Отзыв вед. организации (Нелинейно-оптическая и люминесцентная диагностика двумерных дихалькогенидов переходных металлов и упорядоченных доменных структур ниобата лития при создании устройств нано- и оптоэлектроники)

,г»гСАг»»' я«»!» к и» а ага.'» !»а Кг МИСИС. ~."..»04';г, г~»»гп»гь:; нрг»,.ггр г~п»»о»пя гг мггггцгх гг ггыи ги», гг'.Ига а г гс гы гощ г г хг~скгог гг»гг с гоггг» ггньч рс»г г г г агггс п( * ггггг1 » ггг и и ) Лс» ппскпя прсспск" 4.

Мс ка». Ы»гяа~ 4 са г40» !045-0гг-з2, 4»акс»499»034»-3 ~ -О» Мгр Пап» прап и» г».»ага»! Касса~»»4»г ппсь»с ггкг((4 гаггапсог» ся"(»гг;»цсгзсггссгс Председателю диссертационного совета Д 212.131.02 Московского технологггческого университета доктору физико-математических наук Л.Н.1Орасову 1я» и Отзыв ведущей орг.анизации Уважаемый Ллексей Николаевич! !1риложенис: ! . Отзг*гв ведущей организации — 2 экз. 2, Св»:дс'.пия О»гегг1 гггс.й сарг анизсгцгггг — 2 зкг, Проректор по науке и инновациям НИТУ пМИСиСп профессор, доктор техни»ге84Кйх йД~К Зав.

Кафе.г!зсгй МПиД Нрй1;;«';,!М!11";,иС ПРОФЕССОР, ДОКТОР фИЗИК3йа»т4Цф~й!»,"Иа!Е М. Р, Филонов 1О.Н. Пархоменко ИСП. Д.са. ПОга арама тсл«8-49»-б38-44-48 Высылаем Вам отзыв ведущей организации цо диссертации Лаврова Сергея Дмитриевича «Нелинейно-оптическая и люминесцентгзая диагностика двумерных дих"щысогсниггов переходных металлов и упорядоченных доменных структур ниобата лития при создании устройств нано- и оптсгхгект!зоггггкггя, по специальности 05,27.01 !'ВСР»гОГсцгг ггагг гггЕКт!КОНггКа. !гггггИсгаггЕКтРОггНг гс КОХгггсаггсгПЫ. МИКРО- И НаНОЭЛЕКтРОНИКа и!зиоо!гы на кванговых гффс»кгггх 2[оклад по диссертационной р»нюсе и отзыв обсуждены, огзыв утвержден на раСШИРЕИНОМ ЗВСЕДВНИИ КафЕДРЫ «Мат ЕРИсцговвдсиця ггоггуцроводг!ИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ» Национальнсзго исследовательского гсхнсг:югического университета «МИСиС» !ггротокол № 10П б от 25 октября 2016 г,!.

СВЕДЕНИИ О ВЕДУЩЕЙ ОРГАНИЗАЦИИ по кандидатской диссертации Лаврова Сергея Дмитриевича «Нелинейно-оптическая и лгоминесцентная диагностика двумерных дихалькогенидов переходных металлов и упорядоченных доменных структур ниобата лития при создании устройств нано- и оптоэлектроники», по специ 1льности 05.27,01 Тверл1п елыеая электроника, радиоэлектронные компонсн1ы, микро- и 1ыноэ.1ек!1эоним. приоо!эы на кван ГОВых эффек Гах Сокращенное ~ наименование ~ организации , Организационно-правовая Федеральное государственное автономное, , 'фО!эм11 и Ведомс1венная ' чре1к'1ение Мпнис!е!эс1ВО Образов11ния и науки и ппа 1лежность . Российской Фсдс эац11И Место нахождения !'оссия, г.

Москва, .'!енинский пр-т, д. 4 ; По гговый адрес , '119991 Россия, 1.. Москва, Ленинский пр-т, д. 4 ~ организации с указанием индекса г !'елсфоп с Указгн1ием кола 71495) 955-00-32 1499) 236 21 05 , го ода ' ,Адрес электронной почты, !сапсе1а'.13п11ыа.г11 ' Адрес официальною; !Н1р:0жч м.ппыа.гв1 сайта в сети «Интернет» Список основных публикаций работников ведугцей организации по теме диссертации за последние 5 лет !.

0.А. правь!су Х.Б. Кок!оса. А.Р. Кок!о~а, ЕЛ~. 7аЬе1!па, О.А, Бцкапом, М. В11гу1', Ъ'. 1 аула, К. 1 еЬЬОщ А. ХеЬаг1', Н. СаЬапе, М. Вцгпог11ег, '1'. Хая',1гпу1„ Ыис1у О! 1Ье с1е!ес1В гп 1.а:,'1'ав;Оа;;ОН яп«!е сгуыаЬд3оцгпа1 ор1 ипппеасепсс, 1'о1цте 180, Ра<„ея 95-102, 20!6 2. Ьразь!су Р,А„Кок!о~а М5., КОЯ1О1:а А.Р., УаЬе!1па ЕХ., ВГ1!с М.О., Вияапо~ О.А., Ве!ь1су А. 1.1пт11певсеп1.

