Сведения о ведущей организации (Синтез и физико-химические характеристики электродных катализаторов платины и палладия на основе пористого кремния)
Описание файла
Файл "Сведения о ведущей организации" внутри архива находится в следующих папках: Синтез и физико-химические характеристики электродных катализаторов платины и палладия на основе пористого кремния, Документы. PDF-файл из архива "Синтез и физико-химические характеристики электродных катализаторов платины и палладия на основе пористого кремния", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "химия" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата химических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Сведения о ведущей организации по диссертации Зенченко Виталия Олеговича «Синтез и физико-химические характеристики электродных катализаторов платины и палладия на основе пористого кремния» по специальности 02.00.04 — Физическая химия (химические науки) на соискание ученой степени кандидата химических наук Организация: Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Название 124498, г.Москва„ г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1 Почтовый адрес 124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1 Юридический адрес Ьнрз://ппег, иеЪ-сайт пегайп®ш1ее.гп Электронный адрес организации Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» Полное наименование организации в соответствии с уставом Институт Перспективных Материалов и Технологий ПМТ) Наименование подразделения Публикации сотрудников организации по теме диссертации: 1.
Пятилова, О.В. Влияние типа и степени легирования на морфологию рог - ~ Я, полученного гальваническим травлением / О.В. Пятилова, С.А, Гаврилов, Ю.И. Шиляева, А.А. Павлов, Ю.П. Шаман, А.А. Дудин / Физика и техника полупроводников. — 2017. — Т. 51. — С. 182-186, 2. ТгоуапсЫй, 1.0. Мадпег1с огдег1п8 ш тап8ап11ез с1орес1 Ьу Т1 апс1 А1 / 1.0. ТгоуапсЬй, М ч'. %11Ь1п, Я.А. бачг11оч, К.Х. ХеИис1оч, МУ. Тегеййо, У. Яйо1еп1о, Б, БсЬогг, Н. Яуушсга1с / Сегаш1сз 1пгегпа11опа1.
— 2017. — У. 43. — Р. 187-191. 3. Ь)акагЫпа, У. Рентген оТрогопз апойс а1пш1па 8гочч1Ь ш 8а1чапоз1а11с ге81ше ш зе1еп1с асЫ Ьазес1 е1ес1го1уге / У. ХахагЫпа, К. Кашпеч, А, Огопоч, Я. бачг11о, А. Оийп, А. Рач1оч / Е1есггосЬппка Асга. — 2017. — У. 231. — Р. 327-335. 4. Кагр1пз1су, ь)Х. Ягис1ига1 апс1 та8пе11с рЬазе ггапя11опв ш В1~ хСАхРЕ1 хМХхОз шп1Иегго1сз / РХ. КагР1пз1сУ, 1.0.
ТгоУапсйй, ОХ. 18па1е~йо, М ч'. %11Ь1п, Я.А. бачг11оч, МХ. ВцзЬ1пз1су, А. Ртам //,)оигпа1 о1'А!1оуз апс1 СотроипсЬ. — 2017. — У. 692. — Р. 955-960. 5. Жо~1аз, М. О1е1ес1г1с ргорег11ез о1'дгарЬепе охЫе с1орес1 р~УОР-ТЛЕ) Ишз / М. %о1газ, 0Х. Кагр1пз1су, М.'Ч. %11Ь1п, Б.А. бачп1от, АХ.
Яуза, К.Х. ХеЫцс1от // Ро1угпег Тезг1п8. — 2017. — Ъ". 60. — Р. 326-332. 6. Бардушкин, В.В. Влияние термоупругих свойств компонентов на температуру плавления нитевидных наночастиц Сп, Ая и Аы в матрице анодного А1~Оз / В.В. Бардушкин, Д.А Кириллов., Ю.И. Шиляева, С.А. Гаврилов, В.Б.
Яковлев, М.В. Силибин // Журнал физической химии. — 2017. — Т. 91. — С. 1030-1036. 7. Громов, Д.Г. Встраиваемый в технологию процесс СУ0-роста УНТ с использованием каталитических тонких пленок Сг — Ме — Х-О / Д.Г. Громов, С.В. Булярский, С.В. Дубков, А.А. Павлов, С.Н Скорик., А.Ю. Трифонов, А.С.
Шулятьев, Ю.П. Шаман, Е.П. Кицюк, А.А. Дудин, А.П. Сиротина, С.А. Гаврилов // Микроэлектроника. — 2017. — Т. 46.— С. 83-90. 8. Ярмолич, М.В. Последовательность фазовых превращений и магнитно- неоднородное состояние в наноразмерном 8К~РеМоО~ ~ / М,В. Ярмолич, Н.А. Каланда, А.А. Яремченко, С.А. Гаврилов, А.А. Дронов, М,В. Силибин // Неорганические материалы. — 2017. — Т. 53. — С.
