Диссертация (Влияние легирования на термоэлектрические свойства и эффект Шубникова – де Гааза твердых растворов теллуридов и селенидов висмута и сурьмы), страница 15
Описание файла
Файл "Диссертация" внутри архива находится в папке "Влияние легирования на термоэлектрические свойства и эффект Шубникова – де Гааза твердых растворов теллуридов и селенидов висмута и сурьмы". PDF-файл из архива "Влияние легирования на термоэлектрические свойства и эффект Шубникова – де Гааза твердых растворов теллуридов и селенидов висмута и сурьмы", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве МГУ им. Ломоносова. Не смотря на прямую связь этого архива с МГУ им. Ломоносова, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 15 страницы из PDF
– 2010. – 329. – P.659-672.69. Wray L.A., Xu S.-Y., Xia Y., Hsieh D., Fedorov A.V., Hor Y. S., Cava R. J., Bansil A., Lin H.and Zahid Hasan M., A topological insulator surface under strong Coulomb, magnetic and disorderperturbations // Nature Physics – 2011. – V.7 – P.32-37.9570. Valla T., Pan Z.-H., Gardner D., Lee Y. S., and Chu S., Photoemission Spectroscopy ofMagnetic and Nonmagnetic Impurities on the Surface of the Bi2Se3 Topological Insulator // PRL –2012 – 108 – 117601-1–5.71. Zhang J., Chang C.-Z., Tang P., Zhang Z., Feng X., Li K., Wang L., Chen X., Liu C., Duan W.,He K., Xue Q.-K., Ma X., Wang Y., Topology-Driven Magnetic Quantum Phase Transition inTopological Insulators // Science. – 2013.
– V.339 – P.1582-1586.72. Hor Y. S., Roushan P., Beidenkopf H., Seo J., Qu D., Checkelsky J.G., Wray L.A., Hsieh D.,Xia Y., Xu S.-Y., Qian D., Hasan M.Z., Ong N.P., Yazdani A., and Cava R. J., Development offerromagnetism in the doped topological insulator Bi2-xMnxTe3 // Phys.
Rev. B. – 2010. – V.81 –P.195203-1–7.73. Scholz M. R., Sa´nchez-Barriga J., Marchenko D., Varykhalov A., Volykhov A., Yashina L.V.,and Rader O., Tolerance of Topological Surface States towards Magnetic Moments: Fe on Bi2Se3 //PRL. – 2012. – V.108. – 256810.74. Zhu J.-J., Yao D.-X., Zhang S.-C., and Chang K., Electrically Controllable Surface Magnetismon the Surface of Topological Insulators // PRL. – 2011. – V.106 – P.097201-1–4.75.
Hsieh D., Qian D., Wray L., Xia Y., Hor Y.S., Cava R.J., Hasan M.Z., A topological Diracinsulator in a quantum spin Hall phase (experimental realization of a 3D Topological Insulator) //Nature. – 2008. – V.452 – P.970-974.76. Zhang H., Liu C.-X., Qi X.-L., Dai X., Fang Z., Zhang S.-C., Topological insulators in Bi2Se3,Bi2Te3 and Sb2Te3 with a single Dirac cone on the surface // Nature Phys. – 2009. – V.5 – P.438–442.77. Moore J.E., The birth of topological insulators // Nature. – 2010. – V.464 – P.194-198.78. Sugama Y., Hayashi T., Nakagawa H., Miura N., Kulbachinskii V.A., Magnetoresistance andShubnikov-de Haas effect in magnetic-ion-doped Bi2Se3 // Physica B. – 2001.
– V.298 – P.531-535.79. Dyck J.S., Hajek P., Lost’ak P., Uher C., Diluted magnetic semiconductors based on Sb2-xVxTe3(0.01≤x≤0.03) // Phys. Rev. B – 2002. – V.65 (11) – P.115212-115218.9680. Dyck J.S., Chen W., Uher C., Diluted magnetic semiconductors based on Sb2-xVxTe3(0.01≤x≤0.03) // Phys. Rev. B. – 2002. – V.66 – P.125206.1-125206.6.81. Dyck J.S., Chen W., Hajek P., Lostak P., Uher C., Low-temperature ferromagnetism andmagnetic anisotropy in the novel diluted magnetic semiconductor Sb2-xVxTe3 // Physica B. – 2002.– 312-313.
