Отзыв на автореферат - Шевельков А.В. (Влияние легирования на термоэлектрические свойства и эффект Шубникова – де Гааза твердых растворов теллуридов и селенидов висмута и сурьмы)

ОТЗЫВ на автореферат диссертации Кудряшова Алексея Андреевича на тему «Влияние легирования на термоэлектрические свойства и эффект Шубникова — де Газа твердых растворов теллуридов и селенидов висмута и сурьмы», представленной на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.09— физика низких температур Диссертационная работа Кудряшова А.А.

построена вокруг объектов, привлекающих внимание как термоэлектрические материалы в течение нескольких десятилетий. Теллурид висмута, его аналоги и твердые растворы на его основе составляют базу для разработки материалов непосредственного превращения тепловой энергии в электрическую и наоборот с целью создания устройств для автономной генерации электрического тока под действием температурного градиента или для активного охлаждения под действием разности потенциалов.

Из всех известных термоэлектрических материалов именно твердые растворы на основе теллурида висмута демонстрируют наибольшие значения термоэлектрической добротности в области температур от комнатной до порядка 420 К, вследствие чего около 90','о производимых термоэлектрических материалов содержат именно эти вещества. Тем не менее, достижение значений безразмерной термоэлектрической добротности на уровне ХТ>1 является нерешенной задачей, поэтому исследование влияния легирования теллурида висмута, его аналогов и твердых растворов на их основе является актуальной задачей.

Новизна диссертационной работы Кудряшова А.А. несомненна, Им впервые исследованы термоэлектрические свойства некоторых соединений, относящихся к семейству теллурида висмута, в том числе, твердый раствор В1ъ„БЬ,Тем легированный оловом, В1ъ„ре,Ез (Е = Бе, Те) р- и и- типа проводимости, а также ЯЬ~Тез и В12Беь легированные таллием.

Полученные результаты отличаются высокой точностью и достоверностью. Автор исследовал термоэлектрические свойства (теплопроводность, электропроводность и коэффициент Зеебека) в широком температурном интервале в тщательно калиброванной аппаратуре с вакуумированным контейнером. Полученные результаты вносят существенный вклад в проблему понимания механизма влияния различных легирующих добавок на термоэлектрические и галь ваномагнитные свойства теллурида висмута и его аналогов, что важно при оптимизации свойств термоэлектрических материалов на их основе. В частности, в работе показано, что легирование В12Тез и ЯЬзТе~ таллием приводит к разным последствиям — уменьшению концентрации электронов в случае теллурида висмута и уменьшению концентрации дырок в случае сурьмяного аналога. В последнем случае в результате уменьшения общей теплопроводности существенно возрастает термоэлектрическая добротносп.

Кроме того, исследование селенида и теллурида висмута, легированных железом, позволили рассчитать концентрации носителей заряда, исходя из величин частот осцилляций магнетосопротивления. Также показано„что в области низких температур (Т<50К) термоэлектрическая добротность легированного железом селенида висмута возрастает.

По работе имеется единственное замечание — из автореферата нет возможности выяснить концентрацию железа в образцах теллурида и селенида висмуга. Формулы образцов заданы как р-В12 „Ре„Тез и п-В12.„Ге„Без без указания значения параметра "х". Замечание носит частный характер, не влияющий на суть работы. Диссертационная работа Кудряшова А.А. хорошо опробирована. Ее результаты опубликованы в 8 статьях и материалах многих конференций. На основании автореферата и публикаций можно заключить, что работа «Влияние легирования на термоэлектрические свойства и эффект Шубникова — де Газа твердых растворов теллуридов и селенидов висмута и сурьмы» соответствует требованиям ВАК, а ее автор, Кудряшов Алексей Андреевич, заслуживает присуждения искомой ученой степени. Зав.

каф. неорганической химии, профессор, д.х.н. А.В. Шевельков Химический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова 119991 ГСП-1, Москва, Ленинские горы МГУ, химический факультет; кафедра неорганической химии, телефон 939-33-39, 939-20-74 1секретарь), факс 939-09-98, э-почта: зЬечфпог8.сЬеш.шва.гп .