Информация о ведущей организации и оппонентах (Исследование волноведущих систем методами математической физики)

1. Официальный оппонент: Кравченко Виктор Филиппович, доктор физикоматематических наук, профессор, главный научный сотрудник Институтарадиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН, 107207. Москва, улицаМоховая, дом 11e-mail: kfv-ok@mail.ruТел.: +7 (903) 788-33-86Докторская диссертация защищена по специальности: 01.04.03 - радиофизикаСписок публикаций:1. Кравченко В. Ф., Басараб М. А. Булева алгебра и методы аппроксимации вкраевых задачах электродинамики.

Под ред. В.Ф.Кравченко — М.: Физматлит,2004.2. Зелкин Е. Г., Кравченко В. Ф., Гусевский В. И. Конструктивные методыаппроксимации в теории антенн. — М.: Сайнс-Пресс, 2005.3. Кравченко В.Ф., Сиренко Ю.К., Сиренко К.Ю. Преобразование и излучениеэлектромагнитныхволноткрытымирезонанснымиструктурами.Моделирование и анализ переходных и установившихся процессов. М.:Физматлит, 2011.4.Кравченко В.Ф. Лекции по теории атомарных функций и некоторым ихприложениям. М.: Радиотехника.

2003.-512 с.5.Кравченко В.Ф., Рвачев В.Л. Алгебра логики, атомарные функции и вейвлетыв физических приложениях. М.: Физматлит, 2006.-416 с.6.Кравченко В.Ф., Лабунько О.С., Лерер А.М., Синявский Г.П. Вычислительныеметоды в современной радиофизике. М.: Физматлит, 2009-464 с.7.Зелкин Е.Г., Кравченко В.Ф., Гусевскифй В.И.

Конструктивные методы втеории антенн. М.: Сайне-Пресс, 2005. – 512 с.8.Кравченко В.Ф., Масюк В.М. Новый класс фрактальных функций в задачаханализа и синтеза антенн // Антенны.-2002.-№ 10(65).-С. 512.9.Гуляев Ю.В., Кравченко В.Ф., Пустовойт В.И.

Новый класс WA-системфункций Кравченко-Рвачева // ДАН РАН.-2007.-Т. 413, №3.-С. 320-327.10. Волосюк В.К.. Кравченко В.Ф.. Павликов В.В. Весовые функции КравченкоРвачева в задачах построения радиолокационных изображенийсинтезировании апертуры антенн // Антенны.-2008.- Вып. 2.-С.

48-60.при11. Кравченко В.Ф., Кураев А.А., Т.Л.Попкова, А.К.Синицын. Оптимизация поКПД релятивистской ЛБВ-О с использованием атомарных функций //Зарубежная радиоэлектроника. Успехи современной радиоэлектроники.-2000.№ 10.-С. 58-71.12. Зеленский А.А., Кравченко В.Ф., Павликов В.В., Тоцкий А.В. Биспектральныйанализ в задачах обработки сигналов // Физические основы приборостроения.2003.-Т.2.-№3.-С.4-38.13. Кравченко В.Ф., Процах Л.П., Кравченко П.А., Ткач М.Д.

Математическиеособенности синтеза плоских эквидистатных антенных решеток по заданнойамплитудной диаграмме направленности // Антенны.-2010.-№3.- С. 34-48.14. Андрийчук М.И., Кравченко В.Ф., Савченко П.А., Ткач М.Д. Синтез плоскихизлучающих систем по заданной энергетической диаграмме направленности //Физические основы приборостроения.-2003.-Т.2.-№ 3. - С.

40-54.2. Официальный оппонент: Апельцин Виктор Филиппович, кандидат физикоматематических наук, доцент, 105005. ФГБОУ ВО «Московский государственныйтехнический университет имени Николая Эрнестовича Баумана». 105005. Москва2-я Бауманская улица, дом 5, строение 1.e-mail: vapeltsin@hotmail.comТел.: +7(985) 9059623Кандидатскаядиссертациязащищенапоспециальности:01.01.02дифференциальные и интегральные уравнения математической физикиCписок публикаций:1.

