Соклоф С. Аналоговые интегральные схемы (1988), страница 101

384 Узловых потеицвалоа урвввеяня 288 Фаэовая автоосдстройка частоты !ФАПЧ 64! ) Фике первмй заков 20, 2! — второй закон 22, 23 Фильтр активный 360 верхних частот 361 нижнвх частот 361 пассивный 360 — иолссовой 361, 368 постоянная времеви 379 режеиториый 361. ЗУЗ Фотодиоды 555 Фотолитография 45. 46 — взрывная 63 — обратная 62, 63 Фоторезист 46 негативный 45 позитивный 48 Холла аффект 550 Цифре-аналоговый преобразователь !ПАП) 529 Частота единичного усилении 297, 351 Частотная полоса захвата 542 Чохпалэсясга метод !2, 13 Чувствительность 322 рйирнна базы !63 полосы нропускаиия прн максимальной мощности 328, 420 аффективная 883 Шо лли баРьеР 118, 304 диод 504 — транзистор 507 0) ум дробовой 323, 325, 441 — тепловой 323, 325 — эквнввлентный входной 323, 327 напряжение 328 Эпитзксиальпсе взращивание 55 Эпитаксиальный реактор 56 Эола эффект 257, 563 напряжение 564 Эффект модуляции длины канала 668 подложки 5У! Оглавление Огл редакгпора перевода Предисловие Глава !.

Технология заготовления интегральных схем......., 1,1. Основные операции в технологии изготовления кремниевых при. боров 1,2. Подготовка кремниевых пластин 1.3. Диффузия 1.4. Окисление . 1,5. Фотолитография 1 6. Химическое осаждение иэ газовой фазы . 1.7. Нанесение металлиэации Задачи . Литература Глава 2. Интегральные схемы .. 2.1.

Характеристики рп-перехода 2.2. Зпитаксиальная структура 2.3. Технологический цикл изготовления планарного эпнтаксиального диода 2.4. Плаиарный зпнтаксиальный транзистор 2.5. Разделение пластин на кристаллы и присоединение кристалла к ссновапнго 2.6. Технологлческий цикл изготовления полевого транзпстора с рл.переходом 2,7, Технологический цикл изготовления МОП-транзистора.

2.8. Изоляция элементов ИС . 2.9. Топология транзистора и его площадь 2 10. рлр-транзисторы . 2.11. Полевые транзисторы с рл-переходом в интегральных схемах 2.12. МОП-транзисторы для ИС 2.13. Комплементарные МОП-транзнсторы 2.14. Диоды е интегральных схемах . 2.15. Резисторы в интегральных схемах 2.16, Конденсаторы в интегральных схемах 2.17. Индуктивиссти в ИС 2.18. Перемычки в ИС 2.19.

Методы создания диэлектрической нзоляцни. 2.20. Изопланарная технология н другие технологические варианты 2 2!. Контактные плон!адни н поле кристалла 2.22. Размер кристалла н уровень сложности ИС 2.23 Проблема отвода тепла Задачи Литература 5 8 !1 11 18 39 46 52 59 63 68 69 69 73 77 78 8! 83 9! 96 98 !О! 104 109 113 !2! !31 134 135 136 141 143 145 149 155 160 Оглавление Глава 3. Источники постоянного тока, напряжения и опорного напряжения . 3.1. Источники постоянного тока 3.2. Источники напряжения . 3,3. Источники опорного напряжения, не зависящие от изменения температуры Задачи . Литература Глава 4. Дифференциальные усилители . 4.1. Дифференциальный усилитель на биполярных транзисторах...

4.2. Дифференциальные усилители на полевых транзисторах 4.3. Активная нагрузка . 4.4. Дифференциальный усилитель на составных транзисторах. 4.5. Дифференциальный усилитель с диапазоном входного напряженна, содержащим нулевой потенциал 4.6. Ось симметрии, Задачи, Литература Глава 5. Характеристики н прныенеиие ОУ 5,1. Интегральные схемы 5.2. Введение в теорию операционных усилителей . 5.3. Анализ схем на основе ОУ с обратной связью с помощью уравнений узловых потенциалов 5.4.

Погрешность и стабильность коэффициента усиления 5.5. Частотнаи характеристика б.6. Переходная характеристика 5.7. Напряжение смешения 5.8. Входной ток смещения б.9. Коэффициент усиления сннфазного сигнала . 5.10. Вхолиос сопротивление 5,(1. Выходное сопротивление . 5.12.

