2-326-1399893544-7.-printsipialnaya_skhema_protsessa_nanesen ia_tonk (Принципиальная схема процесса нанесения тонких пленок в вакууме из газовой фазы, достоинства и)

7. Принципиальная схема процесса нанесения тонких пленок в вакуумеиз газовой фазы, достоинства и недостатки.Теоретические аспекты химического осаждения из газовой фазыОсаждение из газовой фазы можно определить как конденсацию газообразных элементов илисоединений с образованием твердых осадков.

Пленка образуется в результате химических реакций,протекающих и газовой фазе у поверхности подложки, на поверхности подложки или в поверхностном слоеподложки.При химическом осаждении из газовой фазы осадок образуется в виде порошка, если химическаяреакция его образования протекает только в газовой фазе, и в виде пленочного покрытия, если реакцияпроисходит как в газовой фазе, так и на поверхности подложки. Естественно, что для полученияфункциональных слоев микросхем пригодна только вторая группа процессов химического осаждения изгазовой фазы.Обобщенная кинетическая схема образования слоя материала при его химическом осаждении из газовойфазы на поверхность подложки:A+BI+CГазовая фазаAs BsS - поверхностьрастущего слояRРеакционная зонаDСлой осаждаемогоматериалаППодложкаA и B - исходные реагенты; As и Bs - реагенты в состоянии адсорбции; I и R промежуточный продукт в газовой фазе и адсорбционном слое, соответственно, C побочный продукт), D - конечный продукт (слой материала)Необходимым условием осуществления химического осаждения из газовой фазы требуемогоматериала на поверхность подложки, является образование в результате химической реакции этогосоединения в стабильной при температуре и давлении процесса форме.

В механизме химическогоосаждения из газовой фазы можно выделить следующие основные стадии:• доставка исходных реагентов в зону осаждения• превращение исходных реагентов в промежуточные продукты в зоне осаждения;• доставка исходных реагентов и промежуточных продуктов к поверхности нагретой подложки;• адсорбция реагентов и промежуточных продуктов на поверхности подложки;• реакция с участием реагентов и промежуточных продуктов на поверхности с образованием слояматериала и побочных конечных продуктов в виде газов;• десорбция газообразных конечных продуктов и непрореагировавших реагентов с поверхности;• отвод продуктов реакций из зоны осаждения.По сути на схеме можно нарисовать подложку, её нагрев и напуск газа, больше ничего особенногоздесь не происходит (в лекциях дан частный пример)Конкретно плюсов и минусов в лекциях не выделено, но на мой взгляд плюс-это производительность, минус– ограниченность получаемых соединений (только те для которых есть стандартные реакции).