Отзыв на автореферат - Тамеев (Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов)

отзыв на автореферат диссертации Форша Павла Анатольевича "Оптические и электрические свойства систем. содержшцих ансамбли кремниевых нанокристаллов', представленной к защите на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности О!.04.10 — «Физика полупроводниковгс Базовым материалом современной электроники является кремний. Широкие перспективы для миниатюризации электронных приборов на его основе, а также для создания новых принципов функционирования таких приборов. открывак>тся при использовании низкоразмерных кремниевых структур. В диссертационной работе Форша П.Л. проведено исследование огпических и электрических свойств систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов.

а также влияние внешних воздействий на оптические„ электрические и фотоэлектрические свойств указанных систем. В качестве объектов исследования были выбраны : аморфный кремний с внедренными туда криста. щами кремния нанометрового размера (пс-Яга-Б1:Н), слои кремниевых нанокрисгшглов, внедренных в матрицу диоксида кремния (пс-Б!/Б!Оз) и пористый кремния (Г1К).

Данные материалы являются весьма перспективными для создания на их основе светоизлучающих устройств. фотопреобразователей, газовых сенсоров, биомедицинских препаратов и др. Попому тема диссертационной работы П.Л. Форша представляется весьма актуальной. Автором диссертационной работы получен ряд новых интересных результатов. среди которых можно выделить слсдуюгггие. Впервые методом ЗПР спектроскопии в пленках пс-Б!га-В1:Н с малой долей кристагсшческой фазы обнаружен сигнал, приписываемый элек гронам, захваченным в хвост зоны проводимости, что делает )ПР- спектроскопию уникальным инструментом экспресс-анализа наличия нанокристаллов в наномодифицировапных образцах аморфного кремния.

Впервые автором была обнаружена видимая фотолгоминнсценция в видимой области спектра в пленках а-В1:Н, подвергнутых фемтосекунггнохг~ лазерному облучению на воздухе с плотностями энергии более 250 мДж!схг, которую соискатель связал с рекомбинацией неравновесных носителей заряда через дефектные состтгяния, образующиеся в процессе фемтосекундного лазерного облучения.

Отмечается также, что наблюдаемая фотошоминесценция указывает на возлюжность использовать слои а-%;Н, подвергнутые обггучению фемтосекундпыми лазерными импульсами с болыпой плотностью энергии, для переизлучения ультрафиолетовой части солнечного спектра в видимый свет, эффективно ггреобразуемый солнечным элементом на основе а-В1:Н. Из исследования электрических свойств пленок пс-В!/а-Б1:Н П.А. Форшем была предложена модель переноса носителей заряда, которая сильно огличается для пленок с большой и мщюй долей кристаллической фазы. Л из совместных исследований температурных зависимостей фотопроводимости, температурных зависимостей показателя степени люкс-амперной характеристики и релаксации фотопроводимости после отклгочення освещения в пленках пс-%/а-В1:Н соискателем предложены одна из возможных энергетических зонных диаграмм и механизм рекомбинации носителей заряда в исследуемом материале.

1'!.А. Фаршем исследованы особенности транспорта носителей заряда в кремниевых нанокристаллах. внедренных в диэлектрическую матрицу !пс-Я'В!Оз). Из совместных измерений вольт-амперных характеристик и температурных зависимостей фотопроводимостн автором сделан вывод о том, что в области низких температур электронный транспорт осуществляется путем последовательного тунпслирования между соседнимн кремниевыми нанокристаллами, а с повышением температуры начинает преобладать перенос носителей заряда по локализованным состояниям в с10». Соискателем обнаружена анизотропия электропроводности анизотропного пористого кремния.

На основании проведенных комплексных исследований автором разработана модель переноса носителей заряда в анизотропном ПК, позволяющая объяснить наблюдаемую анизотропию проводимости. По автореферату диссертации есть одно замечание: неясна причина роста обьемной доли кристаллической фазы в образцах нанокюдифнцпрованного аморфного кремния при добавлении водорода в реакционную камеру. Доктор физико-математических наук.

ведущий научный сотрудник Института физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН 'е-- ч.в ~" А.Р.т сю г. Москва 117091, Ленинский проспект 31. кори,4 Тел,: 495 9554032 е-та11: 1атеез«й1е1сЬет.ас.гц ва А.Р. за~аря11з.;, -"„;. '«~:;Ф~ Подпись Тамее Ученый секр к.х.н. И.Г. Варцшвская Судя по материалу, изложенному в автореферате, диссертация П,А. Форша является законченным исследованием, выполнена на высоком научном уровне и прошла достаточно широкую апробацию, Результаты характеризуются оригинальностью, новизной и практической значимостью. Защищаемые положения полностькз обоснованы.

По моему мнению, диссертационная работа П.А. Форша удовлетворяет требованиям ВАК РФ, а ее автор заслуживает присуждения степени доктора физико-магемагических наук по специальности 01.04.10 — «Физика полупроводниковж .