74-80. 9. М1егсхупзЫ, Р. Оголяй о1' сагЬоп папогпЬе аггауз оп чапопз сгхгпеу а11оу Игпз Ьу сЬеписа1 чароиг с1ероз1г1оп тегЬод / М1егскупзЫ Р., Мап1есЫ Т.Р., ВиЬ1соч 8Х., бгошоч В.б., Ви1уагзЫ1 8.У., Рач1оч А.А., бачп1оч 8.А., Ясог11 Б.Х., КЪуп1с Е.Р., Тг11опоч АХ., М1егсхупз1са А.
// 1оигпа1 оГМатег1а1з Яс1епсе апд Тесйпо1ояу. — 2017. 10. Громов, Д.Г. Использование тонкой пленки сплава СодТ1ф)И35 для каталитического роста углеродных нанотрубок методом СУП / Д.Г. Громов, С.В. Дубков, А.А. Павлов, С.Н. Скорик, А,Ю. Трифонов, А.С. Шулятьев, Ю.П. Шаман, Б.Н. Рыгалин // Микроэлектроника, — 2016. — Т. 45.
— С. 105-111. 11. Громов, Д.Г. Тонкопленочные контактные слои Мо/% и М/Та — Ж вЂ” и/% для среднетемпературного термоэлемента на основе 1В1, 8Ь)~Тез / Д,Г. Громов, Ю.И. Штерн, М.С. Рогачев, А.С Шулятьев, Е.П. Кириленко, М.1О. Штерн, В.А. Федоров, М.С. Михайлова // Неорганические материалы. — 2016. — Т, 52. — С. 1206-1210. 12. 8ЬегсЬеп1о~, А. 1пйиепсе о1'Т1 дор1пя оп гЬе ргорег11ез о1'Ое-8Ь-Те гЬ1п Л1гпз Гог рЬазе сЬапде гпегпогу / А. БЬегсЬеп1оч, Р, 1.ыагеп1со, А.
ВаЬ1сЬ, 8. Т1шозЬеп1соъ.,Р Спошоч, А. УаЕцЬоч, Р. ТегеЫю~, 8. КокупЫпп // 8о1Ы 8гаге РЬепоптепа. — 2016. — Ч. 247. — Р. 30-38. 13. Руа?11оча, ОХ. Ейесг оГ юшс Ад' ггапз?ег оп 1оса11уаг?оп оГ тега1-азязгес? етсЬ1п8 о? я1|соп за?асе / О.'Ч. Руа?11оча, АХ. Яуза, Б.А. бачг?1оч,?.Х. УаЫпюча, А.М Ве1оч, А.А, КазЫп, А.А. Рач1оч // 8еписопс1псгогз. — 2016. — У. 50. — Р. 1720-1725. 14. бачг?1?п ?,М. ?тргочед рЬогоапос1е зггпсшге Ьазед оп апойс 11?аша папоШЬе атау сочегег? Ьу Т10~-ЫРБ/папо8гарЬ1?е сошроз1?е 1ауег Гог ЕТА-се11з / ?.М.
бачг111п, А.А. Ргопоч, УЛ. БЬ11уаеча, Е.А. ?,еЬедеч, М5. КплшсЬеча, 'Г.Р. 8ачсйй, 8.А. бачг11оч // ?опгпа1 оГРЬуясз: Соп?егепсе Яег1ез. — 2016. — У. 741. — Р. 012100, 15, Вагй1зЬЫп, 'Ч:Ч. Ргейсйче шойе11пд о?шесЬашса1 ргорег11ез о?ше1а1 ??11ед апойс а1пш1ппш охЫе / УХ. ВагдизЬЫп, У.?. БЬ11уаеча, Б.А. бачп1оч, М.Ч, 811?Ь1п, 'Ч.В. Уа1соч1еч, ХЛ. Роре~йо„МЛ..
ХЬе1шйеч1сЬ / ?оигпа1 оГ МесЬашсз о? Магег1а1з апс1 Бггпсшгез. — 2016. — 'Ч. 11, — Р. 583-594. 16. Пятилова, О.В. Влияние переноса ионов А8' на локализацию металл- стимулированного травления поверхности кремния / О.В. Пятилова, А.В. Сыса, С.А. Гаврилов, Л.В. Якимова, А,А. Павлов, А.Н.
Белов, А.А. Раскин // Известия высших учебных заведений. Электроника. — 2015. — Ч. 20. — Р. 582-590. 17. ?.аЬа, Р 1п-яш еП1рзогпегг1с сЬагасгег1уагюп оГ ?Ье вагою?Ь о? рогопз ап1зоггор1с папосгузга111пе ХпО 1ауегз / Р. ?.аЬа, Н. Теггуп, Л, ??згаггок, МХ. МахагЫп, 8.А. бачп1оч, А.Ч. ЧоИсоча, М.М. Япшшп // Арр11ес1 РЬуясз ?,еггегз. — 2015. — У, 106. — Р. 101904. Верно Секретарь Ученого Совета института ПМТ, к.т.н. Воловликова О.В, .