Диссертация (Исследование электронного транспорта в планарных наноструктурах молекулярного масштаба), страница 19
Описание файла
Файл "Диссертация" внутри архива находится в папке "Исследование электронного транспорта в планарных наноструктурах молекулярного масштаба". PDF-файл из архива "Исследование электронного транспорта в планарных наноструктурах молекулярного масштаба", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве МГУ им. Ломоносова. Не смотря на прямую связь этого архива с МГУ им. Ломоносова, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 19 страницы из PDF
Stepanov A.S., Soldatov E.S., Snigirev O.V. , "Implementation ofmolecular transistor electrodes by electromigration", J. Supercond Nov Magn,2011, vol. 24, num. 1-2, p.1087-1093.2. Солдатов Е.С., Сапков И.В., Степанов А.С., "Методы создания иисследованиямономолекулярныхтранзисторов",Радиоэлектроника.Наносистемы. Информационные технологии, 2011, том 3, номер 2, с.38-583. С.
А Дагесян, Е. С. Солдатов, А. С. Степанов, "Изготовлениепредельно малых зазоров в металлических нанопроводах и исследование иххарактеристик", Известия РАН. Серия физическая, 2014, том 78, номер 2,с.211-2154. Kuturov A. N., Soldatov E. S. and Stepanov A.
S., "Creation of nanometergaps between thin-film metal electrodes by the method of electromigration", Proc.SPIE, 2008, vol. 7025, p.70250Q-1-70250Q-105. Stepanov A. S., Soldatov E. S. and Snigirev O. V., "Formation ofmolecular transistor electrodes by electromigration", Proc. SPIE, 2010, vol. 7521,p.752112-1-752112-86. Stepanov A. S., Soldatov E.
S. and Snigirev O. V., "Fabrication ofintegrated electrodes of molecular transistor by lithographic techniques andelectromigration", Proc. SPIE, 2012, vol. 8700, p.87000C-1-87000C-57. Степанов А.С., Кутуров А.Н."Создание зазоров нанометровогомасштаба между тонкопленочныи электродами методом электромиграции"XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых«Ломоносов 2007»8.
Stepanov A.S., Soldatov E.S., Snigirev O.V., "Formation of moleculartransistor electrodes by electromigration", Proceedings of International Conferenceon Superconductivity and Magnetism (ICSM 2010), Antalia-Turkey, 25-30 April2010, p.48.9. С. А. Дагесян, Е. С. Солдатов, А. С. Степанов, "Изготовлениепредельно малых зазоров в металлических нанопроводах и исследование иххарактеристик", XIV Всероссийская научная школа-семинар «Физика иприменение микроволн» («Волны-2013»), секция 1, П1-3, с.10.125Литература[1]. Joachim C., Gimzewski J. K., Aviram A.
" Electronics using hybrid-molecularand mono-molecular devices" // Nature, 2000, vol. 408, p.541[2]. Aviram A., Ratner M.A. " Molecular rectifiers" // Chem. Phys. (Lett.), 1974,Vol. 29, Iss. 2, p.277[3]. Anthony S. "Beyond 22nm: Applied Materials, the unsung hero of SiliconValley",http://www.extremetech.com/extreme/106899-beyond-22nm-applied-materials-the-unsung-silicon-hero, December 1, 2011.[4]. Clarke P.
"Global foundries’ Dresden fab to run 22-nm CMO",http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=223500059,March 11, 2010.[5]. Jason M. "Intel Delays 14 nm Broadwell, Schedules Haswell Refresh for2014"http://www.dailytech.com/Report+Intel+Delays+14+nm+Broadwell+Schedules+Haswell+Refresh+for+2014/article31770.htm, June 17, 2013.[6]."TheInternationalTechnologyRoadmapforSemiconductors",http://public.itrs.net/, Edition 2012.[7]. Chen Y.S., Hong M.Y., Huang G.S., " A protein transistor made of anantibody molecule and two gold nanoparticles" // Nat.
Nanotechnol., 2012, vol.7(3), p.197.[8]. Fuechsle M., Miwa J. A., Mahapatra S., et al., " A single-atom transistor" //Nature Nanotechnology, 2011, vol. 7, p.242[9]. Averin D.V., Likharev K.K, "Mesoscopic Phenomena in Solids", Amsterdam,Elsevier, 1991.126[10]. Солдатов Е.С., Ханин В.В., Трифонов А.С., Губин С.П., и др., "Одноэлектронный транзистор на основе одиночной кластерной молекулыпри комнатной температуре" // Письма в ЖЭТФ, 1996, том 64, стр. 510.[11].
Park J., Pasupathy A.N., Goldsmith J.I., Chang C. et al., "Coulomb blockadeand the Kondo effect in single-atom transistors" // Nature, 2002, vol. 417, p.722.[12]. Kubatkin S., Danilov A., Hjort M., Cornil J. et al. " Single-electron transistorof a single organic molecule with access to several redox states" // Nature, 2003,vol.
425, p.698.[13]. Bezryadin A., Dekker C., Schmid G., " Electrostatic trapping of singleconducting nanoparticles between nanoelectrodes" // Appl. Phys. (Lett.) 1997, vol71, p.1273.[14]. Steinman P. and Weaver J.M.R., " Fabrication of sub-5 nm gaps betweenmetallic electrodes using conventional lithographic techniques" // Vac. Sci. andTechnol. B, 2004, vol 22, p.3178.[15]. Morpurgo A.F., Marcus C.M., Robinson D.B., " Controlled fabrication ofmetallic electrodes with atomic separation" // Appl.