Рассеиваемая мощность и огранэченне по току 5.13. Влияние обратной связи иа искажения 5.!4. Коэффициент ослабления нестабильности источника питания 5.15. Шумы. 5,16. Термины и определения б.17. Сравнительный анализ характеристик реального н идеального операционного усилителя 5.18. Устойчивость ОУ 5.19. Применение ОУ, 5.20. Активные фильтры 5.21.

Фильтры с переключаемыми конденсаторами Задачи Литература Глава 6. Проектирование схем ОУ, 6.1. Анализ схем ОУ . 6,2. Примеры расчета схем ОУ 6.3. ОУ нз полевых транзисторах 6.4. ОУ Нортона . 6.5. Одиночные, сдвоенные и счетверенные ОУ 6.6. ОУ с улучшенными рабочими характеристиками 6.7. Буферы с единичным усилением 161 16! 193 201 224 240 241 241 258 264 272 274 275 278 281 282 282 2ВЗ 288 294 297 301 303 307 309 312 314 316 3!В 320 32! 326 331 ЗЗЗ 330 360 375 379 4!2 4!4 4!4 422 443 412 466 468 470 Оглавление 471 Задачи Литература 479 481 482 484 490 495 5!1 512 б!5 о20 562 662 575 679 Глава 7. Компараторы напряжения.

7,1, Характеристики компаратора 7,2. Компараторы с патожнтельиой обратной связью 7.3. Схемотехника компаратора 7,4, Время рассасыванвя объемного заряда транзистора 7.5. Методы повышения быстродействия 7.6. Коэффициент усиления КМОП-ннвертора. 7.7, КМОП вЂ” компаратор напряженна . Задачи . Литература Глава 8. Интегральные схемы специального назначения .

8.!. Стабилизаторы напряжения 8.2, Интегральные усилктелв могиности 8.3. Видеоусилители 8,4. Цифра-аналоговые преобразователи . 8.5. Аналого-цифровые преобразователи .. 8.6, Баланспый модуляторгдемодулятор 8.7. Генератор, управляемый напряженнем 8.8.

Фазовая автоподстройка частоты . 8.9. Умножители, делители и функциональные генераторы, 8.!О. Температурные датчики иа основе ИС 8.!!. Интегральные датчики магнитного поля. 8.!2. ИС.датчики давления 8. !3. Лиалоговые ключи 8.!4. Схема выборки и хранения 8.15. Приборы с переносом заряда 8.!6. Оптоэлектронные ИС, 8.17.

Лругие типы ИС специального назначения. Литература Приложения Л. Физические постоянные, козффнпиенты преобразования, параметры Б, Проводимости транзистора В. Малосигпальные эквивалентные схемы транзистора. Предметный указатель 521 521 524 526 529 531 540 541 541 547 550 550 550 551 552 552 555 557 558 Учебной изданий Сидни Соклоф АНАЛОГОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ Заведующий редаквией Ю, А. Кузьмин Ст. научный редактор М. Я. Руткоаская Художник Э.

А, Смирнов Художественный редактор В. И. Шаповалов Текиический редактор Т. А. Максимова Корректор Н. А Гири ИБ М 6431 сдень я набор 24.12.51, подписано к пе~ати 05.10.88, Фоймвт ООХООУн. БУмзгз типогвзфскаа М 1 Печать вЫсокаа. ГаРНИтУРа ЛнтЕРатУРИаа. ОбЪЕМ 18,25 ОУМ. Л. УСЛ. ЯЕЧ. Л, 56,50. угл. кр. отт. 36,60, уч..нзд. л. 34,70. Изд. КП 8М615. Тираж ЗООООаийз Зак.

393, Иена 2 р. 80 к. ИЗДАТЕЛЬСТВО МИР» !оо820, ГСП, Москва, И.116, !.й Рижский пер„2 Ленинградская типография ж 6 ордена Трудоного Красного Зивиени Ленинград кого объединения *Техническая кинга им, Евгении Сокжзовой (.оюзполиграфпрома прп 1'осударствепиои комитете СССР ие делан издвтельстн, полю рафаи н книжной торговли, 193144, в, Ленияград, ув, Можеенко, 10. .