lection 3 (2009) (Лекционный курс), страница 3
Описание файла
Файл "lection 3 (2009)" внутри архива находится в папке "Лекционный курс". PDF-файл из архива "Лекционный курс", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физические основы элементарной базы современных эвм (фопы)" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГУ им. Ломоносова. Не смотря на прямую связь этого архива с МГУ им. Ломоносова, его также можно найти и в других разделах. .
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 3 страницы из PDF
Полупроводники p- и n-областей вырожденные (большаяконцентрация примесей), поэтому очень малые сопротивления p- и n-областей иочень малая ширина обедненного слоя. Уровень Ферми располагается не взарпрещенной зоне, а в разрешенных зонах. Энергетическая диаграмма показана нарис. Носители зарядов могут переходить из одной области в другую без измененияэнергии, то есть, не преодолевая потенциальный барьер.Генераторные диоды (диоды Ганна) – предназначены для генерации СВЧколебаний. Они также представляют собой двухполюсники, однако, в отличие оттуннельных диодов, участок ВАХ с отрицательным сопротивлением проявляетсятолько на высоких частотах, но не в статическом режиме.Фотодиоды – фотоэлектрические приборы с одним p-nпереходом.
Используется явление внутреннего фотоэффекта, то есть,процесса ионизации атомов кристаллической решетки основногополупроводника или примеси квантами света, сопровождающийсяобразованием подвижных носителей заряда.18Контакт металл-полупроводник. Диод Шоттки. Омический контакт.19.