ucheb_plan_11.04.04_tsvche_01.07.2016 (11.04.04 Электроника и наноэлектроника)
Описание файла
Файл "ucheb_plan_11.04.04_tsvche_01.07.2016" внутри архива находится в папке "11.04.04 Электроника и наноэлектроника". PDF-файл из архива "11.04.04 Электроника и наноэлектроника", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "поступление в магистратуру" из 9 семестр (1 семестр магистратуры), которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "поступление в магистратуру" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технологический университет" Физико-технологический институт ,,:,.Й~в ю /'~" ~ УЧЕБНЫЙ ПЛАН План одобрен Ученьии советом вуза Протокол № 11 от 29.0б.201 б Кудлс СА. г$ г.
подготовки магистров Нап веление 11 0404 Элект рника и наноэлект рника Магисте окая и ог амма "тве отельная СВЧ-элект рника" 1ГаФедра-' базовая ка ед а Нв130-твердотельной элект еники Год начала подготовки 2018 Образовательный стандарт 1407 30.10.2014 П Н ренко А.А./ тенко В.С.I ПЛАН Учебный план магистров '11.04.04 ТСВЧЭ ФТИ 2016 16-17.р(пт.хптП код направлении 11.04.04, год начала подготовки 2018 Всего часов Распределение по курсам и семестрам Формы контроля Курс 1 Курс 2 в том числе к и о к а Семестр 1 [18 нед) Семестр 2 [18 нед) Семестр 3 [18 нед) С Р4[ д) из них Индекс Наименование По плану Факт Лаб Пр Лек Лаб Лек Лаб ЗЕТ ЗЕТ Лек Лаб Лек Пр Пр Лаб Пр СРС Пр Лек х ьс Ю »кзря, [)гу»рйкь ~:.- [6»".!ж»ЗВ '.
»3 . -,, "»162'.с . ):[436:-:-') ':-:=:$82 6=30% 8=70% ДВ(от В)=35.7% 18»А 48% 22% 30% 14% 9 =;:;::)866~,:*"'"*::!.*,=::фб(тгэз[„ч",„., ~;„*,*.э.:=-.'~~~ЗЕВ[»дама»)[РФД»:.;„!"-:::!~~-:':~~' 30% 68% 48% 22% Б=30% 8=70% ДВ(от В)=35.7% 18% 14% »1 12»ЕР»ге[ВЗюд « с 108 36 36 18 Иностранный язык 36 54 Б1.Б.1 108 36 27 18 Философия науки и техники 51 18 Б1.Б.2 61 Компьютдзные технологии в научных исследованиях 21 180 5 9 36 90 Б1.6.3 90 18 36 45 18 36 63 Методы матеиатического моделирования 36 61.Б.4 29 у:".ффйй[(В)„=- файф,*;"., *-"„'-":-".г» з1 .»[6В[ВТВЗ[.'[з ВЕ» 180 18 90 5 9 18 45 252 18 54 36 18 18 Конструирование микроэлектронных изделий СВЧ (часть 1) 18 81 36 38 Б1.В.ОД.З 27 Я 18 81 36 Проектирование и применение полупроводниковых приборов 41 Б1.В.ОД»4 288 81 9 18 63 18 72 18 144 Моделирование технологии и характеристик полупроводниковых приборов 63 108 27 9 18 18 44 Б1.В.ОД.5 18 63 18 йс: = 51 Б1.В.ДВ.1 180 63 9 36 72 36 52 Деградация параметров и надежность ИЭТ 18 Методы анализа электронных свойств квантоворазмерных структур 180 63 9 72 36 18 18 45 55 58 Б1.В.ДВ.2 Автоматизация проектирования изделий СВЧ техники 36 63 45 9 36 36 36 4 59 63 Автоматизация проекгирОвания изДелий твердотельной фотоэлектроники 45 9 36 63 Зб Зб 63 36 4 65 61.8.ДВ.З Методы измерения характеристик изделий Сбч техники 108 27 63 18 66 18 18 3 63 Методы исследования материалов и структур электроники 18 69 3 27 63 18 18 18 3 72 Б1.В.ДВ.4 Конструирование микроэлектронных изделий СВЧ (часть 2) Ерб 63 18 73 27 3 18 18 18 3 63 108 63 18 76 Твердотельные фотоприемники 18 18 18 3 63 108 63 18 77 Психология (инклюзивный курс) 18 18 63 18 3 26 83 Всего часов Часов Часов Часов Часов Зач.
