Отзыв вед. организации (Нелинейно-оптическая и люминесцентная диагностика двумерных дихалькогенидов переходных металлов и упорядоченных доменных структур ниобата лития при создании устройств нано- и оптоэлектроники), страница 2

С11с)1ан вывод о перспективности использования МОЯ-, для реализации устройств фотовольтаики. Также пре;Гсга1)лены Основные принци11ы создания упорядоченных микродОыенных структур в кристаллах ниоб Гга ли п)я. Па основе ряда работ показано, что самым ОНГ11маль1!Ым ме!одом для создания суомикронных доменных структур является метод облучения электронным пучком. Представлены приборы и устройства интегральной оптики, использу!ощие в своей основе ниоб«п 31И.! И51. Взорви 1'.'1ВВ1! 110свя!ПС11а ')1«сперпя!е!Ггальны)«! и '1еоре1ически!«! методикам, применимым в исследуемых в диссертационной работе структурах.

РГ)ссматрива!отея основные при!щипы функционирования таких устройс'Гв как атомно-силОВа51 микроскопия, конфокальная Оптическая микроскопия, нс)п)нсЙИО-ОГ!1ическая микроскопия. Приведено описание ис110льзуемоЙ в „1и ссср пщисл11гой $)аб)0 ! е ) кс11ерих!ентаз!ь)1ой установки. В третьей главе приведены результаты исследования краевых эффектов при генерации второй опт11«!еской гармоники в двумерных полупроводниковых кристаллитах Мо~з«выражагощихся в усилении или затуха~ии сигнала второй о!Пи 1сской гармоники иссз!едуемых структур, 11Ре,1СГ1113.*!С!11) ОООО)го!3«п1и««НО 3пик«ГГ)ве1ГИЯ Гаких ')ф11)екз 013, закзпо«1ак)пьеес5! В наличии малек' л 1а.)огсна«и)ггеркалированпых в Ван-дер-Ваальсовы щели между монослоями или наличии и31"иоа зон у краев микрокриста«1лит13.

Представлен теоретический расчет зависимости мощности второй оптической 1-армоники от толщины кристаллита и параметров подложки. Показано, что д;1я наиООлып1.Й .)фф1:.Ктиьч10сГи Визуализации кристал;1и1ОВ мс",! 0110м нелипсЙИО-Оп Ги'!еской х)икроскоп1Н1 целесообразно исг!Ользоваз ь подложки с то.ш;иной ЯО равной Г)0 нм. Приводятся результаты экспериментальных исследо!ганий кристаллитов, обладающих различными комбинациями пот!Н1ипо!з. Показано, поли.1ипизм играет важную роль при диагностике кристаллитов ДПМ с помощьк) методики нелинейно-оптической микроскопии.

Приведена оценка значения нелинейной восприимчивости исследуемых крис Г((ллитов. В четвертой главе рассмагрившкся нелинейно-оптические эффекты в микродоменных структурах ниобата. 1(!и!Иые упорядоченные структуры созданы при помощи облучения сфокусированным электронным пучком. 110казано, ч'10 с ГюмОщьк) нелинеЙно-Оптической микроскопии Возможно осущес Гвить неразрушакпцук) диа! ностнку объемных характеристик О Гдельнь!х доменов. Опреде;!Сны О!г!'!!Мал ьные параметры электронного пучка д;15! получения упорядо"(еннь!х бездс(!)Сктных Г!ротяжепных доменов. Бы)!о обнаружено наличие периодического сиг((ала второй оптической !армоники вдоль отдельных доменных структур и сделано предположение, '110 даннь!Й эф(!)Скг связш( с измененисм толщины Домена.

Предло)кена теоретическая модель, позволя!Ощая оцени!! .!о!!Н(ину доменных струк!ур, О п~~ощь~ Данн~Й модели показано, что 5!Оыенные струк. гуры ~м~ют форму клина с у лом при вершине, равным 1-2 угловым минутам. 8 пятой главе предсгавлены технологические этапы, необходимые для созза!Щя фото;!стсктора на ос!юве двумерного Моэ . Показан процесс выборки слоистых графеноподооных материалов с помон(ью предложенной оптической методики для их дальнейшего использования при создании ч)отодетектора. ПриВедены исследОВани51 Вольт-амГ1ерных характеристик сОзданно!-0 ф010;(е ГектОра и!)и 1та 5.! ичных мОН(н остях ОптическОГО из:1учсни5!. ! !ровс((сна Оцснка (!)О'Гочувствительности созданного ус'(ройс('Ва и показано, что по х((рак Гер(!с! Икам представленное устройство сопоставимо с рядом устройств, описанных в ведущих международных научных журналах.

