruПерспективные технологии: MRAMMRAM - магниторезистивная памятьИдея - храним магнитный момент — спин электрона!Физические основы современных ЭВМ.
ВМиК. http://comp.ilc.edu.ru.
