annot_11.04.04_tumne_o_2016 (11.04.04 Электроника и наноэлектроника), страница 2

Место дисциплины в структуре ООП магистратурыДисциплина «Физика полупроводников» относится к вариативной части.3. Общая трудоемкость дисциплины составляет 7 зачетные единицы (252 часа)Формы промежуточной аттестации – зачет, экзамен.Аннотация к рабочей программе дисциплины.Б1.В.ОД.3 «Технология микро- и наноэлектроники»Направление подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»Профиль подготовки: «Технологии и устройство микро и наноэлектроники»1.

Цель освоения дисциплиныДисциплина «Технология микро- и наноэлектроники» имеет своей целью формировать уобучающихся профессиональные (ПК-8) и общепрофессиональные(ОПК-1 ) компетенциив соответствии с требованиями ФГОС ВО по направлению подготовки 11.04.04«Электроника и наноэлектроника», (квалификация (степень) «магистр»В результате изучения дисциплины обучающийся должен:Знать: технологические процессы изготовления приборов и устройств микро- инаноэлктроники; процессы литографии, обработки поверхности, металлизации поверхности; взаимосвязь между технологией получения приборов и устройств микро- инаноэлектроники с их характистиками и параметрами;Уметь: Проектировать устройства, приборы и системы электронной техники с учетомзаданных требований;Владеть: способностью понимать сложные проблемы в своей области и выбирать методы исредства их решения.Место дисциплины в структуре ООП магистратурыДисциплина «Технология микро- и наноэлектроники» относится к основной(вариативной) части профессионального цикла.3.

Общая трудоемкость дисциплины составляет 4 зачетных единиц (144 часов)Формы промежуточной аттестации – экзаменАннотация к рабочей программе дисциплиныБ1.В.ОД.4 «Твердотельная электроника»Направление подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»Профиль подготовки: «Технологии и устройство микро и наноэлектроники»1. Цель освоения дисциплиныДисциплина «Твердотельная электроника.» имеет своей целью формировать уобучающихся общепрфессиональные.(ОПК-1 ) компетенции в соответствии стребованиями ФГОС ВО по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника инаноэлектроника», (квалификация (степень) «магистр»)В результате изучения дисциплины обучающийся должен:Знать: параметры, характеристики и принцип действия твердотельных приборов иустройств; зависимость между технологией производства твердотельных приборов иустройств и их характеристик и параметров;Уметь: решать задачи анализа и расчета характеристик электрических цепей и привлекатьдля их решения физико-математический аппарат; проводить экспериментальные измерения с использованием современногооборудования и программного обеспечения;Владеть: способностью понимать сложные проблемы в своей области и выбирать методы исредства их решения.Место дисциплины в структуре ООП бакалавриатаДисциплина «Твердотельная электроника» относится к основной (вариативной) частипрофессионального цикла.3.

Общая трудоемкость дисциплины составляет 5 зачетных единиц (180 часов)Формы промежуточной аттестации – зачет, экзаменАннотация к рабочей программе дисциплиныБ1.В.ОД.5 «Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологии»Направление подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»Профиль подготовки: «Технологии и устройство микро и наноэлектроники»1. Цель освоения дисциплиныДисциплина «Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологии»имеет своей целью формировать у обучающихся, общепрофессиональные (ОПК-1)компетенции в соответствии с требованиями ФГОС ВО по направлению подготовки11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» (квалификация (степень) «магистр»).В результате изучения дисциплины обучающийся должен: Знать:- базовую терминологию, относящуюся к физико-химическим явлениям, основныепонятия, законы физической химии и их математическое выражение;- основные методы экспериментальных и теоретических физико-химическихисследований и и применение их к анализу материалов и процессов микро инаноэлектроники;- специфику поведения вещества в нанометровом размерном диапазоне; механизмывозникновения размерных физических и химических эффектов. Уметь:- решать типовые задачи по основным разделам физической химии применительно кпроцессам микро- и нанотехнологии. Владеть:- знаниями по основным разделам физической химии и по их применению канализу материалов и процессов микро- и наноэлектроники;- практическими навыками по физико-химическому анализу, полученными привыполнении лабораторных работ курса.2.