Aпельцин В.Ф. О методе неортогональных рядов во внешних задачах теорииустановившихся колебаний, ДАН СССР, Т. 260, №5, 1981, стр. 310-3132. Aпельцин В.Ф. Обобщенный метод изображений в статических краевых задачахдля областей с аналитическими границами, ЖВМиМФ, Т. 29, № 4, 1989, c. 5075203. Aпельцин В.Ф.

, Кюркчан А.Г., Суков А.И. О роли особенностей аналитическогопродолжения рассеянного поля в методе вспомогательных источников, ИзвестияВУЗов, сер. "Радиофизика", Т. 32, № 8, 1989, с. 1042-10464. Aпельцин В.Ф. О токовом синтезе на минимальном множестве в обратной задачетеории антенн, Радиотехника и электроника, Т. XXXVI, No 4, 1991, с. 810-813–5. Aпельцин В.Ф. Высокочастотный асимптотический проекционный методисследования задачи возбуждения тонкого диэлектрического покрытия идеальнопроводящего цилиндра, Радиотехника и электроника, Т.

XXXХII, № 5 1997, C.517-5296. Aпельцин В.Ф. Высокочастотный асимптотический проекционный методрешения плоских задач рассеяния поля точечного источника на идеальнопроводящем гладком теле, Радиотехника и электроника, Т. XXXХIV, № 1 1999, с.37-517. Aпельцин В.Ф. Высокочастотное возбуждение тонкого диэлектрическогопокрытия гладкого металлического цилиндра Е-поляризованным полем точечногоисточника, Электромагнитные волны и электронные системы, т. V, № 1, 2000, с.4-178.Non-local singularities as the point source images in the generalized method ofD.A.

Grave for solving wave-scattering problems, IEEE-AP, Vol. 43, No 6, December2001, pp. 63-699. Aпельцин В.Ф. Ослабление радиовидимости металлического объектадиэлектрическим покрытием, учитывающим возможность двухпозиционногозондирования, Электромагнитные волны и электронные системы, т. 17, № 3, 2012,Стр. 27-3510. . Aпельцин В.Ф. Об оптическом эффекте малого смещения наблюдаемогоположения источника излучения полученного математическим моделированиемзадачи высокочастотного рассеяния и подтверждаемого простым экспериментом,Вестник МГТУ им.

Н.Э. Баумана, Сер. Естественные науки. Спец. выпуск«Математическое моделирование», №3, 2012, Стр. 47-5411. Aпельцин В.Ф., Богданов И.А., Волкова И.А. Приближенный численныйрасчет диаграммы направленности поля рассеянного металлическим телом наоснове регуляризованного метода вспомогательных токов, Вестник МГТУ им.Н.Э. Баумана, Сер. Естественные науки. Спец. выпуск «Математическоемоделирование», №3, 2012, Стр. 65-7512.

Aпельцин В.Ф., Полетаев А.И. О влиянии металлических экранов на полевекторного потенциала , «Наука и инновации», №9, 2013,13. Aпельцин В.Ф., Мозжорина Т.Ю. Одномерный фотонный кристалл какотражающая или волноведущая диэлектрическая структура,«Наука и инновации»,№9, 201314. Aпельцин В.Ф., Мозжорина Т.Ю. Свойства одномерногофотонногокристалла как отражающей или волноведущей структуры в случае Нполяризованного возбуждения, “Математическое моделирование и численныеметоды,No 2, 2014c. 3-2715. Апельцин В.Ф. О сдвиге границ света и тени при высокочастотномоблучении металлического тела, покрытого тонким слоем диэлектрика // ВестникМГТУ, сер.

Естественные науки, No 5 (62), 2015, с. 38-50.Ведущая организация: Учреждение Российской Академии Наук Институт прикладнойматематики имени Мстислава Всеволодовича Келдыша Российской Академии Наук.125047. г. Москва, Миусская площадь, дом 4.Телефон: +7 (499) 9781314Факс: +7 (499) 9720737e-mail: office@keldysh.ru..