Орйса! асс! е1ссггоп1с ргорегиеа ор1.азТа«5ба;;ОН яппи!е сгуа1а1В дго~ч1 !п с111Тегеп1 аггпоарЬегезй.!оцгпа1 ОТ1 и1тппевсепсе, !'9о!ип1е 177) Р. !52 †!59, 2016 3. Х1. ~. КОИ1оъа. О, А. Вцвапо~, 1.. Ъ'. /аЬе11па, А. Р. Кок!о~а, М. Кав1птоса Орйса! Ргорегйея апй Кс1г11с1! с !1ц!1сев ор ОГ1;А!.ОВ1О1.«Сеэ Сгувга!в Ч Сгувга1!ор'арЬу Керогга, 2016, 1'о!. 61. Хо. 3, рр. 474 — 478. Г ~ Полное наименование Федеральное государственное автономное ! ', организации образовательное учреждение высшего ,' образования «Националы1ь1Й исследовательскии . Гехпо.1огический ~ ниверситет «МИСиС» ' НИТУ «МИСиС» 4, Ь!. 8. Кок!ока, О.

Л. Вцвапом, Е. У. /аЬейпа. А. Р. Кок!ока, М, В. Ву1соса Ро!п( 1)е(ес(а апд !)!с!тго!зпз !п !.ап8аяге апй 1 ап8а(аге Сгуяа1з:7 Сгув(айо8гарйу Керог(я 2016, Уо!, 61, Хо. 2, рр. 275 — 284. 5. О.А. Бузанов, Н.С. Козлова, Д.А. Спасский, Е.В. Забелина, А.П. Козлова, Н,Л, Симинел Спектральные зависимости люминесценции и выявление дихроизма в спектрах опгического проц)скания в кристаллах 1азбаЖОм и Еа3Са; к!ао;Ом ОСборник научных статей !! Международной научнопрактической конференции «Физика и технология наноматериалов и структур», Курск, Россия, 24-26 ноября 2015 г,.

стр. 82-87 б. Х.8. Ког1ома, А,Р. Кок!о~:а, О.Л. Вцяапом,!.М. Ап(пном 1 апгЬапшп-аайпшпп галиа!а(е сгувга(а: вцг1асе ргосеавса апд (11е!г е(!есг оп е1есггорЬуйса! ргорег(!св 12" 1.цгорЬувгса1 Соп!сгепсс оп 1)е1ссга ш !пьц!абп8 Ма(ег!а1а (Е()ЮВ!М 2014), 1ОР Соп!'. Бег!ев: Ма(ег!а! в Бс!епсе апс1 Еп|!пеег!п8 80 (2015) 012017 7. Н.С.Козлова, О,Л. Бузанов„М,Ь. Быкова, Е.В.

Забелина, В.Н. Корноухов, Л,П. Козлова, А,Г. Черных Исследования монокристаллов СаМоО» с низким остаточным поглощением .7 Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. 2014. т. 13.№ 3. с. 168-173 8. Х~'.8. Кох1ох а. О.Л,Вцхапос, 1-: У, /аЬсйпа, М.В. Ву!оса, А.Р. Кок!о~а, Х.Л. Бйтйпе! Орйса1 Ргорегйея о1'!.ап(1запцп1 — Оайшгп Тапга!а(е Аввос!а(ед я!(Ь (Ье Сопс(!Попа о!' Ргерагабоп апс( Роя8гом1з Ргосевв!п8 д ВцПе(ш о(' Йе Й.цяяап Лсадегпу о!'8с!епсея РЬуясз, 2014, Уо(. 78. Хо.11, рр. 1227-1231 9, Л.Р.

Ко/!о~'а, Ь!.~, КОЛ!ока, 1.М, Ап!1пю1', ().А. К.!ве!е7, А.$. В~'1~оъ 1.ап(11апипз-СяаПшгп Тап(а!а(е Сгуяга!в апй (1зе!г Е!ес(гор(зуяса! С11агас(ег!ха(!оп ! )0(.'!1ХЛ1. ОГ МЛЛО- Л'.х!) Н.1:.СТ!10~!!С Р1!УБ!С8, Уо!,6, Мо 3, 03034(4рр), 2014 10. Л.У. К!г'уапо~, Б.СйовЬ. М.С. Рац1, У.О.Ваппепкоъ„У. АЬойея М,8.Кок!о~ а Се-жорес( апд Се~Ац-содорег! а1цптйю-рйоярЬо-яйса(е гЗЬега: 8ресгга1 вцепила(юп ггепс(я а(!з!8Ь-епег8у е!ес(гоп !ггас1!а(!оп апд рояегюг!оьрожег орбса1 Ь1еасЫп8 д Орпса1 гпа(ег1а!в Ехргеяв, 2014, Уо!.4.