Место дисциплины в структуре ООП магистратурыДисциплина «Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологии»относится к основной части профессионального цикла.3. Общая трудоемкость дисциплины составляет 3 зачетные единицы (108 часов).Формы промежуточной аттестации – зачет.Аннотация к рабочей программе дисциплиныБ1.В.ДВ.1.1 «Перспективные технологические процессы микро- и наноэлектроники»Направление подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»Профиль подготовки: «Технологии и устройство микро и наноэлектроники»1. Цель освоения дисциплиныДисциплина «Перспективные технологические процессы микро- и наноэлектроники»имеет своей целью формировать у обучающихся общекультурные и профессиональные(ОПК-1) компетенции в соответствии с требованиями ФГОС ВО по направлениюподготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» (квалификация (степень)«магистр»)В результате изучения дисциплины обучающийся должен:Знать: основные тенденции развития и критические технологии современноймикроэлектронной индустрии; перспективные технологические процессы и оборудование; перспективные материалы для решения задач транзисторного цикла и системмногоуровневой металлизации; низкотемпературные методы химического осаждения слоев.Уметь: анализировать основные параметры технологического процесса; определять применимость технологических методов к стадиямпроизводства интегральных схем.процессаВладеть: навыками применения технологических процессов формирования функциональныхслоев для решения различных задач современного и перспективного производстваизделий микро- и наноэлектроники2.

Место дисциплины в структуре ООП магистратаДисциплина «Перспективные технологические процессы микро- и наноэлектроники»относится к основной (вариативной) части профессионального цикла.3. Общая трудоемкость дисциплины составляет 5 зачетных единиц (180 часов)Формы промежуточной аттестации - экзаменАннотация к рабочей программе дисциплиныБ1.В.ДВ.1.2 «Плазмохимические методы формирования структур микро- инаноэлектроники»Направление подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»Профиль подготовки: «Технологии и устройство микро и наноэлектроники»1. Цель освоения дисциплины.Дисциплина «Плазменные методы формирования структур микро– и наноэлектроники»имеет своей целью формировать у обучающихся общекультурные (ОПК-1 способностьпонимать сложные проблемы в своей предметной области, выбирать методы их решения)и профессиональные (ПК-6 – способность собирать, анализировать и систематизироватьнаучно-техническую информацию по тематике исследования, использовать достиженияотечественной и зарубежной науки и техники.) компетенции в соответствии стребованиями ФГОС ВО по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника инаноэлектроника» (квалификация (степень) «магистр»).В результате изучения дисциплины обучающийся должен:Знать: Природу плазменного состояния вещества, основные характеристики и параметрыплазмы, методы их измерения и расчёта. Процессы генерации плазмы, физические и химические процессы генерациихимически активных частиц и взаимодействие заряженных частиц с полями. Разновидности плазменных технологических процессов.Уметь: Применять знания о детальных механизмах процессов в плазменной технологии. На основе модельных представлений выбирать технологические режимы. Умело использовать различные варианты процессов для решения практическихзадач.Владеть: Навыками моделирования и расчёта параметров плазмы. Навыками выбора параметров процесса в зависимости от конструкции приборов исвойств материалов.2.

Место дисциплины в структуре ООП магистратура.Дисциплина «Плазмохимические методы формирования структур микро- инаноэлектроники» относится к основной части профессионального цикла.3. Общая трудоемкость дисциплины составляет 5 зачетных единиц (180 часов).Формы промежуточной аттестации – зачёт.Аннотация к рабочей программе дисциплиныБ1.В.ДВ.2.1 «Материалы активных диэлектриков»Направление подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»Профиль подготовки: «Технологии и устройство микро и наноэлектроники»1. Цель освоения дисциплиныДисциплина «Материалы активных диэлектриков» имеет своей целью формироватьу обучающихся общепрофессиональные (ОПК-1) компетенции в соответствии стребованиями ФГОС ВО по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника инаноэлектроника» (квалификация (степень) «магистр»).В результате изучения дисциплины обучающийся должен:Знать:- суть физических эффектов, лежащих в основе использования активныхдиэлектриков в электронной технике;- принципы классификации активных диэлектриков по их назначению, составу исвойствам;- данные о составе, структуре и свойствах основных активных диэлектриков,перспективных для использования в электронной технике; Уметь:- решать типовые задачи, относящиеся к дисциплине «материалы активныхдиэлектриков». Владеть:- знаниями о составе, структуре и свойствах основных активных диэлектриков,используемых в электронной технике, об особенностях их практического использования иэксплуатации;- практическими навыками, полученными при выполнении лабораторных работкурса, по определению основных характеристик активных диэлектриков.2.