Диссертационная раоота состоит из Вв(.дени51, 3 глаВ, заключения и списка лигсраг ры. вкшо)ающе(о 179 наименований. Общий Объем диссер)ациОГ(ной р((бо(ь! составляет 150 с(раниц, Включа5! 46 илз!юстрациЙ и 3 таблицы. Результаты проведенных исследований хорошо апробированы: они прелс !Явлены в 11 нау 1ных раоотах 1в том числе 8 в изданиях, рекомендованных 13ЛЕ Р(!) ! и обсужда.п1сь на 14 Международных и Всероссийских нау Н1ых конференциях. 11олученные экс!!срг!х!снттц!ьные и теоретические результаты, а также предлоленные методики неразрушаюшей оптической диагностики. могут быть практически использованы в организациях, занимающихся исследованием, разработкой и созданием слоистых полупроводниковых ст!зукгур и доменных струк!ур в ссгнетоэлектриках, а также разр!!Оатывгцоших !Срибо)эь! !Са их Основе, Орели них и!!ститу!!! Российской! академии наук ФТИ им, А.Ф.

Иоффе, ФНИЦ "Кристаллография н фотоника" РАН, ИГ1ТМ РЛН, ФТИАН„исследовательские университеты МГУ им. М.В. Ломоносова, УрФУ, а также организации ЛО НПП "Пульсар'*, АО "ЛОМО", АВеста-Проект и,"[ру! Нс. В качес!ве замечаний хоге:н!Сь бы огме!з! ! ь следую!пес: !.Оптимизация режимов формирования доменных решеток в ниобатс лития (глава 4) будет сильно зависеть от состава исходных кристаллов !соотноцгения лития к ниобию) т.к.

это материал переменного состава с широкой ооласгью гомо!еннос!и. Однако В раоо!е не проводился анализ состав!! и с!Рукгт)зно!! о:,!норо!ц!Ос !'и (п)ъ"ждс Все! 0 ОлоеОВ и дВОйников) исходных кристаллов и кг!р!Нны распределения сигналов второй гармоники не привязаны к этим характерисгикам. 2. Величина оптимальных геометрических параметров доменных с!руктур для максимальной мошности второй гармоники -толщина дох|ена б,55 мкм !глава 4,стр.1 ! 2) не нодтвер'кдается полученными результатами. 3. Вопрос об источнике встроенного заряда на краях микрокристаллитов и их роли в монослоях дихалькогенидов треб>ст дополнительного уточнения (глава 3, стр.бб-бб). Отмеченные выше замечания нося ! частный характер, не снижают обшу!о Высокую оценку рабо! ы и не затргнз!Вают ! е основные выводь!.

В целом диссертационная рабо~а СД.Лаврова является самостоягельным и законченным исследованием, выполненным на самом совреме!шом уровне. Рсзулы!!! ы, полученные в диссертации, име!От несомненную научну!о новизну. Теореги !ескую и практическу!о ценность, опубликованы в рецензируемых научных журналах и доложены на большом количестве конференций. О.,'1. Лавров хорошо известен по публикациям широкому кругу специалистов в области исследований двумерных полупроводников нового типа и доменных структур.

Рабспа выпо:шснй на высоком научно-техническом уровне, является самостоятельным, системно оформле)гным исследованием, позволившим решить поставленные задачи. Ав)орефераг диссертации полностью отражает ее содер)канне. Диссертационная работа С.Д. Лаврова удовлетворяет требованиям и. 9 «Положения О п01311дке присуждения ученых стеггеней?), утВержденного постановлением Нравительсгвй Российской Федерации от 24.09.2013 года № 842, предьявлясмым к диссертациям на соискание ученой степени кандидата физикО-мате«ма1ических наук«й ее аВтор, ОезуслОВно. заслуживает присуждения ученой степени кандидат!) физико-математических наук по специалыюсти 05.27.01 — 'Гвсрлоте))ьная электроника„радиоэлектронные коь1поненты, микро- и 11«1И1).).'1е)гтроникй«прибОры нй кВйнтОВых эг))фект«зх.

Доклад по диссер1ацио)шой р«101)те и ОтзыВ Оосу)кдены, Отзь1В утвержден на расширенном засел!шин кафедры «Материаловедения полупроводников и диэлектриков» Национального исследовательского технологического университета «МИСиС» (г)ротокол № 1О 16 от 25 октября 2016 г.). Отзыв подготовили: Завелуюшая межкафедральной учеоно-испытательной лабораторией, «Монокристйллы и заготовки на их оглюве» МПиД НИТУ «МИСиС» кандидат 11)из!!ко-хгйтема1и«!еских нау к, старший научный сотрудник Козлова Нина Семеновна Доцент кафедры материаловедения полупроводников и диэлектриков НИТУ «МИСиС» кйнди'1а г технических па«1х Антипов Владимир Валентинович Заместитель )й материаловедения в Исис» заведугощего полупроводников и диэлектрико кандидат физико-мйгемй)ически Подгорный Дмитрий Андреевич Разработанные в рамках диссертационной работы методики выбора монослойных микрокристаллитов дихалькогенидов переходных металлов на основе оптических измерений и определения объемных свойс)в микродоменных структур ниобата лития могут оыть успешно использованы при решении задач оптоэлектроники.

.