Отзыв на автореферат 3 (Нелинейно-оптическая и люминесцентная диагностика двумерных дихалькогенидов переходных металлов и упорядоченных доменных структур ниобата лития при создании устройств нано- и оптоэлектроники)
Описание файла
Файл "Отзыв на автореферат 3" внутри архива находится в следующих папках: Нелинейно-оптическая и люминесцентная диагностика двумерных дихалькогенидов переходных металлов и упорядоченных доменных структур ниобата лития при создании устройств нано- и оптоэлектроники, Документы. PDF-файл из архива "Нелинейно-оптическая и люминесцентная диагностика двумерных дихалькогенидов переходных металлов и упорядоченных доменных структур ниобата лития при создании устройств нано- и оптоэлектроники", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
ОТЗЫВ на автореферат диссертации ЛАВРОВА Сергея Дмитриевича «Нелинейно-оптическая и люминесцентная диапюстика двумерных дихалькогенидов переходных металлов и упорядоченных доменных структур ниобата лития при создании устройств нано- и оптоэлектроники», представленной на соискание ученой степени кандидата физикоматематических наук по специальности 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах. В настоящее время одним из перспективных направлений наноэлектроники является разработка и создание устройств на основе слоистых графеноподобных структур.
Среди большого количества таких материалов наибольшее распространение получили дихалькогениды переходных металлов (ДПМ), монослои которых являются прямозонными полупроводниками. С каждым годом количество предлагаемых новых экспериментальных устройств, использующих в качестве функциональных элементов ДПМ, неуклонно растет. При этом оптические методики контроля качества используемых монослойных материалов не являются отработанными Важными научными и практическими результатами, полученными в работе, являются: ° Экспериментальные результаты по диагностике особенностей пространственного распределения сигнала второй оптической гармоники в кристаллитах ДПМ, позволившие диагностировать наличие краевых дефектов в исследуемых кристаллитах.
° Теоретическая модель, позволяющая оценить интенсивность второй оптической гармоники в зависимости от толщин кристаллитов ДПМ и подложки Я/%0~, с учетом многолучевой интерференции. ° Методика неразрушаю щей диагностики политипизма в кристалл итах дихалькогенидов переходных металлов при помощи нелинейно-оптической микроскопии. ° Определение оптимальных параметров электронного пучка для создания упорядоченных микродоменных структур в кристалле ниобата лития. ° Теоретическая модель, позволяющая проводить оценку объемных параметров доменных структур в кристаллах ниобата лития.
° Создание экспериментального образца высокочувствительного фотодетектора на основе монослоя МоБ~. Основные результаты диссертационной работы представлены на 14 международных и Российских конференциях и были опубликованы в 11 научных работах. В качестве замечания можно отметить следующее: 1. На графике № 5 не указаны единицы измерений по осям. 2. На рисунке № 2 часть подписей сделана на английском языке. 3. В автореферате не приведено обоснование выбора формы и размеров электродов, использованных для разработки экспериментального фотодетектора Указанные недостатки не могут изменить общую положительную оценку работы.
Представленная диссертационная работа С.Д. Лаврова удовлетворяет требованиям ВАК РФ к кандидатским диссертациям, а ее автор заслуживает присуждения ученой степени кандидата физикоматематических наук по специальности 05.27.01. Кандидат технических наук, доцент Федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники». Адрес: 124498, г.Москва, г, Зеленоград, площадь Шокина, дом 1. е-та~1: Й тфтЩги Телефон: +79032979141 Силибин Максим Викторович Подпись Силибина Максима Викторовича удостоверяю Начальник отдела кадров МИЭТ '-".:: - .':ь;..В.
Заболотный .