№2 р.р.434- 442 11. Л.А.РпаЫсаг, 1Х.(.'магма, .".Б,Кок!св а. Б.Уы. Кцкпе(зом. А.б. ()маго~а 1Ъе Еазег-1)!ос)е-Ехс!(ес( 5с(-41 Ештйпевсепсе о1'Се' апд Ргз !опв ЕтЬейдег! 1пго а Вай Ея Ма(г1х ~7 Орбели апс! 8рес(говсору,2013 м.114, № б„р.р. 809-812 12. А. А. Пушкарь, Т. В. Уварова, Н. С.

Козлова, С. !О. Кузнецов, А. Г. Уварова 5с1 — 4! Дюминесценция ионов Се' и Рг', внедренных в матрицу ВаК Г:ь возбужденная лазерными диодами. 7 ОПТИКА И СПЕК'1РОСКО11И)! ".<>73, лихи 114,.М б, с 4-8 13. К!ае1е~ !).А.. Ву1.о~ Л.8., /Ьп1о~ !1..'ч., Лпйром У.У., Ма11п(~очсЬ М.В.„ РагЫтогпеп1со Уц.(х!. Бшс!у о1' ! !ХЬОЗ Бп181е Сгув(а1з ~ге!(Ь а Кедц1аг !)огпа!и Ягцсшге Ьу Р!егогевропзе 1'огсе М!сговсору ' СгуяайоцгарЬу Кероггя 2012— У. 57. — Х, 6. — Р. 876 — 880.

14. Антипов В.В., Ьыков А.С., Киселев Д.А,. Малинкович М.Д., Пархоменко !О.1-1. Исследование ориентацнонной зависимости латерального пьезоотклика в У-срезе периодически поляризованных монокристаллов ниобата лития 7 Известия ВУЗОВ. Магериалы '.Электронной Техники. 2012 — №. 3. — С. 22-25.

15.Антипов В.В.. Ьыков Л,С„Жуков Р.11., Киселев Д,А., Малинкович МД., Пархоменко К).Н. Исследование доменной структуры в монокристаллах 1.!ХЬОЗ методом силовой микроскопии пьезоотклика д Кристаллография. 2012 — Т, 57. — №. б, — С. 876-880. ! 6.Коханчик Л.С., Ирэкак Д,В„Антипов В,В. Характеризация периодических доменных ст!эукту1э в кристаллах ниоаза лития методами растровой электронной микроскопии и рентгеновской дифракции д Поверхность.

Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2008-№7.- С. 41- 48. 17, Влияние постоянного магнитного поля на микротвердость монокристаллов 1й1О; Петрькик Е.А., Степанюк М.О., Портнов О.Г., Антипов В,В. 7Физика ~ верлого тела,— 20! 3.— !'.55.- Вып,7.-С.! 343-1346, 18. Ргос1цс!!оп о!лйе Ь!йнпа!и вегцс!пгев гп !5Мэ03 !ог Лпе гпойоп зуыепзв.

Ъ',К Ап!!ро~, Л.8.Вуко~, ГЗ,А.К!ве1е~, М.В. Ма!!пко йсЬ ' 1! " 1п!егпа!!опа1 Япп!эовшт оп Гегго!с Ооташв апс! М!сго- !о Ь!аповсор!с 8!гцс1игев~! !га! !'ес!ега1 ппкегв!1у. Ащы| 20-24 20! 2 0 АЬв!гас! Ьоокч- Р.129, ! !роректор по науке и инновациям 1-1ИТУ «МИСиС» Д.т.н,. профессор. .4'' '. ' "''.', М.Р. Филонов «УТВБ)ЖДАЮ» Проректор по науке и НИТУ «МИСИС» М.Р. ФГ!Донов 0 '1а ОТЗЫВ ВЕДУЩЕЙ ОРГАНИЗАЦИИ Н!)ционального исследовате:!ьского технологического университе~а «МИСис».

на д)!Осер)ационную работу Лаврова Сергея Дмитриевича «Нелинейно-Оптическая и:поминссцсп ! Па)1 ДИВ~но~тика двумерных дихалькогенидов персходных металлов и мп1)!)я,:)о~!Сн)п 1х доменных структу1э ниоба !.а лития цри соз;спи)! ус)ройс) в ншю- и оптоэлектроники., прсдстйВ.'!Сину!О па соисканис учснОЙ с1епсни кандидата 11)изикг)- математических наук ПО специальности ОЭ.~7.01 — Твердо гельная электроника.