Phys. (Lett.),1999, vol. 74,p.2084.[16]. Kervennic Y.V., van der Zant H.S.J., Morpurgo A.F., Gurevich L., et al. "Nanometer-spaced electrodes with calibrated separation" // Appl. Phys.(Lett.),2002, vol. 80, p.321.[17]. Khondaker S.I., Yao Z., " Fabrication of nanometer-spaced electrodes usinggold nanoparticles" // Appl. Phys. (Lett.), 2002, vol. 81, p.4613.[18]. Park H., Lim A.K.L., Alivisatos A.P., Park J., et al. " Fabrication of metallicelectrodes with nanometer separation by electromigration" // Appl.
Phys. (Lett.),1999, vol. 75, p.301.127[19]. He J., Sankey O., Lee M., et al., " Measuring single molecule conductancewith break junctions" // Faraday Discuss., 2006,vol. 131, p.145[20]. Park H., " Charges feel the heat" // Nature Materials, 2007, vol. 6, p.330[21]. Venkataraman L., Klare J.E., Nuckolls C., et al. " Dependence of singlemolecule junction conductance on molecular conformation" // Nature, 2006, vol.442, p.904[22].
Brenning H.T., Kubatkin S.E., Erts D., et al. " A Single Electron Transistoron an Atomic Force Microscope Probe" // Nano Lett., 2006, vol. 6(5), p.937[23]. Hines T., Diez-Perez I., Hihath J., et al. " Transition from Tunneling toHopping in Single Molecular Junctions by Measuring Length and TemperatureDependence" // J. Am. Chem. Soc., 2010, vol. 132 (33), p.11658[24].
Bellec A., Ample F., Riedel D., et al. " Imaging Molecular Orbitals byScanning Tunneling Microscopy on a Passivated Semiconductor" // Nano Lett.,2009, vol. 9 (1), p.144[25]. Toher C., Rungger I., Sanvito S. " Simulating STM transport in alkanes fromfirst principles" // Phys. Rev. B, 2009, vol. 79, p.205427[26].
Kröger J., Neel N., Limot L. " Contact to single atoms and molecules with thetip of a scanning tunnelling microscope" // J. Phys.: Condens. Matter, 2008, vol.20, p. 223001[27]. Datta S., Tian W., Hong S., et al. " Current-Voltage Characteristics of SelfAssembled Monolayers by Scanning Tunneling Microscopy" // Phys. Rev. Lett.,1997, vol. 79, 2530[28]. Akkerman H.B., Boer B., " Electrical conduction through single moleculesand self-assembled monolayers" // J.
Phys.: Condens. Matter, 2008, vol. 20,p.013001128[29]. Krahne R., Amir Y., Shtrikman H., " Fabrication of nanoscale gaps inintegrated circuits" // Appl. Phys. Lett., 2002, vol. 81, p.730[30]. Pourhossein P., Chiechi R.C., " Directly Addressable Sub-3 nm GoldNanogaps Fabricated by NanoskivingUsing Self-Assembled Monolayers asTemplates" // ACS Nano, 2012, vol.6 (6), p.5566[31]. Tanga J., Poortereb E.P., Klare J.E., " Single-molecule transistor fabricationby self-aligned lithography and in situ molecular assembly" // Proc. 31st Int.
Conf.on Micro- and Nano-Engineering, 2006, vol. 83, iss. 4–9, p.1706[32]. Ray V., Subramanian R., Bhadrachalam P., " CMOS-compatible fabricationof roomtemperature single-electron devices" // Nature Nanotechnology, 2008, vol.3, p.603[33]. Rossnagel S. M., Westwood W. D., Haber J. J., "Handbook of PlasmaProcessing Technology", New York, 1990[34]. Krans J.
M., Muller C. J., Yanson I. K., et al. "One-atom point contacts" //Phys. Rev. B, 1993, vol 48, p.14721[35]. Muller C.J., Vleemingyk B.J., Reedy M.A., et al. " Atomic probes: a searchfor conduction through a single molecule" // Nanotechnology, 1996, vol. 7, p.409[36]. Ruitenbeek J. M., Alvarez A., Joyez P., et al. " Adjustable nanofabricatedatomic size contacts" // Rev. Sci. Instrum., 1996, vol. 67 (1), p.108[37]. Zhou C., Muller C. J., Deshpande M. R.
" Microfabrication of a mechanicallycontrollable break junction in silicon" // Appl. Phys. Lett., 1995, vol. 67 (8),p.1160[38]. Martin C. A., Ding D., van der Zant H.S.J., Ruitenbeek J. M. " Lithographicmechanical break junctions for single-molecule measurements in vacuum:possibilities and limitations" // New J. Phys., 2008, vol. 10, p. 065008129[39]. Yang Y., Liu J.Y., Chen Z.B., et al. " Conductance histogram evolution of anEC–MCBJ fabricated Au atomic point contact" // Nanotechnology, 2011, vol.22(27), p.275313[40].
Mehrez H., Wlasenko A., Larade B., et al. " I-V characteristics anddifferential conductance fluctuations of Au nanowires" // Phys. Rev. B, 2002, vol.65, p.195419[41]. Bohler T., Grebing J.,Mayer-Gindner A., et al. " Mechanically controllablebreak-junctions for use as electrodes for molecular electronics" // Nanotechnology,2004, vol. 15, p.465[42]. DjukicD., Ruitenbeek J.
