Ведущая организация и информация об оппонентах (Влияние легирования на термоэлектрические свойства и эффект Шубникова – де Гааза твердых растворов теллуридов и селенидов висмута и сурьмы)

Auccep~aqumnpencTasnReT:A.@.-M.H., npo@.Ko3no~Cepreii HuIconaesusn p e ~ n a r a I O ~ c RO & H ~ H a J I b H b 1 e O n n O H e H T b I :COCTO~IHH~I), rJIaBHb1fiHayrHblfiH ~ ~ H O H ~ J I ~ MCCJIeAOBaTejIbCKOI'OHOI'On.@.-M.H.(01.04.17(0 1 .04.07 - @113HKa KOHAeHCHPOBaHHOrOKYP=I~TOBCKO~OKOMIIJleKCa HEMKC T ~ X H O J I O ~ H" K ~ ~ ~ ~ T o BM Hc CKT HMT ~~T~"APOHSOH~ O P U CAPOHOBUYA.@ .-M.H.COTPyAHHKUeHTpa- XHMH9eCKaX @ E I ~ E I K ~r,O p e H H e H B3PbIB, @H3HKa 3KCTPeMaJIbHbIX COCTOIIHH~~s e u e c ~ s a ) , sasenymuaiina60pa~op~eii @ Y H K U H O H ~ J I ~ H ~ I XH a H o M a T e p H a J I o B(De~epaxb~orr O C y A a p C T B e H H O r 0 ~ I O A X ~ T H OH~aOy s H O r O Y s p e X A e H H R c t T e x ~ o n o r ~ s e c ~ HHCTHTYTHiiCBePXTBePAbIX HHOBbIX y r J I e p O A H b I X MaTepHaJIOB)) ~O ~ MuxaunO BK)pbeBEiYВедущая организацияФедеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования«Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»(НИТУ «МИСиС»)Ведомственная принадлежность: МОН РФАдрес официального сайта в сети «Интернет»: http://www.misis.ruПочтовый адрес с индексом: Ленинский проспект, д.

4, 119991, г. Москвателефон: +7 495 955-00-32адрес электронной почты: kancela@misis.ruCписок основных публикаций работников отдела ведущей организации, в котором будетдокладываться диссертация, по теме диссертации за последние 5 лет в рецензируемых научныхизданиях:1.

Usenko A.A., Moskovskikh D.O., Gorshenkov M.V., Korotitski A.V., Kaloshkin S.D., Voronin A.I.,and Khovaylo V.V. Optimization of Ball-Milling Process for Preparation Si-Ge NanostructuredThermoelectric Materials with a High Figure of Merit. // Scripta Mater.- 2015.- V.96, P.9-12.2. Galkin K., Usenko A., Voronin A., Moskovskikh D., Korotitskiy A., Gorshenkov M., Galkin N. andKhovaylo V., Thermal Properties of Si Mechanically Alloyed with FeSi2 and CrSi2. // Appl.

Mech.Mater.- 2015.- V.799-800.- C.207-211.3. Усенко А.А., Воронин А.И., Горшенков М.В., Задорожный В.Ю., Коротицкий А.В., МарадудинаО.Н., Ховайло В.В., Изучение механизма спекания объемных наноструктурированныхтермоэлектриков на основе Si-Ge, Горный информационно-аналитический бюллетень (ГИАБ). 2013. - №2. - C. 255-2594. Симкин А.В., Бирюков А.В., Репников Н.И., Ховайло В.В.

Термоэлектрическая эффективностьнизкотемпературных генераторных материалов, возможности ее повышения. // Вестник ЧелГУ:физика.- 2015.- вып.20.- C.21-29.5. Усенко А.А., Воронин А.И., Горшенков М.В., Карпенков Д.Ю., Марадудина О.Н., ХовайлоВ.В. Особенности формирования наноструктурныхтермоэлектриков на основе Si-Ge примеханическом сплавлении порошков Si и Ge.

// Вестник ЧелГУ: физика.- 2013.- вып. 16, C.53-59.6. Voronin A.I., Baryshev G.K., Bozhko Y.V., Usenko A.A., Zueva V.Y., Litvinova K.I., Petrova I.V.,Seredina M.A., and Khovaylo V.V. Features of the sintering process of Ni(M)Sn (M = Ti, Zr, Hf) Heusleralloys. // Bulletin of the Lebedev Physics Institute.- 2015.- V.42.- P.221-224.7. Novitskii A.P., Voronin A.I., Usenko A.A., Gorshenkov M.V., Khovaylo V.V., Shvanskaya L.V.,Burkov A.T., and Vasiliev A.N. Influence of sodium fluoride doping on thermoelectric properties ofBiCuSeO.

