2-324-1399893442-5.-ionno-luchevoe-raspylenie (Принципиальная схема процесса нанесения тонких пленок в вакууме ионно-лучевым распылением, достоинства и)
Описание файла
PDF-файл из архива "Принципиальная схема процесса нанесения тонких пленок в вакууме ионно-лучевым распылением, достоинства и", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "специальные предметы" из , которые можно найти в файловом архиве . Не смотря на прямую связь этого архива с , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "специальные предметы" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Принципиальная схема процесса нанесения тонких пленок в вакууме ионнолучевым распылением, достоинства и недостатки.5.Достоинствами метода осаждения тонкихпленок ионным распылением являются:•универсальность (можно наноситьметаллы, сплавы, диэлектрики, магнитныекомпозиции),•регулируемая скорость осаждения Vо•относительно простая конструкция.К недостаткам относятся:•не высокая чистота осаждаемойпленки (из-за наличия рабочего раза),•низкая и нерегулируемая энергияосаждаемых частиц E.При использовании в качестве рабочего газа смеси из Ar и химически активного газа (O2, N2 и т.п.)реализуется реактивный метод осаждения оксидов, нитридов и т.п. (типы - D10_R и D11_R)..