отзыв вед орг (Теоретическое исследование электронного транспорта в молекулярном одноэлектронном транзисторе), страница 2

Предложенная молечь прв ощмлеяении параметра учитывает два тина возможных энергетических возбуждений в электранвьщ спектрах: спиновые и аболочечные. Эта существенно улучшает резулыаты раечвщ с точки зрения приближенна к реальиьш процессам электронного транспорта через наначаспюу в аднаэлектроиной системе. Достаточно южньш практичшким результатом является модельный расчет транспортных характеристик аляаэлектронного молекулярного зранзиетора на основе золотых наночастип и его сравнительный анализ с экспериментально измеренными трвнспортнымн характеристиками олнозлекгронного транзисюра на основе золотой частнцм размером К2 нм тс золотым ядром размером 2.8 нм, покрытым лигандной оболочкой тиолов толщиной 1.2 нм). Сравнительный анализ проведенный в диапазоне температур ст 9 К ло ! 00 К показал, что предложенная модель оценки пврамш)юв транспортных характеристик одиозна«дынного транзистора даст «ачественна хороший результат Известно, что использование одноэлектгюниых устройств ограничиваетс» их рабочей температурой, поэтому создание транзиспгра на молекулярньсг объектах может открьпь новые перспективы перед адноэвекгроникай.

Поэтому пракпгюсюм ценность предложенного подхода состоит в том, 'по он может быль использовав лл» разрабопгн одноэкекгронных систем на основа самых рюнообразных нанообъектов, в том числе для таких, каличеспю атомов в которых не позволяет провести полноценный «вантовый расчет на современном уровне вычислительных мощностей.

льтатеннв во ов осте е несть экепе вмеитавьн Основюге результаты диссертации получены с использованием физических моделей с применением известных математических методов и стандартных программных наказов Достоверность подуюнных резулыатов нодгверждаетск соответствием между теоретическими оценками на основе ювестных физических моделей и имеющимися экспериментальными Ланными, а также тем, что квантово-механические асимпппики хармпериетик наноэлеюуюнных устройств согласно прнипнпу соотвеюзвия переходят в классические зависимости при маснпабированви нанообьекюв.

П актнчыкэн сивость адаты Несомненную дрюггическую ценность представляют результаты моделирования мономолекушрных наноэлектронных устройств, которые чрезвычайна перспективны дня рюработки злсменпюй базы молекулярной однаэлектронвки. ОйэВмдеийй,дщсейдющ Объем и структура диссертации соответствуют требованиям, прсдьявляемым к кандидатским диссертациям. Автореферат диссертации достаточно полно отражает основные положения диссертации. П бли чпьш льтвтов Материапэ диссертации опубликонаны в 2 научньы статьях в редензируемых научных журналах, входяшнх в перечень ВАК РФ.

В 2 пубникашгях по трудам конференций, включенных в систему цитирования ЦгеЬ оГКдаэйсбде, а также в 3 публикапиях в сборниках трудов международных научных конференций. Д~ечаииа по ззисеевбйййй К замечал инм но тексту диссертации можно отнести следуюшсег 1. Нс всслеловано эвияние взаимной ориентации молекул на величину взаимной емкости. 2. Расчет трмюпортных характеристик произведен только дна скучая симметричного зранзистора. Отмеченные выше замечании не зюрагиаают сушестеа выводов н ни в коей мере не снижают оценку диссертационной рабанн.

бэклюй2мие Диссертация Я.С. Герасимова "Теоретическое исследование электронного транспорта в молекулярном адноэлектроннам транзисторе*', представляет собой законченную научноисследовательскую рабату по современной и актуальной тематике. В работе получен целый ряд новых научных результатов, в совокупности представляюших сушсственный юаг в разработке и фнзнческо «сследааании мономолекул р ьж нанозчектронных устройств на основе олноэлекгрониых транзисторов, проведено всестороннее исследование транспортных харакюристик мономолекулярных адиоэнсктроиных транзисторов путна нх численного моделироваюы, а также мзучение энергетических и элыпричесних параметров молекуларвьж наноразмерных обьекгав,выступаюших вроли базовых элемегпов данных устройств.

Срввнитеюный анализ с азвестнымн экспериментальными даинымв показал хорошее аютвезствие с оценками параметров цзанспортньзх характеристик одноэлекгронною транзистора, полученными ва основе численного моделирования. Материалы диссертации могут быть испсльзощны, прежде аоста„в организациях, занимающи«с» исслелованиями в области наноэлектроника, нанотехнологии и прецизионных Курчатовский институт н др.

Автореферат полностью и прмзильно атрахщет содержание диссертации. Основные мюериалы опубликованы в рецензируемых научных журналах, входящих в перечень ВАК РФ, и доквапывались на международных и российских научных конференциях. Оценищщ лиссертацню в целом, можно с уверенностью утверждать, что по объему полученных резулщптов, достоверности, научной и практической значимости выволов она удовлетворяет всем требованиям ВАК, прсдъяющемых к канлидатскнм диссертациям, а щ авюр - Герасимов Ярюлав Сергеевич является сложившимся высококвалифицированным спелиелистем в обчасти физической эле«троянки, ваноэаекгроники, олноэлектроники и, безусловно, заслуя:навет присуждения ученой степени «андидата физико-математических наук по спепнальностям 01.04.04 — фиэвчгскщ электроника и 01.04.07 — физика конденсированного состояния.

Отзыв обсужаен и одобрен на «аучно-квалификапионном семинаре по нмтраелению «Физика электронных процессов в низкараэмерных системах» ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. Зав. отделом ИРЭ им. В.А. Ксгельникова РАН, д. ф.-м. н., профессор К)~= -'~ В.Н. Губаикав Зав. лаб. ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, к. ф.-м. и., В.В. Колесов физичес«их юмерений, щквх, «ак Институт радщпехиики и электрониии им. В.А. Котельникова РАН, Институт физических проблем им. П.Л. Капицы, Физика- технологический институт РАН, Физический иисппут им. П.Н. Лебедева РАН, Институт общей физики им. А.М.

Прохорова, НИИ физвчесиих пробвем им. Ф.В. Лукин« Институт аптигки и спекгросщгнии РАН, Мгюкавский инсппут радиотехники, электроники и автоматики, Московский институт зле«тронной техники 4техничгский университегф РНЦ .