Когерентное и диффузное рассеяние рентгеновских лучей на планарных гетероструктурах, страница 4
Описание файла
PDF-файл из архива "Когерентное и диффузное рассеяние рентгеновских лучей на планарных гетероструктурах", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве МГУ им. Ломоносова. Не смотря на прямую связь этого архива с МГУ им. Ломоносова, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 4 страницы из PDF
Казаков,К. М. Павлов [и др.] // Рентгеновская оптика – 2004: Материалы совещания,Н. Новгород, ИФМ РАН, 2 – 6 мая 2004 г. – ИФМ РАН, 2004. – С. 131 – 135.8. Пунегов, В. И. Решение обратной задачи дифракции на наноструктурахInGaAsP с использованием карт интенсивностей рассеяния в обратном пространстве /В. И. Пунегов, Д. В. Казаков [и др.] // Тезисы докладов V Национальной конференциипо применению Рентгеновского, Синхротронного излучения, Нейтронов и Электронов для исследования материалов (РСНЭ НАНО – 2005), Москва, ИК РАН, 14 – 19ноября 2005 г.
– М.: ИК РАН, 2005. – С. 239.9. Казаков Д.В. Применение статистической динамической теории дифракциидля исследования ионно-имплантированных слоев кристаллов в условиях стоячихрентгеновских волн // Сборник тезисов десятой всероссийской научной конференциистудентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-10), Москва, МГУ, 1 –7 апреля 2004 г.– Красноярск: АСФ России, 2004. – С. 180.10. Пунегов, В. И. Исследование наноструктур на основе InGaN методом синхротронного рассеяния / В. И.
Пунегов, Д. В. Казаков, Д. Н. Семенюк [и др.] // Актуальные вопросы современного естествознания. – Нальчик: КБГУ, 2005. – № 3. С. 6 –13.11. Пунегов, В. И. Исследование наноструктур на основе InGaN методом синхротронного рассеяния / В. И. Пунегов, Д. В. Казаков, Д. Н. Семенюк [и др.] // Тезисыдокладов конференции «Наноразмерные системы», Киев, 12 – 14 октября 2004. – Киев: Институт металлофизики НАН Украины, 2004, – С. 5 – 68.0,0ε(z)f(z)0,9-4-1,0x100,8-4-2,0x100,7-4-3,0x100,00,20,4z, мкм0,60,0Рис. 1. Профиль деформации-2100,20,4z, мкм0,6Рис. 2. Профиль статфактора0R(∆θ)AB-310-41010 R(∆θ)AB-110-2-510-610-71010-310-410-5-500100500∆θ, угл.
секРис. 3. КДО трехкристальной схемы:A – данные эксперимента;В – результат моделирования-2000200∆θ, угл. сек400Рис. 4. КДО двухкристальной схемыA – данные эксперимента;В – результат моделирования1,2 χ(∆θ)AB1,00,8-50050∆θ, угл. сек100Рис. 5. Выход фотоэлектронов: A – данные эксперимента; В – результат моделирования30-50 ML InP2-3 ML InGaAsPInPРис.
6. Модель кристалла InP/InGaAsP/InP с ультратонким слоем InGaAsPРис. 7. Угловое распределение интенсивности рассеяния рентгеновских лучей вблизи узла обратной решетки InGaAsP(002): (A) – данные эксперимента; (В) – результатмоделирования0,300,250,200,150,100,050,00x0AsGa20406080Н омер слоя100Рис. 8.
Профили относительной концентрации Ga и As по глубине20 нм InGaN2 мкм GaN30 нм AlNсапфирРис. 9. Модель кристалла InGaN/GaN/AlN/Al2O3 с наномасштабным слоем In1-xGaxNРис. 10. Угловое распределение интенсивности рассеяния рентгеновских лучейвблизи узла обратной решетки InGaN(004): (А) – результаты численного моделирования, (В) – данные эксперимента0AB10 I(θ−2θ)-110-1AB10 I(∆ω)-210-210-3-31010-410-410-510-61028-5303234θ−2θ, град3610-0,20,0∆ω, град0,2Рис. 11.
Данные θ − 2θ -сканирования: А – Рис. 12. Данные ω -сканирования: А –результаты численного моделирования,результаты численного моделирования,В – данные экспериментаВ – данные эксперимента0.65 нм InSb4,3 нм InGaSb0.65 нм InSbПовторяется 60 раз8.9 нм InAs0.5 мкм GaSbРис. 13. Модель сверхрешетки InSb/InGaSb/InSb/InAs на GaSb(001) подложкеРис. 14. Угловое распределение интенсивности рассеяния рентгеновских лучейвблизи узла обратной решетки GaSb(002): (А) – результаты численного моделирования, (В) – данные эксперимента0AB10 I(θ−2θ)-1100-110-210-2-310-410-51010-310-410-610AB10 I(∆ω)-56061θ−2θ, градРис.
15. Данные θ − 2θ -сканирования:А – моделирование, В – эксперимент10-0,20,0∆ω, град0,2Рис. 16. Данные ω -сканирования: А –моделирование, В – эксперимент.