// J. Electronic Mater.- 2016.- V.45.- P.1705.8. Bogomolov, D. I.; Bublik, V. T.; Tabachkova, N. Yu.; и др.Properties and Formation of the Structureof Bi2Se0.3Te2.7 Solid Solutions Produced by Equal-Channel Angular Pressing. // J. Electronic Mater.2016.- V.45.- P.403-410.9. Melnikov, A. A.; Tabachkova, N. Yu.; Kichik, S. A.; и др. Influence of Temperature During SparkPlasma Sintering Compaction of Melt-Spun p-Bi0.5Sb1.5Te3 J. // Electronic Mater.- 2015.- V.44.- P.15171523.10. Bulat, L.

P.; Drabkin, I. A.; Osvenskii, V. B.; и др. Low-Temperature Transport Coefficients ofNanostructured Bi0.4Sb1.6Te3-Based Thermoelectric Materials Obtained by Spark Plasma Sintering. // J.Electronic Mater.- 2015.- V.44.- P.1846-1850.11. Osvenskiy, V. B.; Panchenko, V. P.; Parkhomenko, Yu. N.; и др. Nonmonotonic change in thestructural grain size of the Bi0.4Sb1.6Te3 thermoelectric material synthesized by spark plasma sintering. //J.

Alloys and Сompounds.- 2014.- V.586.- Supplement 1. -P. S413-S418.12. Ivanov O., Soklakova O., Lyubushkin R., Voronin A.. Grain structure evolution at sintering of thebulk Bi 2 Te3 nanomaterial under hot pseudo-isostatic pressure. // J. Materials Science.- 2016.V.51.- P.3415-3421.ОппонентыАронзон Борис АроновичДоктор физико-математических наук (01.04.07 – физика конденсированного состояния)Ученого звания нетНациональный исследовательский центр "Курчатовский институт"Курчатовский комплекс НБИКС технологийГлавный научный сотрудникПочтовый адрес: 123182 Россия, Москва, пл. Академика Курчатова, д. 1.Телефон: 8-916-831-19-01Адрес электронной почты: aronzon@mail.ruСписок основных публикаций близких по теме диссертации за последние 5 лет:1.

Simons A., Gerber A., Korenblit I.Ya., Suslov A., Raquet B., Passacantando M., Ottaviano,Impellizzeri G., and Aronzon B. Components of strong magnetoresistance in Mn implanted Ge. // J. Appl.Phys.- 2014.- V.115.- Р.093703.2. Rozhansky I.V., Krainov I.V., Averkiev N.S., Aronzon B.A., Davydov A.B., Kugel K.I., Tripathi V.,and Lähderanta E. Resonant indirect exchange via spatially separated two-dimensional channel.// Applied Physics Letters.- 2015.- V.106.- P.252402.3. Яковлева Е.И., Овешников Л.Н., Кочура А.В., Лисунов К.Г., Лахдеранта Э., Аронзон Б.А.Аномальный эффект Холла в разбавленном магнитном полупроводнике InMnSb скластерами MnSb. // Письма в ЖЭТФ.- 2015.- V.101.- P.136 – 142.4.

Aronzon B., Rylkov V., Pankov M., Goiran M., Raquet B., Lashkul A. andLahderanta E., Quantum,normal and anomalous Hall effect in 2D ferromagnetic structures: GaAs/InGaAs/GaAs quantum wellwith remote Mn delta-layer. // J. of Physics: conf series.- 2013.- V.456.- P.012001.5. Tripathi V., Dhochak K., Aronzon B.A., Rylkov V.V., Davydov A.B., Raquet B., Goiran M.,and Kugel K.I., "Charge inhomogeneities and transport in semiconductor heterostructures with a Mn δlayer". // Phys. Rev.

B.- 2011.- V.84.- P.075305.6. Коплак О.В., Поляков А.А., Давыдов А.Б., Моргунов Р.Б., Таланцев А.Д., Кочура А.В.,Федорченко И.В., Новодворский О.А., Паршина Л.С., Храмова О.Д., Шорохова А.В., Аронзон Б.А.Взаимосвязь намагниченности и электрических свойств пленок сплавов GaSb-MnSb.- ЖЭТФ.2015.- T.147.- P.1 – 9.7. Lahderanta E., Lashkul A.V., Kochura A.V., Lisunov K.G., Aronzon B.A., and Shakhov M.A.InSb:Mn A high temperature ferromagnetic semiconductor. // Phys.

