Методические указания к лабораторным работам по приборно-технологическому моделированию в системе TCAD Sentaurus, страница 8

Язык программыInspect представляет собой расширение языка TCL дополнительнымифункциями, приведенными в [5]. Некоторые из них приведены в таблице 7.Таблица 7 – встроенные функции InspectФункцияproj_load<dataset>ОписаниеПример<filename> Загрузка plt-файла proj_loadn@node|<filename> в набор sdevice@_combinat.pltданных <dataset>n@node|sdevice@_combinatcv_createDS<curveName><xDataPath><yDataPath> <{axis y}>Созданиекривойсименем<curveName>,спискомабсцисс<xDataPath>,спискомординат<yDataPath>*cv_createDSTotalCurrent_c_drain {n@node|sdevice@_combinat NO_NODEtime}{n@node|sdevice@_combinatc_drainTotalCurrent} ycv_createWithFormula<curveName><formula><xmin><xmax><ymin><ymax>Создание кривой сименем<curveName>,вычисляемойпоформуле <formula>вдиапазонезначений <xmin> …<xmax> по осиабсцисс и диапазонезначений <ymin> …<ymax> по осиординат.cv_createWithFormulamy_drain"<TotalCurrent_c_drain>$myy" A A A A ##Вычитаетиз всех ординат кривойзначение параметра $myy## Если следует выполнитьрасчет для всех значений, товместо границ диапазонапишутся буквы Аcv_getValsX<curveName>ПолучениеTCL- set answerYсписок абсцисс из "my_drain"]кривой с именем<curveName>[cv_getValsYcv_getValsY<curveName>ПолучениеTCL- set answerXсписок ординат из "my_drain"]кривой с именем<curveName>[cv_getValsXcv_createFromScriptСоздание кривой с<curveName> <x_list> именем<y_list> <{axis y}><curveName>подвум TCL-спискам:списку абсцисс исписку ординат.cv_createFromScript my_drain1$answerX $answerY y## Размеры списков должныбыть идентичнымиПродолжение таблицы 7ФункцияОписаниеПримерcv_write<type> Получение файла cv_writetxt<filename> <curvelist> типа<type>с n@PHI@_@TETA@_drain.txtименем <filename> my_drain1с характеристикой(спискомхарактеристик)<curvelist>proj_unload <dataset>Отключение набора proj_unloadданных <dataset>sdevice@_combinatn@node|*Для задания списка абсцисс или ординат следует в фигурных скобках записать следующуюпоследовательность: <имя набора данных> <имя контакта/NO_NODE> <Имя параметра Inspect/time>.Выражение NO_NODE указывается, если выводимый на ось параметр не связан с конкретнымконтактом, например, время (time).В правом столбце таблицы 7 выполняется последовательность действий:вначале считывается plt-файл n@node|sdevice@_combinat.plt, затем строитсявременная зависимость тока стока, из всех ординат зависимости вычитаетсязначение параметра $myy, разбивает полученную кривую на списки абсцисси ординат, собирает из полученных списков новую кривую и ее записывает вфайл n@PHI@_@TETA@_drain.txt, содержащий два столбца: столбецабсцисс и столбец ординат.

Такой файл можно обрабатывать и в другихпрограммах, например в Microsoft Excel (PHI и TETA – параметры,задаваемые пользователем). После всех действий plt-файл закрывается.В завершение всего следует отметить, что для выполнения подобныхскриптов следует в дерево компонентов проекта добавить компонент Inspect,щелчком правой клавиши мыши вызвать контекстное меню и выбратькоманду «Edit Inputs/Commands…». В открывшемся окне набиратькомандный файл и сохранить его. Аналогичные действия можно выполнятьиз компонента Tclsh, но без расширения функций Inspect.14. Задания для лабораторной работы №5 «Обработкаэлектрических характеристик и разработка управляющих модулей наязыке TCL»На языке TCL написать программу в соответствии с вариантами1.

Написать программу, которая для всех узлов компонента sdevice,номера которых кратны 3, определяет наибольшее дискретное значение токана стокозатворной характеристике.2. Написать программу, которая для всех узлов компонента sdevice,номера которых кратны 3, определяет наименьшее положительноедискретное значение тока на стокозатворной характеристике.3. Написать программу, которая для выбранного узла компонентаsdevice выполняет численное дифференцирование стокозатворнойхарактеристики и определяет максимальное значение производнойпороговой характеристики.4.