радио)лектронные компоненты, микро- и наноэлектроника. приборы на квантовых )ффектах. Диссертациош!Вя райна 1авров!1 С.!1. !юсвящена исследовани)о новых материалоВ Оп'ГО).1ск)ропики цсско:1ькихп! 01п ическими микрОскопическими методиками, основанными на осскбенностях пропускания.'отражения„ генерации второй гармоники, фотол)ок!Инесценции. Исследуемые материалы„ нанослои дихалько!енидов переходных металлов ГДПМ) и микродоменные структуры ниобата ли гия, являются перспек гивными для создания различных устрой!стВ 01ГГО )дск! Роцпки ( первые -- д.')я 11)О)О,'1етек101эов.

фОтОтранзисто)зов и 1Д1.. в)орь)с д.)я создгпц)я волноводных струк)ур, генераторов второй гармоники и т.п.) и. в го жс время, неюстаточно изученными. Можно отметить, что монослойныс ДПМ были впервые получены в 2010 году и с тех пор их изучение и поиск подходов к ) спецгному применению находятся на пикс исс:!сдОВГГГельскОй актиВнос Ги В 'Гечение последних шести лст. Мс!Одика Генерации Вгор!)й )армоники !1'ВГ). используемая автором как основная, хорошо известна для исследования нецентросимметричных сред, причем благодаря высокой чувствительности к симметрии эта методика является крайне эффективной при исследовании поверхности, монослоев.

доменных структур. Увеличение числа параметров, которые могут быль исследованы при помощи микроскопии ГВГ, может быть достигнуто при использовании нн)срферешн!Ош!Ых .)ффсктов, которые позволяю г Визуйлиз))ровать элем!.н)ы с!рукгур, скр11Гые не только для линейноЙ оптики„но и для методики ГВГ, не у пггывающей или не использующей возможность создания дополнительного набега фаз волн накачки и второй гйрк!оникн. 'эти эф(1)екты эффективно используются йВтором В Г)рсдставле11ИОЙ работе, рас!1!Иряя Возможнос'1Н методики и п03ВОляя получи'1'ь новы!'.

резул!э'! й'Гы. Научная новизна диссертационной работы В двумерных слоях дихалькогенидов переходных металлов обнаружены и исследова11ы новые краевые )ффекты при генерации в)орой 01ГГичсской 1йрм011ик!1;!В!С!)но!0 и)л~ чения и Определено Влияние политипизма слоис)ых струк)ур на нелинейно-оптические свойства. Это позволило создать а:норитм отбора структур и изготовить оптоэлектронные устройстВ с Высокой1 фо'1'Очу'Вс"1'Витал ьнос"1'ью. ! 1окГГ)115!й Возможнос ! ь Виз",.1лизйцнн и измерения Г1йрйметров микродоменных Обь.*мш)х структур В монокристаллйх ниобата лития с помощью разработанной В ра!)О.ге нерйзр1,шй)ошей методики Нелинейно- оптической микроскогнпк Практи "1еская значимость рабо гы Диссс!)!ац1151 Н1)е'!СГ)В.1яс1 сооой законченную нйучноисс.'1едОВГГГе;!ьску)О р11б0с)ту, В ко'1 Орой) раз~)або'Гйн11 комплекснйЯ методика О!Ггического контрол5! хйрйктерист1!к дихйлькогенидов переходных метйллов и Описаны ОсноВные этапы 'ГехнолОГического процесса сОздйния высокочувствительно1о фотодетектора на основе монослойного МОЯ., Дос ! Оверносз ь, обоснован носгь резуз!ь ! а.гов и выводов Убедительно доказаны о1!1!Саннык!и в диссертации экспериментами с использованием современного оборудования.

Автор использовал современные и надежные экспериментальные и расчетные методы. Большинство 1!олученных )кспериментйльных данных проверялось на "!соретических фи311'1еских к!О.'!с.'15!х, и !Тахо'1ятс5! в хоро!!)ем согласии с проведенными расчетами, Основные НОГ!О)кении, выносимые на защиту, последовательно обосновыва)ото)1 в главах диссертации: ВО ВВедении сформированы Задачи диссертационной раооты, приводится обоснование актуальности проводимых исследований и раскрыта научная новизна работы. В первой главе представлен л1пера1урный оозор по тематике исследования. рассмотрены основные перспективные слоне! ые гр«1фепополооные полупроводниковые м«ггериалы, подрооно представлеш.1 ме ГОди ки и 31 О 1 О в:1е! 1и я д«п111ы х ма! 1".р и«1110 В. При Ведены сВеде11и51 00 ос~овны~ ус Гр1)1!сз вах Г!ано)лектроники, ИСГ105!ь:3уиэщих 5!Нумерные дихалькогениды переходных металлов (ДПМ] в качестве основного функционального матерна.щ.