Stat. Sol. A.- 2014. P.1-9.8. Aronzon B.A., Pankov M.A., Rylkov V.V., Meilikhov E.Z., Lagutin A.S., Pashaev E.M., Chuev M.A.,Kvardakov V.V., Likhachev I.A., Vihrova O.V., Lashkul A.V., Lahderanta E., Vedeneev A.S.,Kervalishvili P. Ferromagnetism of low-dimensional Mn-doped III-V semiconductor structures in thevicinity of the insulator-metal transition. // J. Appl. Phys.- 2010 V.107, P.023905.9. Лотин А.А., Новодворский О.А., Рыльков В.В., Зуев Д.А., Храмова О.Д., Панков М.А., АронзонБ.А., Семисалова А.С., Перов Н.С., Lashkul A., Lahderanta E., Панченко В.Я.

Cвойствапленок Zn1−xCoxO, полученных методом импульсного лазерного осаждения с и с пользованиемскоростной сепарации осаждаемых частиц. // ФТП.- 2014.- Т.48.- C.556.10. Kuzmina K., Aronzon B.A., Kochura A.V., Lashkul A.V., Lisunov K.G., Lähderanta E., ShakhovM.A. Magnetotransport of indium antimonide doped with manganese. // EPJ Web of Conferences.- 2014,V.75.- id. 05014 (4 pages).11.

Kochura A.V., Aronzon B. A., Lisunov K. G., Lashkul A. V., Sidorenko A. A., De Renzi R.,Marenkin S.F., Alam M., Kuzmenko A.P., and Lahderanta E. Structural and magnetic properties of In1xMnxSb: Effect of Mn complexes and MnSb clusters. // J of Appl. Phys.- 2013.- V.113.- P.083905.12. Pankov M.A., Aronzon B.A., Rylkov V.V., Davydov A.B., Tugushev V.V., Caprara S., LikhachevI.A., Pashaev E.M., Chuev M.A., Lähderanta E., Vedeneev A.S., Bugaev A.S. Pecularities of Hall effectin GaAs/δ<Mn>/GaAs/InxGa1-xAs/GaAs (х≈ 0.2) heterostructures with high Mn content.

// EuropeanPhysical Journal.- 2012.- V.85.- P.206.13. Tripathi V., Dhochak K., Aronzon B.A., Raquet B., Tugushev V.V. and Kugel K. I. Noise studies ofmagnetization dynamics in dilute magnetic semiconductor heterostructures // Phys.Rev.B.- 2012.- V.85.P.214401.Попов Михаил ЮрьевичД.ф.-м.н. (01.04.17 – химическая физика, горение и взрыв, физика экстремальных состоянийвещества), ученого звания нетФедеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институтсверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ)Лаборатория функциональных наноматериаловЗаведующий лабораториейпочтовый адрес: 142190, город Москва, город Троицк, улица Центральная, дом 7аАдрес электронной почты: mikhail.popov@tisnum.ruтелефон: +7 (499) 400 62 25Список основных публикаций близких по теме диссертации за последние 5 лет:1. Ovsyannikov D.A., Popov M.Yu., Buga S.G., Kirichenko A.N., Tarelkin S.A., Aksenenkov V.V.,Tat’yanin E.V., Blank V.D.

Transport Properties of Nanocomposite Thermoelectric Materials Based on Siand Ge // Physics of the Solid State. - 2015. - V.57.- No.3.- P.605–612.2. Popov M., Buga S., Vysikaylo Ph., Stepanov P., Tatyanin E., Medvedev V., Denisov V., KirichenkoA., Aksenenkov V., Skok V., Blank V. C60-doping of nanostructured Bi-Sb-Te thermoelectrics // Phys.Status Solidi A. - 2011. - V.208. - P.2783–2789.3. Овсянников Д.А., Попов М.Ю., Буга С.Г., Кириченко А.Н., Тарелкин С.А., Аксененков В.В.Влияние нанофрагментирования и модификации фуллереном германия на транспортные свойствананокомпозита Ge-С60 // Химия и химическая технология. - 2013.- T.56.- вып.7, C.63-67.4.