– P. 820-822.82. Dyck J.S., Svanda P., Lostak P., Horak J., Chen W., and Uher C., Magnetic and transportproperties of the V2-VI3 diluted magnetic semiconductor Sb2-xMnxTe3 // Physica B. – 2002. –V.312-313 – P.820-822.83. J. Choi J., Choi S., Choi J., Park Y., Park H.-M., Lee H.-W., Woo B.-C., and Cho S., Magneticproperties of Mn-doped Bi2Te3 and Sb2Te3 // Phys. Stat. Sol.
(b) – 2004 – 241 – №7 – P.1541-1544.84. Janıcek P., Drasar C., Lostak P., Vejpravova J., Sechovsky V., Transport, magnetic, optical andthermodynamic properties of Bi2-xMnxSe3 single crystals // Physica B. – 2008. – V.403 – P.3553–3558.85. Choi J., Lee H.-W., Kim B.-S., Choi S., Choi J., Song J. H., and Cho S., Mn-doped V2VI3semiconductors: Single crystal growth and magnetic properties // J. Appl. Phys. – 2005. – V.97 –10D324-1-3.86. Zhou Z., Žabèík M., Lošták P., Uher C., Magnetic and transport properties of Sb2−xFexTe3(0<x<0.02) single crystals // J. of App. Phys.
– 2006. – V.99 – 043901-1–4.87. Drasar C., Kasparova J., Lostak P., Shi X., and Uher C., Transport and magnetic properties ofthe diluted magnetic semiconductors Sb1.98-xV0.02CrxTe3 и Sb1.984-yV0.016MnyTe3 // Phys. Stat. Sol.(b). – 2007. – V.244. – №6. – P.2202-2209.88. Kim Y.H., Yeom T.H., Eguchi H., Seidel G.M., Magnetic properties of erbium in single crystalBi2Te3 // JMMM. – 2007. – 310. – P.1703-1705.89. Sugama Y., Hayashi T., Nakagawa H., Miura N., Kulbachinskii V.A., Magnetoresistance andShubnikov-de Haas effect in magnetic-ion-doped Bi2Se3 // Physica B. – 2001. – V.298 – p.531-535.9790. Кульбачинский В.А., Гурин П.В., Тарасов П.М., Давыдов А.Б., Данилов Ю.А., Вихрова О.В.,Транспорт, магнитотранспорт и ферромагнетизм в разбавленных магнитных полупроводниках //ФНТ. – 2007.
– V.33. – №2/3. – C.239-255.91. Кульбачинский В.А., Тарасов П.М., Брюк Э., Ферромагнетизм в новом разбавленноммагнитном полупроводнике Sb1-xCrxTe3 // ЖЭТФ. – 2005. – 128. – № 3(9). – C.615-622.92. Matsukura P., Ohno H., Shen A., and Sugawara Y., Transport properties and origin offerromagnetism in Ga,Mn.As // Phys. Rev. B. – 1998. – V.57 – R2037-R2040.93.КульбачинскийВ.А.,ЩуроваЛ.Ю.,Термодинамические,транспортныеимагнитотранспортные свойства свободных носителей заряда в легированных марганцемструктурах с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs // ЖЭТФ. – 2009. – T.136 – C.135-147.94.
Kim W., Zide J., Gossard A., Klenov D., Stemmer S., Shakouri A., and Majumdar A., ThermalConductivity Reduction and Thermoelectric Figure of Merit Increase by Embedding Nanoparticlesin Crystalline Semiconductors // Phys. Rev. Lett. – 2006. – V.96. – 045901.95. Venkatasubramanian R., Siivola E., Colpitts T., O'Quinn B., Thin-film thermoelectric deviceswith high room-temperature figures of merit // Nature.
– 2001. – V.413. – p. 597-602.96. Harman T.C., Taylor P. J., Walsh M. P., LaForge B. E., Quantum Dot SuperlatticeThermoelectric Materials and Devices // Science. – 2002. – 297. – P.2229-2232.97. Hicks L. D., Dresselhaus M. S., Effect of quantum-well structures on the thermoelectric figureof merit // Phys. Rev. B. – 1993. – V.47. – P.12727-12731.98. Hicks L. D., Dresselhaus M. S., Thermoelectric figure of merit of a one-dimensional conductor// Phys.