с О. ЗЕТ в нед. Зач Ау збт Недель Итога Индекс Наименование Конта Недель ЗЕТ По план Факт Ауд Итого Итого Ауд »у[' »[7 -„":~э 85 '-,.'::.; „:~БЕ;~гз» е 87 Учебная практика 216 216 216 216 Б2.У Практика по получению первичных пРофессиональных умений и навыков 216 216 216 216 Б2.У.1 144 1620 864 108 324 324 Б2.П Производственная практика 108 432 432 12 756 21 14 Вар [[П 432 12 216 216 1.50 Б2Л.1 23 216 216 144 432 Научно-исследовательская работа Преддипломная практика 96 23 12 108 108 108 108 216 1.50 Б2,П.2 432 216 144 Вар П 21 1. 50 Б2.П.З 756 756 14 32 61.В.ОД.1 Технологии производства ЗКБ для СВЧ техники 35 61.В.ОД.2 Твердотельные приборы СВЧ Практика по получению профессиональных умений и опьпа профессионал~ной деятельности и,к э о о В »' ю о о х й й'3 Е» о о ы с 45 9 99 9 .» © о. к о ы 54 18 90 45 18 18 90 18 Зб 81 Недель Итого 'йб:;-"» з»1":!.~!.-' 9ВЭ:-.,: -4 »ч ПЛАН Учебный план магистров '11.04.04 ТСВЧЗ фТИ 2016 16-17.р[пьхп»Г, код направления 11.04.04, год начала подготовки 2016 Всего часов Распределение по курсам и семестрам Формы контроля Курс 1 Курс 2 в том числе » О с».
Семестр 1 [18 нед] Семестр 2 [18 нед] Семестр 3 [18 нед] Семестр 4 [ нед] ЗЕТ в нед. ц»О ЗЬ ». О. з с й Индекс наиненование По пла ну О. \ х о ы Пр СРС Лек пр Лек Лаб Лаб пр Лек Лаб пр Лаб Пр Х о ЗЕТ Всего часов Часов Часов Часов Часов ЗЕТ в нед. Зач. с О. Зач Недель Недель Итого СР Ауд ЗЕТ Недель Наименование Конта ЗЕТ Недель Итого СР Ауд ЗЕТ По план Итого СР Ауд 101 Итога СР Ауд 102 Всего часов ЗЕТ в нед. а ОС С ы пр пр Наименование Экз Лек Лаб Лаб Лек Лаб Лек Лаб Индщс пр пр По план Лаб Лек Пр 105 Кан тр Государственный экзамен 106 БЗ.Г.1 108 107 36 72 36 3 144 112 Всего часов ЗЕТ Часов Часов Часов Чари ЗЕТ в нед.
ЗЕТ Недель Итого СР Ауд ЗЕТ Индекс Наименование Недель ЗЕТ Недель Итого СР Ауд ЗЕТ Конта кг. По план 113 ЗЕТ Ауд Ауд Подготовка и защита ВКР 216 114 216 Выпускная квалификационная рабата баз [.] 216 115 БЗ.Д.1 1.50 216 118 Всего часов ЗЕТ в нед Пр Наименование Лаб Лек Лаб Пр СРС Лаб Лек Лаб Индекс По пла Конта пр х с о »с 119 Лек 120 36 16 121 1»ТД.1 Деловое общение 99 О,с О а» о а х О. Я Н О оо ы й Д ы Ю ы о О.
О »с о Пр СРС $ й ЗЕТ с $ с Е ,. ы »и .