Написать программу, которая для всех узлов компонента sdevice,номера которых кратны 5 выполняет определение длины массива абсциссстокозатворной характеристики.5. Написать программу, которая выполняет удаление из выходнойхарактеристики всех точек с положительной абсциссой, значение которойменьше 10-2. Результат записать в текстовый файл.6. Написать программу, которая для одного узла компонента sdeviceвыполняет умножение всех ординат стокозатворной характеристики наквадрат абсциссы.

Результат записать в текстовый файл.7. Написать программу, которая для одного узла компонента sdeviceвыполняет операцию умножения стокозатворной характеристики саму насебя. Результат записать в текстовый файл.8. Написать программу, которая запускает на выполнение все узлыкомпонента sdevice1 с нечетными номерами из текущего узла tcl.У к а з а н и е. Каждый узел запускается командой TCL exec sdevicepp@node|sdevice1@_des.cmd, где pp@node|sdevice1@_des.cmd – имякомандного файла, полученного после препроцессорной обработкиисходного командного файла sdevice1_des.cmd (подстановки конкретныхзначений всех параметров в местах ссылки на них).9.

Написать программу, которая для одного узла компонента sdevice1выполняет умножение выходной характеристики саму на себя. Результатзаписать в текстовый файл.Литература1. Ферри Д., Эйкерс Л., Гринич Э. Электроника ультрабольшихинтегральных схем: Пер. с англ.– М.: Мир, 1991.– 327 с.: ил.2. МОП СБИС. Моделирование элементов и технологическихпроцессов/Под ред. П. Антонетти, Д. Антониадиса, Р. Даттона, У. Оулдхема:Пер.

с англ.– М.: Радио и связь, 1988.– 496 с.:ил.3. Sentaurus Device User Guide. Version G-2012.06, June 2012. – Synopsys,USA, California, Mountain View, 2012. – 1368 p.4. Sentaurus Workbench User Guide. Version G-2012.06, June 2012. –Synopsys, USA, California, Mountain View, 2012. – 230 p.5. Inspect User Guide.

Version G-2012.06, June 2012. – Synopsys, USA,California, Mountain View, 2012. – 180 p.№Вар.Приложение 1. Описание моделируемого технологическогомаршрутаНазвание шагаOperation ParametersИнициализацияenvironmentsubstrate1,5ФормированиеP-карманаimplant2,6implant3,7implant12Формированиеподзатворного окислаи затвораannealdepositpattern3etch4etchetchtitle: LIGAMENTTutorial:NMOSsimulator:sprocess region:SIM2Ddopant: boron concentration:5e14 /cm3species: boron dose:2e13 /cm2 energy: 300keV tilt: 0 deg rotation: 0degspecies: boron dose:1e13 /cm2 energy: 80 keVrotation: 0 degspecies: bf2 dose: 2e12/cm2 energy: 25 keVrotation: 0 degtime: 8 min nitrogen: 0 %oxygen: 100 %temperature=950material: poly thickness:0.2 µmlayer: POLY polarity:light_field thickness: 1µmmaterial: poly thickness:0.2 µm etch_type:anisotropic over_etch: 10%material: oxide thickness:0.01 µm etch_type:anisotropic over_etch: 10%material: resist thickness: 1µm etch_type: stripanneal4, 8ФормированиеLDD-областей56implantannealФормирование спейсеровdeposit7etch8etch5, 9Формирование областейИстока/стокаimplantannealtime: 20 min nitrogen: 0 %oxygen: 100 %species: arsenic dose:4e14 /cm2 energy: 10 keVtilt: 0 degtime: 5 sec temperature:1050 degCmaterial: nitride thickness:0.2 µmmaterial: nitride thickness:0.2 µm etch_type:anisotropic over_etch: 10%material: oxide thickness:0.01 µm etch_type:anisotropic over_etch: 10%species: phosphorus dose:3e15 /cm2 energy: 25 keVtilt: 0 degtime: 10 sec temperature:1050 degC.