Rev. B. – 1993. – V.47 – P.16631-16634 (1993).99. Sootsman J. R., Chung D. Y., and Kanatzidis M. G., New and Old Concepts in ThermoelectricMaterials // Angew. Chem. Int. Ed. – 2009. – V.48 – P.8616 – 8639.100. Blank V.D., Buga S.G., Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., Medvedev V.V., Popov M.Yu.,Stepanov P.B., and Skok V.F., Thermoelectric properties of Bi0.5Sb1.5Te3/C60 nanocomposites //Phys. Rev. B. – 2012. – V.86 – P.075426.1–8.98101. Alam H., Ramakrishna S., A review on the enhancement of figure of merit from bulk to nanothermoelectric materials // Nano Energy – 2013.
– V.2 – P.190–212.102. Heremans J.P., Low-Dimensional Thermoelectricity // Acta Physica Polonica. – 2005. – V.108– No.4 – P.609-634.103. Tanahashi H., Ohta Y., Uchida H., Itsumi Y., Kasama A., Matsubara K., Formation of CeriumFilled Skutterudite Thermoelectric Materials Sintered from Gas-Atomized Powder // MaterialsTransaction. – 2002. – V.43(5) – P.1214–1219.104.
Koga T., Rabin O., Dresselhaus M. S., Thermoelectric figure of merit of Bi/Pb1-xEuxTesuperlattices // Phys. Rev. B. – 2002. – V.62 (#24) – P.16703-16706.105. Gascoin F., Ottensmann S., Stark D., Haile S.M., and Snuder G. J., Zintl Phases asThermoelectric Materials: Tuned Transport Properties of the compounds CaxYb1-xZn2Sb2 //Advanced Functional materials.
– 2005. – V.15 – P.1860-1864.106. Vashaee D.and Shakouri A., Improved Thermoelectric Power Factor in Metal-BasedSuperlattices // Phys. Rev. Lett. – 2004. – 92, #10 – P.106103.1–106103.4.107. Khitun A., Balandin A., Liu J.L., Wang K.L., In-plane lattice thermal conductivity of aquantum-dot superlattice // Journal of Applied Physics. – 2000. – V.88 (2) – P.696-699.108. Wijngaards D.D.L., Kong S.H., Bartek M., Wolffenbuttel R.F., Design and fabrication of onchip integrated polySiGe and polySi Peltier devices // Sensors and Actuators. – 2000.
– V.85 –P.316–323.109. Кульбачинский В.А., Каминский А.Ю., Кытин В.Г., Лостак П., Драшар Ч., де Виссер А.,Влияние серебра на гальваномагнитные свойства и энергетический спектр смешанныхкристаллов (Bi1-xSbx)2Te3. // ЖЭТФ. – 2000. – Т.117 – Вып. 6 – 1242-1248.110. Кульбачинский В.А., Кытин В.Г., Тарасов П.М., Юзеева Н.А., Аномальное увеличениетермоэдс и термоэлектрической эффективности в легированных Ga монокристаллахp=(Bi0.5Sb0.5)2Te3 // ФТТ. – 2010. – T.52 – вып.
9 – C.1707-1711.99111. Koenraad P.M. Electron mobility in delta-doped layers. // In: Delta-doping of semiconductors.edited by Shubert E.F. Cambridge University Press. – 1996 – Chapter 17 – P.407-443.112. Koenraad P.M., van de Stadt A.F.W., Shi J.M., Hai G.Q., Studart N., Vansant P., Peeters F.M.,Devreese J.T., Perenboom J.A.A.J., Wolter J.H., Electron mobility in Si delta doped GaAs //Physica B.
– 1995. – V.211 – P.462-465.113. Isihara A., Smrcka L., Density and magnetic field dependences of the conductivity of twodimensional electron systems // Journal of Physics C: Solid State Physics. – 1986. – V.19 – P.67776789.114. Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., КлимовЕ.А., Замороженная фотопроводимость и подвижности электронов в структурах с квантовойямой In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InP // ФТП. – 2013. – T.47 – вып. 7[Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Vasilievskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A. //Semiconductors. – 2013.
– V.47 – P.935].115. Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., КлимовЕ.А., Электронные подвижности в изоморфных квантовых ямах In0.53Ga0.47As на InP // ЖЭТФ– 2013. – 143. – вып.5 – C.872-876 [Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Vasil’evskiiI.S., Galiev G.B., Klimov E.A.
// J. Exp. Theor. Phys. – 2013. – V.116 – P.755-759].116. Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б., КлимовЕ.А., Мальцев П.П., Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностейэлектронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме InxGa1-xAs совставками InAs // ФТП. – 2015. – T.49 – вып. 2 – C.204-213 [Kulbachinskii V.A., OveshnikovL.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Maltsev P.
